检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：技术科学 2012年第11期42卷 1318-1329页

作者：艾斌张勇慧邓幼俊沈辉中山大学光电材料与技术国家重点实验室广东省光伏技术重点实验室广州510006

由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,... 详细信息

由于晶体硅薄膜太阳电池兼有晶体硅太阳电池高效、性能稳定和薄膜电池低成本的优点,是最有可能取代现有晶体硅太阳电池技术的下一代薄膜电池技术.本文利用PC1D软件对外延晶体硅薄膜太阳电池进行了器件模拟.为了使模拟更接近真实的情况,我们采用了更符合实际情况的器件结构和参数设置.在此基础上,全面系统地研究了背表面场(back surface field,BSF)层、基区和发射区参数、晶体硅活性层电学质量、电池表面钝化情况、电池内部复合情况和pn结漏电情况等对外延晶体硅薄膜太阳电池光电性能的影响.在影响外延晶体硅薄膜太阳电池效率的众多因素中,辨认出对电池效率影响幅度最大的3个参数依次是基区少子扩散长度、二极管暗饱和电流和正表面复合速度.通过模拟还发现,基区不是越厚越好,基区厚度的选择必须要考虑基区少子扩散长度的值.当基区少子扩散长度较小时,基区的最佳厚度应小于或等于基区少子扩散长度;当基区少子扩散长度较大时,基区少子扩散长度应至少是最佳基区厚度的2倍.此外,本文不但对模拟结果的现象进行了描述,还深化解释了其变化的物理机制.由于外延晶体硅薄膜太阳电池在器件结构上与晶体硅太阳电池具有很大的相似性,所以本文的结论在某种程度上对晶体硅太阳电池特别是当下研究最热门的薄硅片太阳电池也是适用的.

关键词：太阳电池晶体硅薄膜太阳电池器件模拟 PC1D模拟

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基于机器学习和器件模拟对Cu(In,Ga)Se_(2)电池中Ga含量梯度的优化分析

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物理学报 2021年第23期70卷 388-396页

作者：刘武朱成皖李昊天赵谡玲乔泊徐征宋丹丹北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所北京100044

Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,Ga含量(Ga/(Ga+In),GGI)梯度调控是在不损失短路电流情况下,获得高开路电压的一种有效方法.本文基于对薄膜电池效率极限的对比分析,首先评估了CIGS电池性能提升的优化空间和策... 详细信息

Cu(In,Ga)Se_(2)(CIGS)太阳能电池是一种高效薄膜太阳能电池,Ga含量(Ga/(Ga+In),GGI)梯度调控是在不损失短路电流情况下,获得高开路电压的一种有效方法.本文基于对薄膜电池效率极限的对比分析,首先评估了CIGS电池性能提升的优化空间和策略.进而,通过机器学习与电池模拟分析相结合,研究了不同类别的“V”型GGI梯度对电池性能的影响,优化了“V”型双梯度的分布,获得了高于26%的模拟效率,并探究了其内部载流子作用机理.本文的研究提供了获得高效率CIGS电池“V”型GGI梯度的优化方案,为实验优化提供了指导.

关键词： Cu(In,Ga)Se_(2)太阳能电池 Ga梯度效率极限机器学习器件模拟

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用于半导体器件模拟的高精度三次样线法

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 483-487,544页

作者：刘战沈静静顾晓峰于宗光胡西多臧佳锋五邑大学信息学院广东江门529020 江南大学信息工程学院江苏无锡214036 东莞理工学院电子工程系广东东莞523808

采用三次样线方法(SADI)与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型(DD)模型,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。

关键词：三次样线方法高阶紧致差分器件模拟

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肖特基栅共振隧穿三极管(SGRTT)的器件模拟

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 290-294页

作者：宋瑞良毛陆虹郭维廉梁惠来张世林天津大学电子信息工程学院天津300072

使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在... 详细信息

使用Atlas软件模拟了肖特基栅共振隧穿三极管。通过改变发射极长度、栅极金属和上层AlAs势垒的距离以及靠近AlAs势垒的GaAs层浓度,得到器件耗尽区边界以及所对应的I-V特性,由此分析和解释了器件结构参数对器件特性的影响,最后对器件在电路中的应用予以说明。

关键词：肖特基栅共振隧穿三极管器件模拟单稳-双稳转换逻辑电路单元

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高阶紧致差分与ADI结合的器件模拟方法

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固体电子学研究与进展 2006年第2期26卷 230-233页

作者：刘战须自明王国章于宗光江南大学信息工程学院江苏无锡214036

采用AD I与高阶紧致差分相结合的方法计算大型非对称稀疏矩阵,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。

关键词：交替方向隐式方法高阶紧致差分器件模拟

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VLSI中热载流子效应失效的事前评估和器件模拟

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复旦学报（自然科学版） 2000年第B4期39卷 41-47页

作者：杨文清周思远材料科学系

ＶＬＳＩ的各种失效现象导致器件可靠性的下降，为作好ＶＬＳＩ可靠性研究的事前评估工作，针对导致ＶＬＳＩ失效机理中热载流子效应作用物理模型的计算和器件模拟。介绍热载流子效应的两个模型的数学处理思想；使用集成电路器件模拟软... 详细信息

ＶＬＳＩ的各种失效现象导致器件可靠性的下降，为作好ＶＬＳＩ可靠性研究的事前评估工作，针对导致ＶＬＳＩ失效机理中热载流子效应作用物理模型的计算和器件模拟。介绍热载流子效应的两个模型的数学处理思想；使用集成电路器件模拟软件ＡＴＬＡＳ模拟了该效应。

关键词：事前评估器件模拟热载流子效应失效 VLSI

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高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析

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Journal of Semiconductors 2007年第4期28卷 563-566页

作者：马龙张杨戴扬杨富华曾一平王良臣中国科学院半导体研究所北京100083

在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论.

关键词：共振隧穿二极管峰-谷电流比电流-电压特性器件模拟

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SMDS——一个采用面向对象技术设计的半导体器件模拟软件

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电子学报 2000年第2期28卷 62-64,58页

作者：杨廉峰吴金刘其贵魏同立东南大学微电子中心南京210096

本文采用当今流行的面向对象技术设计完成了一个半导体器件模拟软件———SMDS(SubMicronDeviceSimulator) ,讨论了在网络并行计算等方面扩展的可行性。

关键词：器件模拟面向对象半导体器件 SMDS软件

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器件模拟的算法改进及High-k材料的隧穿特性模拟

器件模拟的算法改进及High-k材料的隧穿特性模拟

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作者：陈震清华大学

学位级别：硕士

该论文工作旨在在器件模拟程序(PISCES-Ⅱ)中引入新的线性方程求解方法以及High-k材料MOS器件的隧穿电流等器件特性模拟.主要包括两方面内容:器件模拟中的数值计算方法研究和High-k材料MOS器件的隧穿电流模拟.在半导体器件模拟程序中,... 详细信息

该论文工作旨在在器件模拟程序(PISCES-Ⅱ)中引入新的线性方程求解方法以及High-k材料MOS器件的隧穿电流等器件特性模拟.主要包括两方面内容:器件模拟中的数值计算方法研究和High-k材料MOS器件的隧穿电流模拟.在半导体器件模拟程序中,需要求解线性方程组.传统的器件模拟软件在求解线性方程组时使用的是直接法,如LU分解法.直接法在矩阵规模较大时逐渐暴露出对存储空间要求过大,从而导致运算速度的下降等缺点.而采用迭代算法,如广义极小残余(GMRES)算法等,在处理大规模稀疏矩阵时对存储空间要求较小,有效地解决了存储空间不足的问题,并能显著地提高运算速度.迭代算法有望成为新一代器件模拟软件的主流数值计算方法.在PISCES-Ⅱ中,使用GMRES算法等迭代算法重新编写了线性方程求解程序.并通过运行表明,迭代算法在器件模拟中能够求解计算过程保证很好的收敛性和精确度,程序运行速度明显提高.该文在二维器件模拟软件PISCES-Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiI<,2>和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,high-k材料的模拟结果与文献报道的实验数据吻合,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性.改进后的PISCES-Ⅱ程序,可以方便地对以各种常见high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟.隧穿电流模拟结果显示,使用High-k材料能够有效地抑制隧穿电流的产生.同时,二维分析指出,源漏扩展区(SDE)的隧穿电流占据了隧穿电流的主要部分.如何抑制SDE隧穿电流,是减小隧穿电流的关键问题.

关键词：器件模拟线性方程组隧道穿透 high-k

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基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 248-251页

作者：余志平田立林清华大学微电子学研究所北京100084 清华大学微电子学研究所北京100084

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结... 详细信息

随着器件沟道长度的不断缩小,多栅结构(包括FinFET)被普遍认为是有效改进Ion/Ioff的手段.量子力学效应对MOSFET中载流子分布和输运的影响已被认识和研究多年.在沟道截面被局限在数纳米量级时,一个更基本的固体物理问题,即能带或电子结构对材料几何尺寸的依赖性,逐渐显现出来并对器件特性产生不可忽略的影响.本文讨论如何从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构.在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,还研究了载流子迁移率与晶向的关系.

关键词： MOSFET 能带结构纳米器件模拟

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