检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 369-373页

作者：孙瑞泽刘毅张准贺威曹建民深圳大学电子科学与技术学院广东深圳518060

通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的... 详细信息

通过二维数值模拟的方法,研究了短沟道器件中不同位置的界面电荷对pMOS器件阈值电压的影响。把pMOS器件栅氧化层等分成不同的区域,随即可以在不同的区域设置不同的界面电荷,从而很好地模拟了器件界面电荷处于不同位置时阈值电压漂移的变化情况,并同时考虑了不同漏极偏置的影响;为了探究其变化机制,还提取和比较了一些特殊情况下器件的表面势。这些研究有助于明确器件哪些位置的界面电荷对阈值电压漂移影响更大,这对深刻理解带漏极偏置的负偏压温度不稳定性效应有一定的帮助和促进。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管器件负偏压温度不稳定性器件模拟界面电荷

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

三端双向负阻晶体管的模拟与实验

引用

Journal of Semiconductors 2004年第8期25卷 986-990页

作者：莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光天津大学电子信息工程学院微电子系天津300072

对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 .根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布 ,解释了S型负阻特性产生机理 .分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况 ,结果表明 ,随控制电压的增大 ,转折电压、转折电... 详细信息

对双向负阻晶体管 (BNRT)的三端特性进行了研究 .根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布 ,解释了S型负阻特性产生机理 .分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况 ,结果表明 ,随控制电压的增大 ,转折电压、转折电流和维持电压均增大 .模拟结果和实验结果一致 .BNRT的三端化实现 ,克服了两端应用的诸多缺点。

关键词：双向负阻晶体管三端 S型负阻器件模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

生产IGBT的一种工艺──三重扩散

引用

固体电子学研究与进展 1996年第1期16卷 75-79页

作者：李如春陈去非陈启秀浙江大学功率器件研究所

根据目前国内半导体工艺水平的现状，提出了一种制作ＩＧＢＴ的工艺方法──三重扩散法，并着重用器件模拟的方法，从理论上分析和证实了三重扩散法在高压ＩＧＢＴ器件制作上的优点和可行性，并用实验结果验证其正确性。

关键词： IGBT 三重扩散器件模拟绝缘栅双极晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP基UTC-PD的理论分析与模拟

引用

科学通报 2009年第20期54卷 3092-3096页

作者：谢生刘丽飒亢文萍宋瑞良毛陆虹张世林天津大学电子与信息工程学院天津300072 南开大学物理学院天津300074

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14μm×1μm、反偏电压... 详细信息

首先采用漂移-扩散理论分析了单行载流子光电探测器(UTC-PD)的光电流响应.利用器件仿真器ATLAS建立了UTC-PD的器件模型,并对优化设计的InP/InGaAsPD的能带结构和性能参数作了二维模拟.模拟结果表明,光敏面为14μm×1μm、反偏电压为2V时,光电流响应的线性动态范围达60mW,响应度和?3dB带宽分别为0.16A/W和40GHz.当输入光脉冲宽度为10ps时,光电流响应的峰值达1.3mA,半峰全宽(FWHM)为28ps.

关键词：光电子学光电探测器单行载流子磷化铟器件模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

求解半导体器件流体力学模型的新方法

引用

Journal of Semiconductors 2008年第8期29卷 1570-1574页

作者：刘战顾晓峰于宗光胡西多臧佳锋江南大学信息工程学院无锡214036 东莞理工学院电子工程系东莞523808

采用样条分步法SADI与高阶紧致差分相结合的方法,计算用于半导体器件模拟的流体力学模型.数值计算表明,相比当前最为流行的两种器件模拟方法CGS及Newton-SOR,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.

关键词： SADI 高阶紧致差分器件模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

简化DG OTFT结构对模拟精度的影响

引用

固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 522-525,539页

作者：姚阳王昭钟传杰江南大学物联网工程学院江苏无锡214122

使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的... 详细信息

使用atlas软件模拟了两种器件结构的电学特性(阈值电压、开关电流比、亚阈值斜率等),其中一种是工艺制造的DG OTFT实际结构,另一种是模拟研究器件电学特性时常采用的DG OTFT简化结构。研究发现实际结构的输出电流会随着源漏电极厚度的增加而加大,而模拟中常采用的简化结构由于忽略了电极位置对载流子注入面积及有源层内电势分布的影响,从而低估了实际器件的输出电流大小。

关键词：双栅有机薄膜晶体管器件模拟电极

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEDICI程序简介及其在电离辐照效应研究中的应用

引用

计算物理 2003年第4期20卷 372-376页

作者：郭红霞陈雨生周辉张义门龚仁喜吕红亮西北核技术研究所陕西西安710024 西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

　简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿真模拟,建立了电离辐照效应的物理模型,并将模拟结果与实验数据进行了比较.

关键词： MEDICI程序电离辐照效应仿真器件模拟物理模型总剂量效应剂量率效应 MOSFET 金属-氧化物-半导体器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究

引用

Journal of Semiconductors 2007年第5期28卷 750-754页

作者：王宁娟刘忠立李宁于芳李国花中国科学院半导体研究所传感器国家重点实验室北京100083

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的... 详细信息

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.

关键词： SOI 全耗尽总剂量辐射器件模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SRAM单元单粒子翻转效应的电路模拟

引用

Journal of Semiconductors 2007年第1期28卷 138-141页

作者：刘征孙永节李少青梁斌国防科技大学计算机学院长沙410073

在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转... 详细信息

在三维器件数值模拟的基础上,以经典的双指数模型为原型通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式,在理论分析的基础上,引入了描述晶体管偏压和瞬态电流关系的方程,并将其带入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟,最后分别使用电路模拟和混合模拟两种方法得到了存储单元的LET阈值,通过在精度和时间开销上的对比,验证了这种模拟方法的实用性.

关键词：单粒子翻转双指数模型电路模拟器件模拟 SRAM

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟

引用

Journal of Semiconductors 2004年第5期25卷 547-551页

作者：郑期彤张大伟江波田立林余志平清华大学微电子学研究所北京100084

在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2... 详细信息

在经典弹道输运模型中引入源漏隧穿 (S/ D tunneling) ,采用 WKB方法计算载流子源漏隧穿几率 ,对薄硅层(硅层厚度为 1nm) DG(dual gate) MOSFETs的器件特性进行了模拟 .模拟结果表明当沟道长度为 10 nm时 ,源漏隧穿电流在关态电流中占 2 5 % ,在开态电流中占 5 % .随着沟道长度进一步减小 ,源漏隧穿比例进一步增大 .因此 ,模拟必须包括源漏隧穿 .

关键词：源漏隧穿 DG MOSFET 弹道输运器件模拟

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：