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考虑自热影响的半导体器件的数值模拟
考虑自热影响的半导体器件的数值模拟
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作者： 郝明 清华大学
学位级别：硕士
该文概括了温度对半导体材料的主要特性如禁带宽度,该征载流子浓度,迁移率,热导率、碰撞电离速率等的影响,并在器件模拟程序PISCES-2H的基础上,实现了一个考虑自热影响的电热耦合模拟程序.在模型方面,该文不仅将PISCES-2H中原有的某些... 详细信息
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亚微米级GaAS MESFET器件的多粒子二维蒙特卡罗模拟
亚微米级GaAS MESFET器件的多粒子二维蒙特卡罗模拟
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作者： 刘微 贵州大学
学位级别：硕士
该文通过多粒子的蒙特卡罗方法对亚微米级GaAs MESFET器件进行模拟.该方法采用GaAs双能谷模型,追踪器件内部大量粒子在电场作用下的自由飞行和散射过程,适时地、不断地按照新的电荷分布求解并更新电场,然后在新电场作用下追踪粒子运动,... 详细信息
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半导体器件辐射效应数值模拟技术研究现状与发展趋势
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现代应用物理 2018年 第1期9卷 1-7页
作者： 陈伟 丁李利 郭晓强 西北核技术研究所 西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安710024
半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电... 详细信息
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RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9)
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微纳电子技术 2007年 第10期44卷 917-922,951页
作者： 郭维廉 天津工业大学信息与通讯工程学院 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄050051 天津大学电子信息工程学院 天津300072
阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介... 详细信息
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本科高年级设置器件数值模拟课的作用
本科高年级设置器件数值模拟课的作用
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’93国际电子高等教育学术讨论会
作者： 赵鸿麟 天津大学电子工程系
本文介绍对本科高年级设置器件数值模拟课的多重作用:学生掌握了非线性微分方程的数值解法及Monte carlo方法;锻炼提高了计算机的运算能力;深入理解了微电子器件的物理过程。上述三方面内容都是在应用中学习,学生兴趣高、收效大。
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半导体器件的并行模拟分析
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电子器件 1999年 第2期22卷 80-86页
作者： 吴金 杨廉峰 刘其贵 吴平 魏同立 东南大学微电子中心
面对器件模拟问题中日益繁重的计算量，采用并行计算具有现实的必要性和可能性。本文在分析了已有并行结构设计方法的基础上，给出了一种基于网络计算的并行处理技术及算法设计结构，并获得了初步的测试结果。
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MOS器件高温特性的解析模型和模拟
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微电子学 1996年 第2期26卷 103-106页
作者： 冯耀兰 李丽 东南大学微电子中心
详细研究了利用解析模型模拟器件特性的方法，提出了ＭＯＳ器件高温特性的解析模型及模拟程序的结构框图。模拟结果表明，漏结泄漏电流是影响ＭＯＳ器件高温特性的主要因素。
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深亚微米/纳米半导体器件蒙特卡罗模拟
深亚微米/纳米半导体器件蒙特卡罗模拟
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
作者： 杜刚 刘晓彦 孙雷 韩汝琦 北京大学微电子所
蒙特卡罚方法作为适于研究热电子效应及量子效应对半导体器件影响的一种半导体器件计算机模拟方法,应用日益广泛.本文介绍了蒙特卡罗器件模拟的基本流程,物理模型和在深亚微米/纳米时雷特别考虑的问题.并给出了利用我们自主开发的蒙特... 详细信息
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单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟
单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟
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2006年全国光电技术学术交流会
作者： 孙浩 王成刚 华北光电技术研究所
简介了TCAD软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色MW-MW结构器件关于光谱响应、量子效率、I-V特性等方面的模拟结果,以及下阶段准备进行的工作。
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深亚微米半导体器件数值模拟方法的研究
深亚微米半导体器件数值模拟方法的研究
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中国电子学会第四届青年学术年会
作者： 吴金 那斯尔江 杨廉峰 魏同立 大学微电子中心（南京）
本文对半导体器件模拟中所涉及到的一些关键问题进行了系统研究。提出了适合于深亚微米半导体器件的流体动力学模型，及其面向对象的模拟软件分析与设计技术，初步探讨了基于CORBA平台下并行计算方案的实施及其有效性。
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