检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2025年第3期37卷 151-156页

作者：魏嘉欣郝建红赵强范杰清张芳薛碧曦董志伟华北电力大学电气与电子工程学院北京102206 北京应用物理与计算数学研究所北京100094

航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效... 详细信息

航天器在轨服役期间长期处于复杂恶劣的空间辐射环境,以GaAs为代表的III-V族化合物太阳能电池因具备高光电转换效率和抗辐照能力而被广泛应用于航天领域。采用有限元法,基于计算机辅助设计技术(TCAD)对GaAs太阳能电池的空间辐照损伤效应进行了研究。以AM0光谱辐照下的GaAs太阳能电池电学参数为依据,建立了单结太阳能电池结构模型和辐照损伤模型,获得了在不同电子辐照条件下电池的伏安特性曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了空间环境辐照下GaAs太阳能电池电学性能退化规律。结果表明,辐照损伤缺陷使得少数载流子扩散长度减小,降低了光生载流子的收集效率,在一定电子能量下,太阳能电池电学性能的退化幅度随辐照注量水平的提高而增大。

关键词： GaAs太阳能电池器件模拟辐照损伤电学性能

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超晶格微结构器件流体动力学模拟及软件设计

超晶格微结构器件流体动力学模拟及软件设计

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作者：曹俊诚中国科学院上海微系统与信息技术研究所

本项目为微结构器件,研究了超晶格和THz振荡器中时空电场畴的形成、传播以及电流不稳定性问题。理论上预言了研制可调频的THz振荡器的可能性;研究了量子点超晶格、负有效质量太赫兹振荡器中电流的时空同步与混沌等非线性动力学特性;实... 详细信息

标准号: hg06036923

本项目为微结构器件,研究了超晶格和THz振荡器中时空电场畴的形成、传播以及电流不稳定性问题。理论上预言了研制可调频的THz振荡器的可能性;研究了量子点超晶格、负有效质量太赫兹振荡器中电流的时空同步与混沌等非线性动力学特性;实现了流体动力学平衡方程框架内的振荡型和非振荡型半导体器件的计算机模拟。在模拟中考虑了微观散射机制和量子力学效应,避免了采用“弛豫时间近似”;研究了半导体在极高电场条件下的热电子输运、碰撞离化以及俄歇复合等效应,得到了与实验以及蒙特卡罗模拟相吻合的结果;研究了GaN在不同温度和不同掺杂条件下的负微分电导、电子加热以及谷间电子转移等非线性传导行为,该研究具有重要的意义。

关键词：超晶格流体动力学平衡方程器件模拟

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MOSFET中热载流子效应的计算、实验和模拟

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固体电子学研究与进展 2001年第2期21卷 182-191页

作者：郑国祥罗永坚杨文清周思远蒋蓁宗祥福复旦大学材料科学系上海200433 上海先进半导体制造有限公司 200233

亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFE... 详细信息

亚微米 MOSFET的热载流子效应会引起器件的失效 ,文中分析了热载流子效应引起器件失效的机理和物理模型 ,对该效应的内部电场、衬底电流、阈值电压和跨导作了计算 ;使用知名的集成电路器件模拟软件 ATL AS模拟了该效应 ;并对实际 MOSFET作了 I- V特性曲线和跨导变化量随偏压时间变化的实验测试。理论分析、实验结果与模拟结果都符合得很好。为改善MOSFET热载流子效应而提出的 GOL D结构也获得很好的模拟结果。

关键词：金属氧化物半导体晶体管器件失效器件模拟热载流子效应 GOLD结构场效应晶体管

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降低平面结型碲镉汞焦平面阵列光串音的结构优化研究

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红外与毫米波学报 2006年第5期25卷 329-332,337页

作者：全知觉叶振华胡伟达李志锋陆卫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法... 详细信息

研究了一种能够降低平面结型碲镉汞(HgCdTe,MCT)焦平面阵列光串音的新型结构.该结构通过对平面结型MCT焦平面阵列的衬底几何形状的优化设计,来达到增大光响应率、减少光串音的目的,以期提高器件的性能.提出了结构优化的快速近似设计方法,并利用商用器件模拟软件对Hg0.78Cd0.22Te器件进行了二维模拟.计算结果显示:当少子寿命为10 ns时,经过优化设计后的器件,光响应率增加了9.6%,光串音从未优化前的5.23%减小到1.05%.

关键词：碲镉汞(MCT) 焦平面阵列光串音器件模拟

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基于SOI的可变电容的特性分析

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北京大学学报（自然科学版） 2004年第5期40卷 835-839页

作者：延涛张国艳黄如王阳元北京大学信息科学学院微电子所北京100871

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、... 详细信息

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响。在模拟中 ,还观察到了当栅氧厚度很薄时 ,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象。

关键词：可变电容 SOI 交流分析器件模拟 ISE

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MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试

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光电子．激光 2006年第12期17卷 1413-1417页

作者：雷晓荃毛陆虹陈弘达黄家乐天津大学电子信息工程学院天津300072 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

设计了一种新型的与MS/RFCMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟。采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片,... 详细信息

设计了一种新型的与MS/RFCMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟。采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试。模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比,具有较低的暗电流和较高的响应度。

关键词： MS/RF CMOS工艺深n阱(DNW) 浅沟槽隔离(STI) 器件模拟

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1维亚微米弹道二极管在不同外加电压脉冲下的数值模拟

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强激光与粒子束 2006年第4期18卷 680-684页

作者：刘烨王蔷清华大学电子工程系北京100084

以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温... 详细信息

以适合亚微米器件的流体动力学模型为基础,建立了1维数值模拟程序,程序中采用耦合牛顿法求解非线性方程组。应用该程序对亚微米1维弹道二极管进行了瞬态数值模拟,分析了外加低电压和高电压脉冲情况下的电场强度、载流子浓度、载流子温度等参数的变化情况。低电压脉冲下的结果与文献一致;对于文献中并未开展的高电压脉冲下的模拟,得到了器件处于非正常工作状态的各参数分布曲线,并尝试用二次击穿理论对结果进行分析。结果显示:随着外电压的升高,载流子的碰撞电离将导致少子空穴浓度急剧增大,并达到与电子浓度相同的量级,这时在器件分析中空穴方程已不能省略,并且载流子浓度将取代掺杂浓度控制电势分布,并进而影响电场及电流密度,涌极附近电场将增强,电流密度也将迅速增加。结论可为研究瞬态电磁脉冲对2维器件的损伤效应提供参考。

关键词：亚微米弹道二极管流体动力学模型器件模拟二次击穿

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一维S－G格式的三维应用

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固体电子学研究与进展 1994年第1期14卷 6-13页

作者：滕志猛何野童勤义东南大学微电子中心

本文提出了一种将一维Ｓ－Ｇ格式应用于三维电流连续性方程的方法。该方法具有经典的多维Ｓ－Ｇ方法的优点，却有效地减小了数值误差，可用于半导体器件模拟。

关键词：电流连续性方程器件模拟 S-G格式

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180nm CMOS工艺下SEL敏感性关键影响因素

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国防科技大学学报 2011年第3期33卷 72-76页

作者：秦军瑞陈书明陈建军梁斌刘必慰国防科技大学计算机学院湖南长沙410073

研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁... 详细信息

研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180nm体硅工艺,基于校准的CMOS反相器器件模型,使用器件模拟的方法,研究了粒子入射位置、温度、阱/衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响。模拟和分析表明,CMOS电路不同位置的闩锁响应差别很大,找出了电路发生闩锁的敏感区域,得出了温度、阱/衬底接触的位置、NMOS与PMOS间距等因素与SEL敏感性之间的关系,并从理论上进行了解释,总结了降低单粒子闩锁效应的有效方法,研究结果能为深亚微米体硅工艺下的抗SEL加固设计提供有效的指导。

关键词：单粒子闩锁器件模拟设计加固

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与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析

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固体电子学研究与进展 2005年第2期25卷 202-206页

作者：齐海涛郭维廉张世林梁惠来毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072

在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具... 详细信息

在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具有负阻、双稳、自锁等特性,同时与普通台面HBT工艺兼容,易于集成,是一种具有研究和应用价值的新型负阻器件。

关键词：负阻器件异质结双极晶体管电流峰谷比器件模拟

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