检索结果-内蒙古大学图书馆

中国科学：化学 2013年第4期43卷 407-417页

作者：林娜孙永铎乔娟段炼邱勇有机光电子与分子工程教育部重点实验室清华大学化学系北京100084

有机发光器件(OLED)在平板显示和固体照明领域有着广阔的应用前景.过去的二十多年来,OLED的效率得到了大幅提升,但是器件的稳定性仍有待提高.在OLED器件中,通常认为载流子的传输涉及分子反复的氧化还原.因此,OLED材料的电化学性质是影... 详细信息

有机发光器件(OLED)在平板显示和固体照明领域有着广阔的应用前景.过去的二十多年来,OLED的效率得到了大幅提升,但是器件的稳定性仍有待提高.在OLED器件中,通常认为载流子的传输涉及分子反复的氧化还原.因此,OLED材料的电化学性质是影响器件稳定性的重要因素.本文总结了近年来有关OLED材料电化学性质的研究进展,并重点探讨了材料的电化学稳定性与器件稳定性之间的关系.总结发现:(1)单极性材料的电化学不稳定性是导致器件衰减的本质原因之一;(2)双极性材料高度的电化学稳定性有助于提高器件的稳定性,但并不一定保证器件具有高稳定性;(3)有关材料分子结构的稳定性对器件稳定性的影响以及器件的本征衰变机制还有待深入研究.相信,对OLED发光材料稳定性和器件衰变机制的深入研究将有助于提高其他有机光电材料和器件的稳定性,从而推动有机电子学和相关产业的发展.

关键词：有机发光器件电化学稳定性器件稳定性衰变机制

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基于氧化物基底的新型光伏材料及器件稳定性探讨

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中国新技术新产品 2020年第19期 80-81页

作者：侯雯文杜娟张万辉青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司青海西宁810007

在进行清洁能源的研究与开发时,人们发现太阳能是最有希望解决能源危机的,在太阳能的开发过程中,人们最先采用的就是硅基电池,虽然这一电池有很好的光电特性,但是其高额的制造成本,让很多科学家不得不去探索新的材料与器件,经过多年的发... 详细信息

在进行清洁能源的研究与开发时,人们发现太阳能是最有希望解决能源危机的,在太阳能的开发过程中,人们最先采用的就是硅基电池,虽然这一电池有很好的光电特性,但是其高额的制造成本,让很多科学家不得不去探索新的材料与器件,经过多年的发展,现阶段技术相对成熟的太阳能电池种类有多种,但是这些太阳能电池各有优劣,还需要不断地进行改进与创新。

关键词：氧化物基底新型光伏材料器件稳定性钙钛矿电池光腐蚀

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提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺

提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺

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作者：王德君尹志鹏尉升升秦福文 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)SiC晶片氧化，(3)对步骤2制备的样品在含氧元素气氛下进行氧化后退... 详细信息

标准号: CN113035691B

本发明属于SiC半导体器件制作及可靠性技术领域，一种提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺，包括以下步骤：(1)采用RCA工艺对SiC晶片进行清洗，(2)SiC晶片氧化，(3)对步骤2制备的样品在含氧元素气氛下进行氧化后退火处理，(4)对步骤3处理后的样品在含氯元素气氛下进行氧化后退火处理，(5)对步骤4处理后的样品进行涂胶、光刻、腐蚀、去胶、离子注入形成源区和漏区，(6)完成SiC MOSFET的制作。本发明通过分两步在界面中分别引入氧元素和氯元素，既可以有效消除SiC/SiO₂界面附近陷阱，又可以通过氯元素固定SiO₂薄膜中的可动离子，从而有效提升SiC MOSFET器件的稳定性和可靠性。

关键词：后退火氯元素离子碳化硅MOSFET 半导体器件可靠性技术器件稳定性两步氧化氧元素光刻含氧可动漏区去胶涂胶源区制备制作清洗陷阱腐蚀引入

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提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺

提高碳化硅MOSFET器件稳定性和可靠性的两步氧化后退火工艺

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作者：王德君尹志鹏尉升升秦福文 116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

标准号: CN113035691A

关键词：后退火氯元素离子碳化硅MOSFET 半导体器件可靠性技术器件稳定性两步氧化氧元素光刻含氧可动漏区去胶涂胶源区制备制作清洗陷阱腐蚀引入

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一种提高金属氧化物TFT器件稳定性的阵列基板结构

一种提高金属氧化物TFT器件稳定性的阵列基板结构

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作者：陈宇怀 351100 福建省莆田市涵江区涵中西路1号

本实用新型公开了一种提高金属氧化物TFT器件稳定性的阵列基板结构，包括基板，所述基板的上方设置有第一金属层，在所述第一金属层的上方设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层的上方设置有有源层，所述有源层与第一绝缘层搭接的一侧外部... 详细信息

标准号: CN217691177U

本实用新型公开了一种提高金属氧化物TFT器件稳定性的阵列基板结构，包括基板，所述基板的上方设置有第一金属层，在所述第一金属层的上方设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层的上方设置有有源层，所述有源层与第一绝缘层搭接的一侧外部设置有第二金属层，所述第二金属层的上方设置有第二绝缘层，在所述第二绝缘层上开设有第二通孔，在第二绝缘层的上方还设置有第三金属层和阴极连接线，所述第三金属层通过第二通孔与有源层上表面接触；通过本实用新型的设计，金属材料相对于其他薄膜材料具备更高的机械强度，不易发生形变，通过在半导体沟道上方设置金属层覆盖，可以有效降低后续薄膜应力施加于TFT半导体层的影响程度，从而利于TFT电性的稳定。

关键词：绝缘层金属层源层本实用新型第二金属层第一金属层基板通孔金属氧化物TFT 阴极阵列基板结构半导体沟道器件稳定性金属材料连接线半导体层薄膜材料外部设置应力施加上表面形变搭接电性薄膜覆盖

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一种增加器件稳定性的结构

一种增加器件稳定性的结构

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作者：安趁趁 210000 江苏省南京市江宁区江宁经济技术开发区将军大道

本实用新型公开了一种增加器件稳定性的结构，涉及器件稳定性技术领域，为解决缺乏稳定性结构或结构性能不佳，器件长时间抖动会使得稳定性下降，稳定性的下降直接导致器件的使用效果下降，影响器件的使用的问题。所述安装底座的上方设... 详细信息

标准号: CN216789676U

本实用新型公开了一种增加器件稳定性的结构，涉及器件稳定性技术领域，为解决缺乏稳定性结构或结构性能不佳，器件长时间抖动会使得稳定性下降，稳定性的下降直接导致器件的使用效果下降，影响器件的使用的问题。所述安装底座的上方设置有置物筒，所述设备壳体的一端延伸至置物筒的内部，所述安装底座上设置有安装孔，安装孔设置有四个，所述安装孔的内部设置与固定栓，所述固定栓的外部设置有弹簧，且弹簧与固定栓滑动连接，所述设备壳体上端的两侧均设置有直角定位块，所述设备壳体的外部设置有连接箍，连接箍设置有两个，且连接箍与直角定位块榫接，两个所述连接箍的中间位置处设置有拉簧，且拉簧与连接箍设置为一体结构。

关键词：连接箍设备壳体安装孔固定栓器件稳定性直角定位块安装底座外部设置置物筒弹簧拉簧本实用新型稳定性结构滑动连接结构性能内部设置时间抖动一体结构影响器件上端榫接延伸

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用于提高器件稳定性的GOA单元

用于提高器件稳定性的GOA单元

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作者：吕晓文 518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号

本发明公开一种用于提高器件稳定性的GOA单元，所述GOA单元包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一复位薄膜晶体管；所述复位薄膜晶体管的栅极电性连接一复位信号端，所述复位薄膜晶体管的源极电性连接一工... 详细信息

标准号: CN109192165A

本发明公开一种用于提高器件稳定性的GOA单元，所述GOA单元包括一上拉控制单元、一上拉单元、一下拉单元、一下拉维持单元以及一复位薄膜晶体管；所述复位薄膜晶体管的栅极电性连接一复位信号端，所述复位薄膜晶体管的源极电性连接一工作电压。利用复位信号端的电位设计，减少起始级GOA单元的栅源电压，使其和第n级GOA单元的栅源电压一致，因而能够防止在极端条件下所述起始级GOA单元失效，并提高器件的稳定性。

关键词：薄膜晶体管复位栅源电压起始级上拉控制单元复位信号端器件稳定性电位设计电性连接复位信号工作电压极端条件上拉单元维持单元栅极电性源极

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一种器件稳定性测试方法及装置

一种器件稳定性测试方法及装置

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作者：董扬辉 518000 广东省深圳市南山区后海大道2388号怡化金融科技大厦26楼

本发明属于工业测控技术领域，提供器件稳定性测试方法及装置，旨在解决现有技术中对数据波形的判定缺乏量化标准，从而导致不同方、不同人，尤其是制造方和客户之间标准模糊的问题。相对于现有技术中对器件(例如元器件、传感器)性能方... 详细信息

标准号: CN106706017B

本发明属于工业测控技术领域，提供器件稳定性测试方法及装置，旨在解决现有技术中对数据波形的判定缺乏量化标准，从而导致不同方、不同人，尤其是制造方和客户之间标准模糊的问题。相对于现有技术中对器件(例如元器件、传感器)性能方面的了解一般凭主观判断，缺乏具体量化标准而言，本发明提供的技术方案在了解器件稳定性等性能方面采用数学公式量化了表征器件在数据波形相似性方面的指标，因此更具客观性，使不同方、不同人，尤其是制造方和客户之间对器件的性能标准更容易达成一致。

关键词：器件稳定性数据波形性能方面量化测试方法及装置工业测控数学公式性能标准主观判断传感器客户元器件制造判定模糊

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与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法

与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作...

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作者：殷万军钟怡刘玉奎朱坤峰桂林梁康弟裴颖李光波谭开州刘青钱呈 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号

本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑... 详细信息

标准号: CN111799224A

本发明公开与双栅氧高低压CMOS工艺兼容提高器件稳定性的π型栅多晶及其制作方法，方法步骤：1)实施薄栅氧化层；2)淀积栅多晶薄膜；3)制作π型栅多晶结构；器件包括衬底、N型阱、自对准P型阱等。本发明实现了精细控制栅多晶厚度有效抑制后续氧化刻蚀工艺对于栅多晶纵向尺寸的影响，提高了栅多晶薄膜的电性能稳定性和工艺一致性，有效改善与高精密线性双多晶电容模块兼容性，有效提高了双多晶电容电压系数和近零偏压电容电压对称性。通过抑制掺杂离子特别是硼离子进入栅多晶薄膜，有效改善PMOS器件栅多晶表面平整性和产品长期可靠性。通过替代有机抗反射涂层，提高工艺兼容性并降低产品的制造成本，有效提升产品成品率和市场竞争力。

关键词：栅多晶多晶薄膜有机抗反射涂层电容电压系数电性能稳定性氧化刻蚀工艺薄栅氧化层表面平整性产品成品率长期可靠性工艺兼容性工艺一致性器件稳定性市场竞争力掺杂离子电容电压电容模块有效抑制制造成本高低压高精密兼容性控制栅零偏压硼离子自对准衬底淀积双栅制作兼容精细替代

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一种提高QLED器件稳定性的封装方法及封装结构

一种提高QLED器件稳定性的封装方法及封装结构

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作者：刘佳 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

本发明公开一种提高QLED器件稳定性的封装方法及封装结构。方法包括：步骤A、分别在已经制备好QLED器件的基板和盖板上沉积一层透明氧化物；步骤B、将混有碳纳米管的封装胶滴在上述透明氧化物上并震荡；步骤C、将盖板具有透明氧化物的... 详细信息

标准号: CN106159117A

本发明公开一种提高QLED器件稳定性的封装方法及封装结构。方法包括：步骤A、分别在已经制备好QLED器件的基板和盖板上沉积一层透明氧化物；步骤B、将混有碳纳米管的封装胶滴在上述透明氧化物上并震荡；步骤C、将盖板具有透明氧化物的一面压在基板具有透明氧化物的一面，并采用紫外光照处理，实现封装。本发明的封装方法可以最大限度的阻止水汽，同时能够及时散出热量，增强QLED器件的稳定性。另外，透明氧化物在固体器件与封装胶之间，能够有效的提高光取出效率。

关键词：透明氧化物封装盖板封装胶基板光取出效率器件稳定性封装结构固体器件碳纳米管紫外光照水汽沉积制备震荡

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