检索结果-内蒙古大学图书馆

南昌大学学报(理科版) 1977年 145-148页

作者：曾庆城江西大学物理系半导体教研组

在电解水的过程中,能够观察到在硅片电极上生成的二氧化硅薄膜。本文介绍在硅平面器件管芯的剖面上通过电解自来水,生长SiO2薄膜显示PN结的方法——电解水氧化染色法。它将显示出器件的发射结和集电结的位置,同时可以观察到外延层等,便... 详细信息

在电解水的过程中,能够观察到在硅片电极上生成的二氧化硅薄膜。本文介绍在硅平面器件管芯的剖面上通过电解自来水,生长SiO2薄膜显示PN结的方法——电解水氧化染色法。它将显示出器件的发射结和集电结的位置,同时可以观察到外延层等,便于测量。电解水氧化染色法也可用于外延层厚度的测量,尤其适用于PN结结深的测量。这一实验方法较之常用的硫酸铜溶液染色法,简便易作,显示PN结层次分明,交界面清楚。文中附有实物照片。

关键词：电解氧化发射结器件结构外延层集电结发射区基区管芯集电区染色法结深硅片

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在MESFET中畴的形成——器件结构和材料参数的影响

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微纳电子技术 1981年第1期 73-78页

作者： S.Tiwari 陈显萼

一、引言限制 GaAs MFS FET 输出功率的最重要的因素中的两点是:低的击穿电压和高的衬底电导。前者主要涉及功率 FET 的几何结构,后者同材料特性有关。本文的目的是报导:(a)所研究的一种新的器件结构,(b)在所掺杂的范围内获得高的击穿电... 详细信息

一、引言限制 GaAs MFS FET 输出功率的最重要的因素中的两点是:低的击穿电压和高的衬底电导。前者主要涉及功率 FET 的几何结构,后者同材料特性有关。本文的目的是报导:(a)所研究的一种新的器件结构,(b)在所掺杂的范围内获得高的击穿电压,和(c)高纯的未掺杂的缓冲层对 FET 静态特性的影响。我们还将报导采用电子束感生电流(EBIC)在漏回路所获得的电场分布,和采用通过场效应晶体管的沟道各点上碳俄歇谱线的移动所获得的表面电压分布。

关键词：边缘电场缓冲层栅间距金属半导体场效应晶体管击穿电压器件结构电场分布材料参数

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有机LED器件结构对其内部电场和电荷分布的影响

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中南民族大学学报（自然科学版） 2009年第3期28卷 73-78页

作者：钟志有中南民族大学电子信息工程学院武汉430074

利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响... 详细信息

利用高电场作用下载流子的Fowler-Nordheim(F-N)隧穿理论,建立了双层结构有机发光二极管(LED)器件载流子的动力学方程,通过计算机模拟,研究了稳态条件下势垒参数、外加电压、阳极区和阴极区的厚度等因素对器件内部电场和电荷分布的影响.结果表明:有机LED内部阴极区与阳极区的电场分布、内界面两侧积累的载流子面密度跟势垒高低、膜层厚薄以及外加电压大小密切相关,各功能层之间的能级匹配和厚度匹配对于器件结构优化和性能改善具有重要作用.

关键词：有机LED器件器件结构电场电荷

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集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法初探

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法初探

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：汪沁张海鹏孙玲玲高明煜李文钧吕幼华刘国华汪杰浙江万里学院计算机科学与信息学院宁波中国315100 杭州电子科技大学电子信息学院杭州中国310018 杭州电子科技大学电子信息学院IC CAD研究所杭州中国310018

本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素... 详细信息

本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,给出了结构实现的工艺控制要求.

关键词：集成电路静电保护器件结构工艺设计

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99年DSP器件结构手册

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电子设计技术 1999年第8期 32-33页

DSP的应用呈爆炸式增长,反过来,又激发着对DSP新技术的空前需求。我们编辑的这本DSP结构手册遵循多年来的传统,汇集了可供用户最热门设计应用的DSP结构。读者可以查阅我们随时更新的数据库,利用根据特征组合来调准的检索工具,从众多的DS... 详细信息

DSP的应用呈爆炸式增长,反过来,又激发着对DSP新技术的空前需求。我们编辑的这本DSP结构手册遵循多年来的传统,汇集了可供用户最热门设计应用的DSP结构。读者可以查阅我们随时更新的数据库,利用根据特征组合来调准的检索工具,从众多的DSP器件中找出最适合您手头设计项目需要的结构。

关键词： DSP 芯核器件结构

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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

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集成电路应用 2011年第8期28卷 22-23页

作者：刘宗贺深爱半导体股份有限公司

垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高... 详细信息

垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。

关键词：频率特性 VDMOS 器件结构优化功率集成电路电机调速开关电源高输入阻抗

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一种抗单粒子翻转的SOI器件结构

一种抗单粒子翻转的SOI器件结构

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：贺威张正选中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 中国科学院研究生院北京100039 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

本文介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构进行抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.