检索结果-内蒙古大学图书馆

本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。

关键词：成本函数程序指令设计图案掩模坯料控制器处理器非线性优化平移程序确定控制信号缺陷区域图案掩模系统执行掩模图案耦合到配置图案暴露检测通信

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用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法

用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法

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作者：杨晓春 V·托拉尼张峣美国加利福尼亚州

标准号: CN114556208A

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图案形成方法、图案掩模的形成方法、电子器件的制造方法及电子器件

图案形成方法、图案掩模的形成方法、电子器件的制造方法及电子器...

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作者：山本长生杉山真一日本国东京都

本发明提供一种图案形成方法、图案掩模的形成方法、电子器件的制造方法及电子器件。本发明的图案形成方法，其包含如下工序：(I)将含有树脂(A)及化合物(B)的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物涂布于基板上来形成第一膜，其中，所述... 详细信息

标准号: CN105593762A

本发明提供一种图案形成方法、图案掩模的形成方法、电子器件的制造方法及电子器件。本发明的图案形成方法，其包含如下工序：(I)将含有树脂(A)及化合物(B)的感活性光线性或感辐射线性树脂组合物涂布于基板上来形成第一膜，其中，所述树脂包含具有通过酸的作用分解而产生极性基团的基团的重复单元，所述化合物通过活性光线或辐射线的照射而产生酸；(II)将第一膜进行曝光；(III)对经曝光的第一膜进行显影来形成线与空间图案；及(IV)用第二膜包覆线与空间图案，所述图案形成方法的特征在于，工序(III)中所形成的线与空间图案中的线图案的顶部宽度大于底部宽度。

关键词：图案形成方法空间图案第一膜电子器件活性光线树脂化合物感辐射线性树脂组合物产生极性底部宽度顶部宽度图案掩模曝光包含包覆线第二膜辐射线线图案基板显影一种照射分解大于进行产生

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用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法

用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法

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作者：全承镐韩国首尔

本发明提供一种用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法。其中用于形成微透镜的图案掩模包括掩模图案部，其对应于矩阵形式的像素区域交错排列，其中所述掩模图案部的相邻角相互重叠。

标准号: CN101201539B

关键词：透镜图案掩模掩模图案图像传感器交错排列矩阵形式像素重叠

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形成间隔物图案掩模的方法

形成间隔物图案掩模的方法

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作者：王新鹏张海洋 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明公开了形成间隔物图案掩模的方法，包括：提供衬底并依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案；沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；以中间图案中的第一硬掩模为停... 详细信息

标准号: CN104167348A

本发明公开了形成间隔物图案掩模的方法，包括：提供衬底并依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案；沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化；对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀；沉积第二硬掩模；对第二硬掩模进行干法刻蚀，以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模；对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀，以形成间隔物图案；依次去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模和芯膜，得到最终的间隔物图案掩模。

关键词：硬掩模间隔物图案掩模中间图案干法刻蚀刻蚀平坦露出沉积间隔沉积界面图案掩模停止层图案化衬底沉积

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一种金刚石超透镜及其制备方法和深紫外波段光路测量系统

一种金刚石超透镜及其制备方法和深紫外波段光路测量系统

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作者：肖淑敏于墨昕陈钦杪林国平叶佐东宋清海 518000 广东省深圳市南山区桃源街道深圳大学城哈尔滨工业大学校区

本发明公开了一种金刚石超透镜及其制备方法和深紫外波段光路测量系统，涉及微纳光学的技术领域。一种金刚石超透镜的制备方法，包括以下步骤：(1)在金刚石上蒸镀铬层作为铬硬掩膜；(2)在铬硬掩膜上旋涂光刻胶；(3)对光刻胶进行电子束... 详细信息

标准号: CN117388961A

本发明公开了一种金刚石超透镜及其制备方法和深紫外波段光路测量系统，涉及微纳光学的技术领域。一种金刚石超透镜的制备方法，包括以下步骤：(1)在金刚石上蒸镀铬层作为铬硬掩膜；(2)在铬硬掩膜上旋涂光刻胶；(3)对光刻胶进行电子束曝光，制备图案掩模，并对光刻胶进行显影、定影处理；(4)在定影后的金刚石上蒸镀二氧化硅，然后将光刻胶与铬硬掩膜进行剥离；(5)刻蚀铬硬掩模；(6)刻蚀金刚石；(7)将刻蚀后的金刚石去除铬硬掩模，得到金刚石超透镜。本发明制备得到的金刚石超透镜体积小、球差、慧差小，具有偏振不敏感的功能，可在任意偏振态的入射下实现聚焦和成像功能。

关键词：金刚石透镜制备硬掩膜光刻胶硬掩模刻蚀蒸镀定影电子束曝光刻蚀金刚石偏振不敏感深紫外波段测量系统成像功能定影处理二氧化硅图案掩模微纳光学偏振态去除铬体积小铬层光路慧差球差入射上旋显影剥离聚焦

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提供改良的双层光刻胶图案的方法

提供改良的双层光刻胶图案的方法

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作者： H·肖 H·H·朱 K·-L·唐 S·M·R·萨亚迪美国加利福尼亚州

提供了在一个层中蚀刻出特征的方法，在所述层上形成聚合物材料的底层，在底层上形成上部图像层，将所述上部图像层在被图案化的辐射下曝光，在上部图像层中将图案显影，用还原干法蚀刻将图案从上部图像层移至底层，透过底层蚀刻所述层... 详细信息

标准号: CN1816777B

提供了在一个层中蚀刻出特征的方法，在所述层上形成聚合物材料的底层，在底层上形成上部图像层，将所述上部图像层在被图案化的辐射下曝光，在上部图像层中将图案显影，用还原干法蚀刻将图案从上部图像层移至底层，透过底层蚀刻所述层，其中上部图像层被完全去除，在蚀刻所述层时底层被当作图案掩模使用，以将图案从底层移至所述层。

关键词：图像层上部蚀刻图案聚合物材料干法蚀刻图案掩模图案化显影还原辐射曝光

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用于确定时间和频率资源的方法和系统

用于确定时间和频率资源的方法和系统

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作者： N·格雷塞特 L·布鲁内尔佐野裕康铃木和雅日本东京都

为确定将在无线通信网络中用于执行根据初始网格表示借助于无线通信网络的时间和频率资源执行的发送的时间和频率资源，第一装置执行：获得无线通信网络的时间和频率资源的组以形成重绘网格；根据重绘网格表示并根据跳频标准来分配时间... 详细信息

标准号: CN105900370A

为确定将在无线通信网络中用于执行根据初始网格表示借助于无线通信网络的时间和频率资源执行的发送的时间和频率资源，第一装置执行：获得无线通信网络的时间和频率资源的组以形成重绘网格；根据重绘网格表示并根据跳频标准来分配时间和频率资源；以及提供代表根据重绘网格分配的所述时间和频率资源的信令信息。为了确定使用初始网格的哪些时间和频率资源来执行所述发送，第二装置执行：获得信令信息以确定根据重绘网格分配的时间和频率资源；以及对所确定的、根据重绘网格分配的时间和频率资源应用预定的图案掩模。

关键词：频率资源网格无线通信网络网格表示信令信息分配发送第二装置第一装置图案掩模跳频应用

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半导体晶片冷却方法和系统

半导体晶片冷却方法和系统

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作者：李永尧胡政纲彭瑞君刘旭水中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

本公开实施例提供一种半导体晶片冷却方法和系统。冷却控制器从一个或多个传感器接收与晶片相关联的晶片信息。冷却控制器基于晶片信息确定晶片的图案掩模面积。冷却控制器基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间。冷却控制器使冷却板冷却... 详细信息

标准号: CN114815516A

本公开实施例提供一种半导体晶片冷却方法和系统。冷却控制器从一个或多个传感器接收与晶片相关联的晶片信息。冷却控制器基于晶片信息确定晶片的图案掩模面积。冷却控制器基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间。冷却控制器使冷却板冷却晶片的持续时间与冷却时间相等。基于图案掩模面积确定晶片的冷却时间为具有不同掩模及布局性质的晶片提供稳定且一致的晶片温度，此会减少掩模上覆变化并增大晶片良率。

关键词：晶片冷却控制器图案掩模冷却晶片信息面积确定掩模半导体晶片晶片良率冷却晶片冷却板传感器相等关联

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