检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2001年第2期29卷 222-224页

作者：孙伟田小建何炜瑜张大明李德辉衣茂斌集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学长春130023

本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术 .设计研制出的多种微波探针性能参数稳定 ,使用寿命在十万次以上 ,用于在片检测各种GaAs共面集成电路芯片 .触头排列为GSG的微波探针 ,- 3dB带宽及反射损耗分别为 14GHz和小于 - 10... 详细信息

本文描述了使用共面微波探针的半导体芯片在片测试技术 .设计研制出的多种微波探针性能参数稳定 ,使用寿命在十万次以上 ,用于在片检测各种GaAs共面集成电路芯片 .触头排列为GSG的微波探针 ,- 3dB带宽及反射损耗分别为 14GHz和小于 - 10dB .

关键词：微波探针在片测试半导体集成电路

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基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法

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固体电子学研究与进展 2018年第2期38卷 90-94页

作者：刘岳巍杨瑞霞河北工业大学电子信息工程学院天津300130 石家庄铁道大学电气与电子工程学院石家庄050043

研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷... 详细信息

研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。

关键词：霍尔迁移率在片测试碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

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可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法

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Journal of Semiconductors 2005年第8期26卷 1656-1661页

作者：菅洪彦唐珏唐长文何捷闵昊复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌... 详细信息

建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌入结构又大大增加芯片面积的问题,首次提出针对该信号线寄生参量的按比例缩放地屏蔽开路通路测试结构去嵌入解决方案.使用0.35μm两层多晶硅、四层互连线的CMOS工艺电感流片验证了该方法的有效性.

关键词：片上电感按比例缩放开路通路去嵌入在片测试

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GaAs高速动态分频器在片测试研究

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Journal of Semiconductors 1996年第2期17卷 141-144页

作者：孙伟田小建孙建国贾刚衣茂斌马振昌王国全吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区石家庄电子工业部第13研究所

本文研制出多触头微波探针，建立了微波探针在片检测系统．针对ＧａＡｓ高速集成电路──动态分频器电路芯片进行了在片测试和筛选．

关键词：分频器 GaAs 在片测试测试

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MMIC在片测试探头的研究与设计

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微波学报 2001年第4期17卷 80-84页

作者：周凌云王卫东樊德森中国科学技术大学毫米波实验室合肥230027

微波单片集成电路 (MMIC)在片测试技术是应用于 MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。 MMIC在片测试探头是 MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导 (CPW)探头 ,测试并分析了探头性能。该探头在 2～ 18... 详细信息

微波单片集成电路 (MMIC)在片测试技术是应用于 MMIC和高速集成电路研究、生产的新型测试技术。 MMIC在片测试探头是 MMIC在片测试系统的关键部件。本文研究并设计了介质基片共面波导 (CPW)探头 ,测试并分析了探头性能。该探头在 2～ 18GHz范围内插入损耗小于 1.5 d B,回波损耗大于 16 d

关键词：微波单片集成电路在片测试在片测试探头共面波导

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射频功率器件在片测试研究

射频功率器件在片测试研究

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作者：潘涛杭州电子科技大学

学位级别：硕士

射频在片测试是获取射频功率器件参数的重要手段,为了获取精确的射频功率器件参数,要确保射频在片测试系统的稳定性和可靠性。本文主要针对射频在片测试技术的校准方法优化、误差分析和大信号负载牵引测试技术展开了研究。论文的主要内... 详细信息

射频在片测试是获取射频功率器件参数的重要手段,为了获取精确的射频功率器件参数,要确保射频在片测试系统的稳定性和可靠性。本文主要针对射频在片测试技术的校准方法优化、误差分析和大信号负载牵引测试技术展开了研究。论文的主要内容分为以下几个部分:1.针对TRL校准方法在大信号测试下存在测试误差的问题。在经典TRL校准方法的基础上,提出了一种改良的TRL校准方法。对不同负载条件下的直通校准件测试,计算出一组误差项集。测试时,为不同负载条件使用合适的误差项。使用改良TRL校准方法相比经典TRL校准方法的典型直通测试误差减小了62.5%。2.射频探针是射频在片测试的典型测试设备,研究表明不同射频探针会影响测试结果,一般将这种影响称为探针残差。本文提出了一种利用直通与线标准件的一致性分析探针残差的理论方法。经过测试,验证了该方法对不同探针在频率5～30GHz下残差的量化分析有良好的表征性,并讨论了探针残差对小信号测试和大信号负载牵引测试的影响。3.针对现有有源负载牵引在高反射系数区域依赖高功率外部信号源的问题,提出了一种新型有源负载牵引结构。它通过将来自被测件的信号重新定向环流回被测件的方式,有效提升在负载端低输出功率条件下合成高反射系数阻抗的能力。和一般开环有源负载牵引结构对比,新型负载牵引结构在相同限制条件下测得负载端所能合成的最大反射系数幅值提升了47.2%。

关键词：射频在片测试校准方法探针负载牵引

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射频器件在片测试校准方法研究与应用

射频器件在片测试校准方法研究与应用

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作者：郭庭铭杭州电子科技大学

学位级别：硕士

射频在片测试是获取射频器件电学特性参数的重要手段,是精确表征器件特性的基础。因此对校准方法的研究以及校准的误差分析是微波在片测试领域研究的热点。随着信息技术的发展,传统的小信号S参数测试已经不能再满足电路设计的需求,器件... 详细信息

射频在片测试是获取射频器件电学特性参数的重要手段,是精确表征器件特性的基础。因此对校准方法的研究以及校准的误差分析是微波在片测试领域研究的热点。随着信息技术的发展,传统的小信号S参数测试已经不能再满足电路设计的需求,器件在非线性区,也即大信号激励下的参数也需要进行测试,即大信号在片测试。因此本文针对小信号矢量校准与大信号功率校准均展开了研究与讨论。论文的主要内容分为以下几个部分:1.简单的介绍了常见的微波毫米波器件以及在片测量系统的组成,介绍了射频在片测试的测试指标,并总结了微波毫米波器件常见的在片测试项目类型与测试方法。2.对小信号测试的原理进行了详细的介绍,通过对常见的几种矢量网络分析仪的硬件拓扑结构进行了分析,简述了其工作原理,讨论了8项误差模型与12项误差模型,并介绍了每一项误差项的物理意义,并根据信号流图推导出了基于这两种误差模型的校准与误差修正时的数学公式。重点对基于TRM校准方法的小信号矢量校准的误差项计算公式进行了推导,并在此基础之上对TRM校准方法的不确定度传播公式进行了推导。最后提出了一种用于修正在片测试系统漂移误差的快速修正方法。3.在大信号测试部分,介绍了负载牵引测试系统的基本原理、组成结构,介绍了有源负载牵引测试系统和无源负载牵引测试系统的对比,简述了功率器件负载牵引测试的基本原理,推导了器件大信号参数的计算公式。在此基础之上介绍了一种基于外置耦合器的大信号负载牵引测试系统,并围绕该系统讨论了大信号校准的基本原理。对传统大信号校准方法进行了研究,讨论了一种改进型大信号校准方法,并通过实验验证了改进型大信号校准方法的有效性。

关键词：射频在片测试 S参数负载牵引校准方法

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10-40GHz集成电路在片测试平台设计

10-40GHz集成电路在片测试平台设计

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作者：陈金远东南大学

学位级别：硕士

半导体工艺技术的进步促进了集成电路在小型化、低功耗、高输出功率和高集成度等方面的进步,对集成电路的测试技术和要求也不断提高。根据新的测试需求需要设计10-40GHz集成电路在片测试平台以迎合工程化应用,平台采用在片的方式全面测... 详细信息

半导体工艺技术的进步促进了集成电路在小型化、低功耗、高输出功率和高集成度等方面的进步,对集成电路的测试技术和要求也不断提高。根据新的测试需求需要设计10-40GHz集成电路在片测试平台以迎合工程化应用,平台采用在片的方式全面测试芯片的电性能参数,可以保障装配的成品率、完善集成电路的批生产技术,实现产品的生产过程控制。论文首先对10-40GHz IC性能参数进行了分析和归纳,设计了基于半自动探针台和网络分析仪等测试仪器的10-40GHz集成电路在片测试平台,该平台由多功能多参数在片测试子平台和脉冲功率在片测试子平台组成。通过分析相关仪器的测试校准技术,对部分校准方法进行优化,以适用于在片测试工程化应用。在多功能多参数在片测试子平台方面,设计了多功能驱动器,以提供满足集成电路测试所需要的不同驱动信号。在脉冲功率在片测试子平台方面,对直流探针卡偏置电路进行优化设计解决功率放大器在片测试稳定性问题,通过嵌入前置放大器的方法提升脉冲功率在片测试子平台的驱动能力,并且能够快速测试放大器的附加效率,实现功率放大器的快速在片测试。测试平台验证结果表明设计达到指标要求。论文通过部分技术的优化,实现了简易、便捷的校准、测试,同时实现了在片测试的自动化,使得测试平台具备高重复性、稳定性和易操作性,适用于在片测试的工程化应用,可以应用于10-40GHz单片集成电路的电参数测试。

关键词：在片测试脉冲功率放大器多功能自动化

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射频器件在片测试结构与去嵌入方法

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集成电路应用 2019年第8期36卷 46-48页

作者：王全刘林林冯悦怡上海集成电路研发中心有限公司

传统的硅基射频频段器件在片测试结构采用器件加辅助测试的pad结构、连线的组合形式,通过量测待测结构和相应的去嵌结构得到各自s参数,再通过算法将在片测试结构附加在器件的寄生去除,从而得到器件本身的性能参数。研究在高于6GHz的频段... 详细信息

传统的硅基射频频段器件在片测试结构采用器件加辅助测试的pad结构、连线的组合形式,通过量测待测结构和相应的去嵌结构得到各自s参数,再通过算法将在片测试结构附加在器件的寄生去除,从而得到器件本身的性能参数。研究在高于6GHz的频段,应用并比较了开路/短路法、多段线法和四端口法去嵌效果,提出开路/短路法仍是有效实用的去嵌方法,并提出应用开路/短路法在高于6GHz波频段的优化重点在于去嵌结构设计本身。

关键词：在片测试射频去嵌

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微波在片测试数据离散剔除算法研究

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电子与封装 2012年第11期12卷 20-23页

作者：曹敏华康耀辉顾梅陈金远张新焕中国电子科技集团公司第55研究所南京210016

针对微波在片测试项目多、参数复杂、数据处理灵活性大的特点,开发了工艺控制微波数据处理软件,但该软件存在离散数据剔除难的问题。文章讨论了如何对离散数据进行剔除的几种算法:模拟EXCEL表格画图法、一致性剔除离散算法、累积均方差... 详细信息

针对微波在片测试项目多、参数复杂、数据处理灵活性大的特点,开发了工艺控制微波数据处理软件,但该软件存在离散数据剔除难的问题。文章讨论了如何对离散数据进行剔除的几种算法:模拟EXCEL表格画图法、一致性剔除离散算法、累积均方差剔除离散法、拟合正态分布曲线算法,最终选定拟合正态分布曲线算法作为剔除离散方法。将剔除离散数据功能完善到工艺控制微波数据处理软件,将使微波在片测试数据处理最终实现自动化。

关键词：在片测试离散数据剔除算法

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