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文献类型

2 篇 学位论文

馆藏范围

2 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

2 篇 工学
- 2 篇 材料科学与工程（可...
- 2 篇 电子科学与技术（可...

主题

2 篇 超结
2 篇 垂直扩散金属氧化...
1 篇 反激式开关电源
1 篇 雷击浪涌
1 篇 单级反激式驱动系...
1 篇 开关特性
1 篇 辐射emi噪声
1 篇 led

机构

2 篇 东南大学

作者

1 篇 吴其祥
1 篇 孙轶

语言

2 篇 中文

检索条件"主题词=垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管"

共 2 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

LED驱动系统用超结VDMOS雷击浪涌鲁棒性分析及优化

LED驱动系统用超结VDMOS雷击浪涌鲁棒性分析及优化

引用

作者：吴其祥东南大学

学位级别：硕士

超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)具有开关速度快、导通电阻低、击穿电压高等优点,广泛应用于户外及室内LED(Light-Emitting Diode)照明、充... 详细信息

超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)具有开关速度快、导通电阻低、击穿电压高等优点,广泛应用于户外及室内LED(Light-Emitting Diode)照明、充电器及逆变器等设备。然而,超结VDMOS在LED驱动系统中耐瞬时超高压的能力有限,尤其在户外LED照明应用时,器件易受雷击浪涌的冲击而损坏,影响系统可靠性,因此对超结VDMOS雷击浪涌鲁棒性分析及优化具有重要意义。本文对LED驱动系统进行仔细分析,重点关注超结VDMOS在LED驱动系统中的工作状态及原理,并搭建系统级雷击浪涌测试平台与仿真平台。通过雷击浪涌实测发现,在雷击浪涌电压冲击时,超结VDMOS关断状态下雪崩电流路径发生转移是造成器件失效的重要因素,且雷击浪涌冲击失效点位于器件元胞区。通过仿真分析发现,超结VDMOS在雷击浪涌冲击过程中,雪崩电流路径流经寄生三极管区域,且出现沟槽栅极下方电场增大的现象,最终导致器件关断状态下寄生三极管开启以及栅氧化层击穿。本文在机理分析的基础上,提出了四种雷击浪涌鲁棒性改进结构,通过对比分析各项静态特性参数及载流子状态,最终选择带有阶梯掺杂N型漂移区结构的超结VDMOS作为最优抗雷击浪涌冲击的器件,并进行了流片验证。本文所提出的阶梯掺杂N型漂移区超结VDMOS基于50μm深沟槽刻蚀工艺进行流片,由测试结果可知,在带有前级浪涌泄放电路的单级反激LED驱动系统中使用该改进结构,LED系统抗雷击浪涌能力从800V提升到4000V,达到国标所要求的的最高等级。

关键词： LED 单级反激式驱动系统超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管雷击浪涌

来源：评论

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反激式开关电源用600V低EMI噪声高能效超结VDMOS结构设计

反激式开关电源用600V低EMI噪声高能效超结VDMOS结构设计

引用

作者：孙轶东南大学

学位级别：硕士

反激式开关电源由于具有高能效、电路简单化、低成本等优点,已经被广泛应用于移动信息设备的电源充电器中。超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)... 详细信息

反激式开关电源由于具有高能效、电路简单化、低成本等优点,已经被广泛应用于移动信息设备的电源充电器中。超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管(Vertical-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,VDMOS)作为反激式开关电源中的功率开关器件,具有耐压高、导通电阻低、开关速度快等优势,但是其过快的开关速度会在系统中形成强烈的辐射电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)噪声,严重影响系统性能,因此研究超结VDMOS器件辐射EMI噪声机制具有重大意义。本文首先搭建系统级辐射EMI噪声测试平台,实测结果得出零开启电流尖峰变化率越大,辐射EMI噪声越大,然后结合环路辐射噪声、超结VDMOS电流特性理论进行分析推导,得出增大器件栅极平台电压、栅极电容、栅极电阻等电学特性参数可以减小系统辐射EMI噪声,通过搭建器件级辐射EMI噪声仿真平台对现有器件进行零开启电流谐波仿真及近场辐射实测,验证上述结论。进而,提出了一种网格沟槽栅超结VDMOS器件结构,其采用网格栅结构有效增大栅电容,从栅极平台电压、栅电容对辐射EMI噪声、开关特性影响角度进行设计,使得该结构在保证了高能效特点的同时,同一系统条件下可以大大减小辐射EMI噪声。本文所提出并设计的网格沟槽栅超结VDMOS器件基于600V深沟槽刻蚀工艺进行流片,最终器件的流片测试结果显示,在国标标准下,应用有本文所提出超结VDMOS器件的系统标准辐射噪声频谱峰值低至37.81dBμV/m,且器件其余电学特性参数均维持在现有水平范围内,达到设计指标要求,满足反激式开关电源的应用需求。

关键词：反激式开关电源超结垂直扩散金属氧化物半导体型场效应晶体管辐射EMI噪声开关特性

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