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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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247 篇 专利

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247 篇 电子文献
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机构

43 篇 阿聚尔斯佩西太阳...
27 篇 3-5电力电子有限责...
8 篇 中国石油化工股份...
8 篇 中国石油化工股份...
8 篇 东华大学
6 篇 昆山墨佳工业设备...
5 篇 广东欧珀移动通信...
4 篇 苏州迈智诺智能装...
4 篇 苏州晟成光伏设备...
3 篇 昆山倚天智能科技...
3 篇 苏州美尔科自动化...
3 篇 oppo广东移动通信...
3 篇 苏州朗坤自动化设...
2 篇 苏州思榕智能装备...
2 篇 国网江苏省电力有...
2 篇 安徽中科大禹科技...
2 篇 西部金属材料股份...
2 篇 中国人民解放军陆...
2 篇 松下知识产权经营...
2 篇 国网江苏省电力有...

作者

27 篇 v·杜德克
21 篇 d·富尔曼
16 篇 m·莫伊泽尔
8 篇 g·凯勒
8 篇 张世超
8 篇 夏长久
8 篇 林民
8 篇 w·克斯特勒
8 篇 w·古特
8 篇 刘惠
8 篇 r·范莱斯特
8 篇 朱斌
8 篇 丁彬
8 篇 舒兴田
8 篇 彭欣欣
8 篇 俞建勇
6 篇 王海港
6 篇 陈小蓉
6 篇 t·劳尔曼
6 篇 a·贝格

语言

247 篇 中文

检索条件"主题词=堆叠状"

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详细简洁

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堆叠状的III-V族半导体二极管

堆叠状的III-V族半导体二极管

引用

作者： V·杜德克德国德累斯顿

本发明涉及一种堆叠状的III‑V族半导体二极管(10)，其具有：n‑层(14)，所述n‑层具有第一表面(14.1)、与所述第一表面对置的第二表面(14.2)、1012‑1017N/cm3的掺杂物浓度(K2)和50‑1000μm的层厚度(D2)；与所述第一表面(14.1)材料锁合地... 详细信息

标准号: CN110061065A

本发明涉及一种堆叠状的III‑V族半导体二极管(10)，其具有：n^‑层(14)，所述n^‑层具有第一表面(14.1)、与所述第一表面对置的第二表面(14.2)、10¹²‑10¹⁷N/cm³的掺杂物浓度(K2)和50‑1000μm的层厚度(D2)；与所述第一表面(14.1)材料锁合地连接的、具有5·10¹⁸‑5·10²⁰N/cm³的掺杂物浓度(K1)的p⁺层(12)；与所述第二表面(14.2)材料锁合地连接的n⁺层(16)，所述n⁺层具有至少10¹⁹N/cm³的掺杂物浓度(K3)；其中，所述p⁺层(12)、所述n^‑层(14)和所述n⁺层(16)分别单片式地构造并且分别包括GaAs化合物或者由GaAs化合物组成；其中，所述n^‑层(14)的掺杂物浓度(K2)在所述第一表面(14.1)上具有第一值(W1)，并且在所述第二表面(14.2)上具有第二值(W2)，并且，所述掺杂物浓度(K2)的第二值(W2)是所述第一值(W1)的至少1.5倍至2.5倍。

关键词：掺杂物第一表面第二表面材料锁合地连接半导体二极管化合物组成层厚度单片式堆叠状对置

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堆叠状的高截止的III-V族功率半导体二极管

堆叠状的高截止的III-V族功率半导体二极管

引用

作者： V·杜德克德国德累斯顿

一种堆叠状的高截止的III‑V族功率半导体二极管，具有p+或n+衬底层、p‑层、具有10μm‑150μm的层厚度的n‑区域、n+或p+层，其中，所有层包括GaAs化合物，还具有第一金属接通层、第二金属接通层和具有至少一个晶种开口的硬掩模层，其中... 详细信息

标准号: CN111653625B

一种堆叠状的高截止的III‑V族功率半导体二极管，具有p⁺或n⁺衬底层、p^‑层、具有10μm‑150μm的层厚度的n^‑区域、n⁺或p⁺层，其中，所有层包括GaAs化合物，还具有第一金属接通层、第二金属接通层和具有至少一个晶种开口的硬掩模层，其中，所述硬掩模层材料锁合地与所述衬底层或材料锁合地与所述p^‑层连接，n^‑区域在所述晶种开口内延伸，并且延伸到所述硬掩模层的所述上侧的与所述晶种开口邻接的边缘区域的上方，并且n^‑区域在所述晶种开口内与所述p^‑层或所述n⁺层连接，并且在所述硬掩模层的所述上侧的所述边缘区域中材料锁合地与所述硬掩模层连接。

关键词：硬掩模层晶种材料锁合开口边缘区域衬底层接通半导体二极管金属层厚度堆叠状邻接延伸截止

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堆叠状的高截止的III-V族半导体功率二极管

堆叠状的高截止的III-V族半导体功率二极管

引用

作者： D·富尔曼 G·凯勒 C·瓦赫特德国海尔伯隆

根据本发明的第一主题，提供一种堆叠状的高截止的III‑V族半导体功率二极管，其具有：至少以区域的方式构造的第一金属连接接通层；具有第一晶格常数的第一导电类型的高掺杂的半导体接通区域。此外设置第二导电类型的漂移层。此外，构... 详细信息

标准号: CN111863972B

根据本发明的第一主题，提供一种堆叠状的高截止的III‑V族半导体功率二极管，其具有：至少以区域的方式构造的第一金属连接接通层；具有第一晶格常数的第一导电类型的高掺杂的半导体接通区域。此外设置第二导电类型的漂移层。此外，构造第二导电类型的高掺杂的变质缓冲层序列。所述变质缓冲层序列具有上侧和下侧，所述上侧具有第一晶格常数，所述下侧具有第二晶格常数，其中，所述第一晶格常数大于所述第二晶格常数。所述变质缓冲层序列的上侧布置在所述漂移层的方向上。在所述变质缓冲层序的下侧的下方布置有第二金属连接接通层。应注意，所提及的区域和层按照所提及的顺序布置。所述第二金属连接接通层与半导体接通层材料锁合地连接。

关键词：晶格常数接通缓冲层金属连接变质导电类型高掺杂漂移层半导体第一导电类型半导体功率二极管材料锁合方式构造顺序布置地连接堆叠状截止

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堆叠状的单片的多结太阳能电池单元

堆叠状的单片的多结太阳能电池单元

引用

作者： M·莫伊泽尔 A·贝格 W·古特德国海尔伯隆

堆叠状的单片的多结太阳能电池单元，其具有至少四个子电池单元，其中，带隙从第一子电池单元开始在第四子电池单元的方向上变得更大，每个子电池单元具有n掺杂的发射极和p掺杂的基极，其分别具有锗或由锗组成，所有跟随的子电池单元分... 详细信息

标准号: CN114156355B

堆叠状的单片的多结太阳能电池单元，其具有至少四个子电池单元，其中，带隙从第一子电池单元开始在第四子电池单元的方向上变得更大，每个子电池单元具有n掺杂的发射极和p掺杂的基极，其分别具有锗或由锗组成，所有跟随的子电池单元分别具有至少一种元素周期表的第III主族和第V主族的元素，在每两个子电池单元之间分别布置有具有pn结的隧道二极管，在所述第一子电池单元之后跟随的所有子电池单元以彼此晶格匹配的方式构造，在第一子电池单元与第二子电池单元之间布置具有多个掺杂半导体层的半导体镜，半导体层具有交替不同的折射率，其分别n掺杂地构造并且分别具有最多5·10¹⁸cm^‑3的掺杂剂浓度，半导体镜布置在第一子电池单元与第一隧道二极管之间。

关键词：子电池单元隧道二极管电池单元半导体多结太阳能电池掺杂半导体层元素周期表第III主族半导体层方式构造晶格匹配掺杂剂堆叠状发射极镜布置折射率带隙单片主族

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堆叠状的肖特基二极管

堆叠状的肖特基二极管

引用

作者： V·杜德克德国德累斯顿

堆叠状的肖特基二极管，具有带上侧和下侧的堆叠(堆叠包括至少三个半导体层)、与堆叠的下侧材料锁合地连接的第一连接接通层、与堆叠的上侧连接的第二连接接通层，第二连接接通层构造为肖特基接通部并且布置在上侧的部分区域中并且由棱... 详细信息

标准号: CN108074987B

堆叠状的肖特基二极管，具有带上侧和下侧的堆叠(堆叠包括至少三个半导体层)、与堆叠的下侧材料锁合地连接的第一连接接通层、与堆叠的上侧连接的第二连接接通层，第二连接接通层构造为肖特基接通部并且布置在上侧的部分区域中并且由棱边限界，在堆叠的下侧处布置有构造为n⁺层的第一半导体层，第一半导体层包括GaAs化合物，在第一半导体层上布置有构造为n^‑层的第二半导体层，第二半导体层包括GaAs化合物，在第二半导体层上布置有构造为p^‑层的第三半导体层，第三半导体层包括GaAs化合物，堆叠具有多个分别互相间隔开的p⁺区域，p⁺区域构造为与堆叠的上侧平行延伸的肋，p⁺区域从堆叠的上侧延伸到第二半导体层中。

关键词：半导体层堆叠接通肖特基二极管材料锁合互相间隔平行延伸区域构造侧连接地连接堆叠状肖特基棱边限界延伸

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堆叠状的III-V族半导体二极管

堆叠状的III-V族半导体二极管

引用

作者： J·科瓦尔斯基 V·杜德克 R·博贾尼德国德累斯顿

包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置... 详细信息

标准号: CN114914290A

包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·10¹⁵cm^‑3的掺杂剂浓度最大值，所述两个漂移层的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，所述n型掺杂的漂移层的层厚度与所述p型掺杂的漂移层的层厚度的比值在0.5至3之间。

关键词：漂移层层厚度阴极层掺杂剂漂移区阳极层半导体二极管堆叠状

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堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池

堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池

引用

作者： D·富尔曼 R·范莱斯特 M·莫伊泽尔德国海尔伯隆

本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布... 详细信息

标准号: CN111326597B

本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布置在第一子电池和第二子电池之间的变质缓冲部，变质缓冲部包括至少三个层的序列，三个层具有在第二子电池的方向上逐层增大的晶格常数；布置在变质缓冲部和第二子单元之间的第一隧道二极管，第一隧道二极管具有n⁺层和p⁺层，其中，第二带隙大于第一带隙，第一隧道二极管的n⁺层包括InAlP，第一隧道二极管的p⁺层包括含As的III‑V族材料，在n⁺层和p⁺层之间布置有中间层，中间层分别比n⁺层更薄且比p⁺层更薄。

关键词：子电池隧道二极管带隙晶格常数缓冲部变质中间层多结太阳能电池堆叠状增大的子单元单片正置

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堆叠状的肖特基二极管

堆叠状的肖特基二极管

引用

作者： V·杜德克德国德累斯顿

标准号: CN108074987A

关键词：半导体层堆叠接通肖特基二极管材料锁合互相间隔平行延伸区域构造侧连接地连接堆叠状肖特基棱边限界延伸

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堆叠状的III-V半导体构件

堆叠状的III-V半导体构件

引用

作者： V·杜德克德国德累斯顿

本发明涉及一种堆叠状的III‑V半导体构件(10)，其具有：具有上侧、下侧和5·1018‑5·1020N/cm3的掺杂物浓度的p+区域(12)；具有上侧和下侧和1012‑1017N/cm3的掺杂物浓度和10‑300μm的层厚度(D2)的第一n‑层(14)；具有上侧、下侧... 详细信息

标准号: CN110034172A

本发明涉及一种堆叠状的III‑V半导体构件(10)，其具有：具有上侧、下侧和5·10¹⁸‑5·10²⁰N/cm³的掺杂物浓度的p⁺区域(12)；具有上侧和下侧和10¹²‑10¹⁷N/cm³的掺杂物浓度和10‑300μm的层厚度(D2)的第一n^‑层(14)；具有上侧、下侧和至少10¹⁹N/cm³的掺杂物浓度的n⁺区域(16)，其中，所述p⁺区域(12)、所述n^‑层(14)和所述n⁺区域(16)以所提到的顺序彼此相继，分别单片式地构造并且分别包括GaAs化合物或者分别由GaAs化合物组成；所述n⁺区域(16)或所述p⁺区域(12)构造为衬底层，其中，所述n^‑区域(14)包括具有至少10¹⁴N/cm³或者至少10¹⁵N/cm³的浓度的铬。

关键词：掺杂物半导体构件化合物组成层厚度衬底层单片式堆叠状

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堆叠状的高截止的InGaAs半导体功率二极管

堆叠状的高截止的InGaAs半导体功率二极管

引用

作者： D·富尔曼 G·凯勒 C·瓦赫特 V·杜德克德国海尔伯隆

一种堆叠状的高截止的InGaAs半导体功率二极管，具有至少以区域的方式构造的第一金属连接接通层，并且具有第一晶格常数的第一导电类型的高掺杂的半导体接通区域。此外，设置第二导电类型的第一晶格常数的漂移层。此外构造第二导电类型... 详细信息

标准号: CN111863971B

一种堆叠状的高截止的InGaAs半导体功率二极管，具有至少以区域的方式构造的第一金属连接接通层，并且具有第一晶格常数的第一导电类型的高掺杂的半导体接通区域。此外，设置第二导电类型的第一晶格常数的漂移层。此外构造第二导电类型的半导体接通层，所述半导体接通层具有上侧和下侧，并且构造第二金属连接接通层，其中，所提及的区域和层按照所提及的顺序布置，所述第二金属连接接通层与所述半导体接通层所述下侧材料锁合地连接，所述半导体接通层至少在所述下侧上具有第二晶格常数，并且所述第二晶格常数是InP的晶格常数，所述漂移层和所述高掺杂的半导体接通区域分别包括InGaAs化合物，或者由InGaAs组成。

关键词：接通晶格常数半导体金属连接导电类型高掺杂漂移层第一导电类型半导体功率材料锁合方式构造顺序布置二极管地连接堆叠状截止

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