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基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件
基于Al2O3介质的MIS结构GaN增强型器件
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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会
作者： 周建军 陈安定 孔岑 孔月婵 董逊 陆海燕 李忠辉 陈堂胜 南京电子器件研究所 南京 210016 空军驻江苏地区军事代表室 南京210016
基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值电压达到1.7V,饱和电流达到570mA/mm,最大跨导达到170mS/mm.器件的fT和fmax分别达到7GHz和16GHz.
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增强型器件的外延结构及其制备方法
增强型器件的外延结构及其制备方法
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作者： 张海林 孙思明 张建 廖亿鹏 黄旭 刘庆波 黎子兰 221100 江苏省徐州市铜山区徐州高新技术产业开发区珠江东路11号管委会大楼1205室
一种增强型器件的外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该增强型器件的外延结构包括衬底，以及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和外延介质层；外延介质层至少包括位于势垒层上的第一铟镓氮层。该增强型器件的外延结构... 详细信息
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增强型器件和电子设备
增强型器件和电子设备
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作者： 程凯 214192 江苏省无锡市锡山区锡山经济技术开发区芙蓉中路108号
本实用新型提供了一种增强型器件和电子设备，涉及半导体器件技术领域。该增强型器件上表面为碳面的碳化硅衬底；设置在碳化硅衬底上势垒层，势垒层包括生长在碳化硅衬底上的氮面极性AlN势垒层；设置在势垒层上的氮面极性GaN沟道层；设... 详细信息
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一种基于增强型器件的自终止刻蚀方法及器件
一种基于增强型器件的自终止刻蚀方法及器件
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作者： 邱慧嫣 陈兴 王东 吴勇 黄永 陈瑶 林长志 李彦佐 谢雨峰 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
本发明公开了一种基于增强型器件的自终止刻蚀方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括自下而上依次排布的衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、MgO层以及p‑GaN层，分布于两端的漏... 详细信息
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基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法
基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法
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作者： 黄森 施雯 王鑫华 魏珂 刘新宇 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
一种基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法，该探测器为气体探测器或溶液探测器，当所述探测器用于电解质溶液的检测时，电解质溶液位于栅极开口区域直接与薄势垒层接触，形成一接触界面，电解质溶液影响该接触界面的界面电荷，... 详细信息
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一种氮化镓增强型器件的制造方法
一种氮化镓增强型器件的制造方法
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作者： 王祥骏 彭立仪 邱昭玮 邱显钦 敖金平 315000 浙江省宁波市北仑区大碶街道微山湖路16号
本发明提供了一种氮化镓增强型器件的制造方法，其采用干刻蚀和湿刻蚀结合的复合式刻蚀技术，对AlGaN/GaN屏蔽层表面的破坏性较低，且能够在刻蚀接近AlGaN/GaN屏蔽层时精准停止。该方法原理是在p‑GaN层下方设置AlN刻蚀停止层，然后配合... 详细信息
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一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法
一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法
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作者： 黄明乐 鲁怀贤 周世刚 230000 安徽省合肥市高新区创新产业园一期B2-709室
本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种低反向导通损耗的增强型器件的制备方法，通过在第一增强型器件结构表面形成第二增强型器件结构；并将所述第一增强型器件结构的第一源极、第一漏极和所述第二增强型器件结构的第二源极、第二... 详细信息
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p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法
p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法
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作者： 程凯 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在保护层(32)的保护下对p型... 详细信息
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p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法
p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法
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作者： 程凯 215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
一种p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法，涉及于微电子技术领域。该p型半导体的制造方法包括以下步骤：制备p型半导体(31)；在p型半导体(31)上制备保护层(32)，其中保护层(32)为AlN或AlGaN；以及在保护层(32)的保护下对p型... 详细信息
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基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化高频高阈值GaN基增强型器件的制备方法
基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化高频高阈值GaN基增强型器件的制备...
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作者： 马晓华 侯斌 季子路 朱青 陈丽香 杨凌 郝跃 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
本发明公开了一种基于ICP‑F离子刻蚀注入一体化的高频高阈值增强型器件的制备方法，主要解决现有工艺不能使用F基等离子体刻蚀AlGaN势垒层的问题。其制作过程包括：在衬底上自下而上依次生长GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽... 详细信息
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