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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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188 篇 专利
12 篇 学位论文
9 篇 期刊文献
2 篇 会议

馆藏范围

211 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

22 篇 工学
- 22 篇 电子科学与技术（可...
- 18 篇 材料科学与工程（可...
- 2 篇 化学工程与技术
- 1 篇 机械工程
- 1 篇 光学工程
- 1 篇 仪器科学与技术
1 篇 理学
- 1 篇 物理学

主题

23 篇 增强型器件
4 篇 氢终端金刚石
3 篇 高电子迁移率晶体...
2 篇 耗尽型器件
2 篇 逻辑电路
2 篇 场效应晶体管
2 篇 生物传感器
2 篇 algan/gan
2 篇 功率增益
2 篇 阈值电压
2 篇 氮化镓
2 篇 gan
1 篇 硅基gan
1 篇 凹槽栅hemt
1 篇 绝缘栅hemt器件
1 篇 超低功耗cmos反相...
1 篇 互补金属-氧化物-...
1 篇 离子注入
1 篇 漏致势垒降低效应
1 篇 常开gan功率开关器...

机构

48 篇 西安电子科技大学
17 篇 电子科技大学
12 篇 华南理工大学
11 篇 苏州晶湛半导体有...
11 篇 北京大学
6 篇 苏州英嘉通半导体...
5 篇 合肥仙湖半导体科...
5 篇 中国科学院微电子...
4 篇 西交利物浦大学
4 篇 宁波铼微半导体有...
4 篇 无锡华润上华科技...
4 篇 中国科学院上海微...
3 篇 杭州士兰微电子股...
3 篇 中国电子科技集团...
2 篇 长安大学
2 篇 金陵科技学院
2 篇 西安交通大学
2 篇 湖北九峰山实验室
2 篇 安世有限公司
2 篇 南京电子器件研究...

作者

36 篇 郝跃
26 篇 马晓华
13 篇 张进成
12 篇 程凯
11 篇 郑雪峰
9 篇 何云龙
8 篇 李国强
8 篇 祝杰杰
8 篇 王冲
7 篇 赵胜雷
7 篇 陈丽香
7 篇 王茂俊
6 篇 敖金平
6 篇 杨凌
5 篇 姚书南
5 篇 刘新宇
5 篇 黄明乐
5 篇 万利军
5 篇 黄森
5 篇 阙显沣

语言

211 篇 中文

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氢终端金刚石MoO3介质场效应晶体管特性研究

氢终端金刚石MoO3介质场效应晶体管特性研究

引用

作者：梁振芳西安电子科技大学

学位级别：硕士

金刚石材料作为超宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、载流子迁移率高、击穿场强高、热导率高等突出特性,在制备高温、高频、大功率电力电子器件方面具有巨大应用潜力。由于金刚石材料掺杂极为困难,目前金刚石基电子器件主要... 详细信息

金刚石材料作为超宽禁带半导体材料的典型代表,具有禁带宽度大、载流子迁移率高、击穿场强高、热导率高等突出特性,在制备高温、高频、大功率电力电子器件方面具有巨大应用潜力。由于金刚石材料掺杂极为困难,目前金刚石基电子器件主要依靠氢终端金刚石表面的二维空穴气（2DHG）实现导电。已有研究表明,在氢终端金刚石表面淀积的高功函数介质MoO3具有转移掺杂作用,电子从金刚石价带顶转移至MoO3中使得金刚石表面2DHG浓度高达1013-1014cm-2,且在高温下具备较好的稳定性;然而以热蒸发淀积的MoO3作为栅介质的MOSFET不耐高压,导致氢终端MoO3介质器件的发展相对较缓,目前器件性能还有很大的提升空间。基于上述研究背景,本文创新地提出采用转移掺杂MoO3介质技术制备高性能金刚石器件,取得的具体研究成果如下: 1、开展了氢终端金刚石表面工艺优化和欧姆接触的研究。发现将氢终端处理时长控制在15-30 min内,金刚石表面具备较低的方块电阻、较好的表面平整度和较高的载流子浓度;得到方块电阻为4.4 kΩ/□,欧姆接触电阻率为2.78×10-4Ω·cm2,说明欧姆接触特性较好,满足制备高性能氢终端场效应晶体管的需求。 2、基于转移掺杂MoO3介质钝化层制备增强型氢终端金刚石MESFET器件。制备栅窗口后低温退火1 h以降低沟道中的空穴浓度从而实现增强型器件。室温下,栅长2μm器件的阈值电压为-0.38 V,开关比为10～8。通过分析MoO3介质在不同温度下退火后的XPS测试结果发现,150℃退火后的MoO3特性最好,O/Mo元素比最接近理想状态的3:1,适用于氢终端金刚石MESFET器件制备。 3、对增强型MESFET器件进行了变温特性研究。当温度升高至150℃时,栅长2μm器件的饱和源漏电流增加至-54 m A/mm,跨导增加至26 m S/mm,导通电阻有明显降低。分析认为当温度升高时,MoO3在保护器件表面的同时,其转移掺杂作用增强、氢终端表面的2DHG浓度增大,器件在高温下仍可稳定工作并保持室温的特性不退化,因此MoO3钝化层有效地改善了器件的电学特性。 4、以热蒸发生长的MoO3和ICP-CVD生长的Si3N4作为栅介质层,实现了MoO3/Si3N4双栅介质p沟氢终端金刚石MOSFET器件。室温下栅长4μm器件的饱和输出电流达到-118.67 m A/mm,跨导达到35 m S/mm,导通电阻低至36.15Ω·mm,阈值电压为1.28 V,击穿电压为-104 V,栅氧化层电容Cox为0.18μF/cm2,氧化层中固定电荷密度约为3.38×1011 cm-2,器件的工作电压和栅耐压能力明显提高。本文创新性地以MoO3作为钝化层制备了增强型氢终端金刚石MESFET器件,结果表明MoO3可以有效地提高器件电学特性和温度稳定性,使器件稳定工作温度高达150℃;同时以MoO3/Si3N4作为栅介质制备了氢终端金刚石MOSFET,与单层MoO3作为栅介质的MOSFET相比,Si3N4对起转移掺杂作用的MoO3有良好的保护作用,使本器件具备更高的工作电压、更强的栅控能力以及更优的稳定性。综合以上实验,采用MoO3制备氢终端金刚石场效应晶体管可以大幅提高器件电学性能及工作稳定性,进一步推动金刚石器件的发展。

关键词：氢终端金刚石 MoO3 增强型器件高温稳定性 Si3N4

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硅基无金增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺研究

硅基无金增强型氮化镓高电子迁移率晶体管的工艺研究

引用

作者：林新鹏哈尔滨工业大学

学位级别：硕士

氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较硅功率器件有更好的能源利用效率,随着世界上的能源资源日趋减少和减少温室气体排放,更加高效的电力转换... 详细信息

氮化镓材料以其宽禁带、高击穿、高电子迁移率和高电子气密度逐渐步入功率器件的舞台。这些优良的材料特性,使得氮化镓功率器件较硅功率器件有更好的能源利用效率,随着世界上的能源资源日趋减少和减少温室气体排放,更加高效的电力转换装置逐渐成为热点研究方向。配备氮化镓功率器件的系统装置不仅可以提高电力转换的效率还能满足个人移动终端所需求的便携要求,并且可以小型化家庭电器从而获得更加宽阔的空间。本文在此背景下进行研究,制作氮化镓功率器件。为了制作出氮化镓器件首先进行了器件源漏两极的欧姆接触研究,分别研究了有金和无金欧姆接触。无金膜层Ti/Al/W（20/100/30 nm）膜层在800°C退火条件下实现了最低0.65??mm的接触值。研究了等离子刻蚀,对比了ICP和RF功率、刻蚀气体Cl2的比例和不同腔体压力对刻蚀表面粗糙度的影响,并给出了接触电阻与刻蚀时间的关系,为无金欧姆接触的势垒层刻蚀做出了参考。接着介绍了两种栅极介电材料的淀积方法,由于使用后栅工艺高温LPCVD生长的SiNX将破坏欧姆接触,因此实验采用ALD在300°C淀积Al2O3作为栅极介电层材料,选用Ni/TiN作为栅极金属。通过凹栅工艺实现了阈值电压为1.2 V的增强型器件,但是凹栅工艺对沟道电子气的损伤过大,导致饱和漏极电流值降为5.2 mA左右。最后研究了与合作商共同开发的器件的可靠性,包括低温栅极脉冲应力和经时击穿测量。低温栅极脉冲测试揭示了栅极应力下的阈值电压变化的异常行为,表现为先减小后增大,提出了相应的模型并得到验证。通过经时击穿测试讨论了栅介质面积和多指对SiNX特性的影响。

关键词：氮化镓功率器件欧姆接触增强型器件经时击穿

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金刚石场效应晶体管及反相器特性研究

金刚石场效应晶体管及反相器特性研究

引用

作者：邢雨菲西安电子科技大学

学位级别：硕士

金刚石作为新一代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高,热导率高,载流子迁移率高等一系列的优点,因而被业界称为终极半导体材料,在高温、高频、高功率电子器件方面具有巨大的应用潜力。氢终端表面p型电导为金刚石场效应管提供... 详细信息

金刚石作为新一代宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高,热导率高,载流子迁移率高等一系列的优点,因而被业界称为终极半导体材料,在高温、高频、高功率电子器件方面具有巨大的应用潜力。氢终端表面p型电导为金刚石场效应管提供了工艺简单、成本低廉的导电沟道,奠定了金刚石场效应晶体管发展的基础。近年来,随着金刚石场效应晶体管的迅速发展,输出电流、击穿电压、输出功率密度、截止频率等性能指标不断突破。同时,基于氢终端金刚石器件的逻辑电路也出现了研究报道。然而,目前氢终端金刚石场效应晶体管还存在着表面空穴迁移率低,稳定性差等问题,金刚石基逻辑电路的研究仍处于初级发展阶段。基于以上研究背景,本文开展了电阻负载氢终端金刚石反相器以及与传统硅器件键合形成共源共栅结构反相器的研究,期望在实现高性能氢终端金刚石场效应晶体管的同时,切实推进金刚石基逻辑电路的应用。主要工作及成果如下: 1.采用原子层沉积技术在单晶金刚石上生长氧化铝介质,制备出耗尽型氢终端金刚石MOSFET器件,并通过与负载电阻互连,成功制备了耗尽型金刚石反相器。4μm栅长、15nm氧化铝介质厚度的氢终端金刚石器件最大饱和漏电流为113.4 m A/mm,最小导通电阻为83.68Ω·mm,器件开关比高达10～9。该输出电流密度为目前已报道的未对氢终端表面进行NO2吸附的栅长4μm以上氧化铝介质器件中最大值。在三种负载电阻条件下均成功测得金刚石反相器的电压传输特性。反相器的最大增益为10。 2.基于低温下电子束蒸发沉积的Ba F2栅介质制备的增强型MISFET器件,通过与负载电阻互连,成功制备了增强型金刚石反相器。4μm栅长的氢终端金刚石器件最大饱和漏电流达到了113.3 m A/mm,最小导通电阻为37.1Ω·mm,最大跨导值达到了35 m S/mm。该导通电阻值与已报道的零栅源间距金刚石增强型场效应晶体管相当。当负载电阻从22.5 kΩ变化到115.6 kΩ时,反相器增益不断增大,最大增益为13.61。计算得到三种负载电阻下噪声容限,当负载电阻为115.6 kΩ时,反相器的高噪声容限达到4.2 V。金刚石反相器的动态特性显示氢终端单晶金刚石反相器的上升时间（tr）为100.52 ms,下降时间（t_f）为2.41 ms。 3.成功制备出共源共栅结构（cascode）金刚石增强型器件及反相器,并对其相关特性做出分析。与硅器件键合后得到的增强型器件阈值电压为-0.8 V,最大饱和漏电流为34.2 m A/mm,最小导通电阻为18.74Ω·mm,最大跨导值达到344.6 m S/mm。共源共栅结构金刚石反相器增益达到24.8,高噪声容限（NMH）为3.658 V,低噪声容限（NML）为0.797 V,信号摆幅VSW=4.995 V,近乎达到全摆幅。器件动态特性显示金刚石反相器的上升时间、下降时间以及传输延迟时间分别为35.4μs、0.97μs和17.808μs。这也是国内首次对金刚石cascode结构的报道。

关键词：氢终端金刚石场效应晶体管反相器逻辑电路增强型器件

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半桥结构电路及半导体器件

半桥结构电路及半导体器件

引用

作者：施雯唐高飞李茂林董志文 310023 浙江省杭州市西湖区留下街道西溪路698号15号楼101-3室

本专利涉及半导体器件技术领域，公开了两种半桥结构电路及半导体器件，所述半桥结构电路包括上桥第一增强型器件、下桥第二增强型器件、第三电子器件、第四电子器件，所述第四电子器件是可选项。本发明控制衬底电位随半桥结构器件工作... 详细信息

标准号: CN118315360A

本专利涉及半导体器件技术领域，公开了两种半桥结构电路及半导体器件，所述半桥结构电路包括上桥第一增强型器件、下桥第二增强型器件、第三电子器件、第四电子器件，所述第四电子器件是可选项。本发明控制衬底电位随半桥结构器件工作状态切换，避免导通器件沟道的二维电子气2DEG被相对负压的衬底耗尽的同时，使得半桥的上桥第一增强型器件与下桥第二增强型器件能够集成在同一芯片上，大大减小芯片面积，提升工作性能，降低制造成本。

关键词：增强型器件半桥结构电子器件上桥下桥电路半导体器件技术芯片器件工作状态半导体器件二维电子气衬底电位导通器件工作性能制造成本可选项半桥衬底负压沟道减小耗尽

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一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件

一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件

引用

作者：郑崇芝信亚杰段力冬王方洲孙瑞泽张波 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种抑制短沟道效应的p‑GaN HEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的位于AlGaN势垒层上方的p‑GaN层不仅包括厚度较大的、使器件实现增强型器件功能的p‑GaN层，还包... 详细信息

标准号: CN113675269A

本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种抑制短沟道效应的p‑GaN HEMT器件。与常规的p‑GN HEMT器件不同的是，本发明的位于AlGaN势垒层上方的p‑GaN层不仅包括厚度较大的、使器件实现增强型器件功能的p‑GaN层，还包括厚度较小的经过凹槽刻蚀的p‑GaN。当器件漏极的电压较高时，凹槽刻蚀的p‑GaN层下方的2DEG耗尽，能够承受漏极电压，从而使厚度较大的p‑GaN层一侧的电位钳位，从而降低短沟道效应。本发明的器件能降低处在高漏偏压时阈值电压的减小量，同时能够提升击穿电压。另外，本发明工艺与传统p‑GaN HEMT器件制备工艺完全兼容。

关键词：短沟道效应刻蚀集成电路技术半导体器件增强型器件击穿电压漏极电压制备工艺阈值电压常规的电位钳减小量漏极耗尽兼容

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基于GaN的MIS-HEMT器件的制备方法和比较器电路

基于GaN的MIS-HEMT器件的制备方法和比较器电路

引用

作者：李昂刘雯赵策洲 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号

本申请涉及一种基于GaN的MIS‑HEMT器件的制备方法和比较器电路，属于微电子技术领域，该方法包括：对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀；对刻蚀后的栅槽进行清洗；确定清洗后的栅槽的深度是否与期望阈值电压匹配；在清洗后的... 详细信息

标准号: CN113223950A

本申请涉及一种基于GaN的MIS‑HEMT器件的制备方法和比较器电路，属于微电子技术领域，该方法包括：对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀；对刻蚀后的栅槽进行清洗；确定清洗后的栅槽的深度是否与期望阈值电压匹配；在清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压不匹配的情况下，再次对基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的栅槽进行刻蚀，直至清洗后的栅槽的深度与期望阈值电压匹配时停止；可以解决基于GaN的耗尽型MIS‑HEMT器件的阈值电压过负问题；可以通过多次刻蚀增大阈值电压，使得耗尽型器件和增强型器件的阈值匹配，同时不影响器件稳定性；同时提高刻蚀精度，刻蚀过程的可控性高，材料损伤较小。

关键词：栅槽阈值电压刻蚀匹配清洗耗尽型期望微电子技术领域比较器电路耗尽型器件增强型器件材料损伤刻蚀过程影响器件可控性制备申请

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一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃ Cascode功率器件

一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub> ...

引用

作者：赵胜雷舒磊张进成刘爽李同德苏杰王亮赵元富郝跃 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga2O3Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型... 详细信息

标准号: CN114582861A

本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃Cascode功率器件，低压增强型GaN HEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga₂O₃FET的源极Source1相连通，低压增强型GaN HEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga₂O₃FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaN HEMT和高压耗尽型Ga₂O₃FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga₂O₃级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。

关键词：低压增强型耗尽型单粒子效应功率器件印刷源极抗辐照能力外延片结构增强型器件单片集成辐照环境航天系统提升器件阈值电压单粒子复杂度级联漏极连通烧毁宇航应用

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一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路

一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路

引用

作者：魏进杨俊杰 100871 北京市海淀区颐和园路5号

本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HEMT增强型器件结构基础上，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。当栅极和源极加正偏压时，会在背部阻挡层上表面形成一层空穴扩展层，该空穴扩... 详细信息

标准号: CN117790534A

本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HEMT增强型器件结构基础上，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。当栅极和源极加正偏压时，会在背部阻挡层上表面形成一层空穴扩展层，该空穴扩展层可以屏蔽缓冲层中的负电中心，还可以屏蔽衬底电压对二维电子气的调制作用，从而能有效地抑制电流崩塌效应和衬底效应，从而实现高动态稳定性、低动态导通电阻的GaN器件。基于该GaN器件的桥式集成电路可以有效地降低器件互连时的寄生效应，提高GaN电路的工作频率和工作效率，且集成平台中的衬底效应可以被导电的空穴扩展层抑制。

关键词：空穴扩展层桥式集成电路缓冲层有效地阻挡层屏蔽衬底电流崩塌效应二维电子气增强型器件衬底电压导通电阻负电中心高稳定性工作频率工作效率集成平台寄生效应降低器件结构基础传统的高动态沟道层上表面正偏压互连导电源极调制电路

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一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

引用

作者：程诗康顾炎张森 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，在集成有增强型器件和耗尽型器件的半导体器件的制造过程中形成位于外延层上的介质岛和位于外延层中的沟槽。在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注... 详细信息

标准号: CN109980009A

本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件，在集成有增强型器件和耗尽型器件的半导体器件的制造过程中形成位于外延层上的介质岛和位于外延层中的沟槽。在耗尽型器件形成沟道的过程中，由于介质岛的存在阻挡了沟道离子的注入，介质岛下方的离子浓度低，使得器件在开态下的击穿可靠性大大提高；同时，由于介质岛的存在，使得栅介电层的厚度增加，降低了栅极电容，减小器件的开关损耗。在外延层中设置沟槽作为增强型器件和耗尽型器件的隔离结构，一方面提升了增强型器件与耗尽型器件之间的隔离特性，另一方面减少了隔离结构占据的芯片面积。

关键词：耗尽型器件增强型器件外延层半导体器件隔离结构集成半导体器件隔离特性沟道离子厚度增加开关损耗栅极电容栅介电层制造过程沟道击穿减小开态离子芯片阻挡占据制造

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一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

一种半导体器件的制造方法和集成半导体器件

引用

作者：程诗康顾炎张森 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

标准号: CN109980009B

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