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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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13 篇 专利
1 篇 会议

馆藏范围

14 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 材料科学与工程（可...
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 外延生长速率
1 篇 碳硅比
1 篇 掺杂浓度
1 篇 4h-sic衬底
1 篇 化学气相沉积法

机构

3 篇 国家电网公司
3 篇 国网智能电网研究...
2 篇 上海华虹宏力半导...
2 篇 上海华虹nec电子有...
2 篇 合肥彩虹蓝光科技...
2 篇 富士电机株式会社
1 篇 中国科学院半导体...
1 篇 单片集成电路和模...
1 篇 精工爱普生株式会...

作者

3 篇 于坤山
3 篇 钮应喜
3 篇 刘继全
3 篇 杨霏
2 篇 林志远
2 篇 蔡正文
2 篇 沈秉非
2 篇 大井明彦
2 篇 刘勇志
2 篇 高杏
1 篇 刘斌
1 篇 王雷
1 篇 宫泽弘
1 篇 孙国胜
1 篇 闫果果
1 篇 陈辰
1 篇 王辉
1 篇 董逊
1 篇 李赞
1 篇 刘兴昉

语言

14 篇 中文

检索条件"主题词=外延生长速率"

共 14 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种碳化硅外延生长装置

一种碳化硅外延生长装置

引用

作者：钮应喜杨霏于坤山 100031 北京市西城区西长安街86号

本发明提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，石墨支撑层内壁镀有镀层，并排设置的补气管为与圆柱... 详细信息

标准号: CN103556219B

本发明提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，石墨支撑层内壁镀有镀层，并排设置的补气管为与圆柱形轴向平行通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层的L型补气管，补气管内壁镀有镀层。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，外延生长速率快，质量优良，容易安装和操作，适合工业化生产。

关键词：石墨补气管支撑层反应腔碳化硅镀层内壁软毡下方碳化硅外延层外延生长速率外延生长装置厚度均匀性并排设置补偿作用出气装置垂直通过加热线圈进气装置快速制备浓度分布气相成核容易安装生长速率生长装置依次设置圆柱形轴制造成本外延片超厚石英围成一种平行均匀设有抑制操作制作改进一致

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在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法

在半导体基底上同时生长单晶和多晶的方法

引用

作者：刘继全高杏 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多... 详细信息

标准号: CN103456608B

本发明公开了一种在硅基底上同时生长单晶硅和多晶硅的方法，包括步骤：在硅基底上依次生长二氧化硅掩蔽层和多晶硅籽晶层；采用光刻刻蚀工艺在硅基底上刻蚀出单晶硅生长区域；采用外延生长工艺在单晶硅生长区域内生长单晶硅、同时在多晶硅生长区域内生长多晶硅。本发明的外延生长工艺中，通过使生长温度设置在较低值，能降低多晶硅的表面的粗糙度；以及通过调整外延生长工艺中的压强，能使多晶硅和单晶硅的外延生长速率相同，从而能使外延生长后硅基底表面平整，提高硅基底的表面平整度。

关键词：硅基底外延生长多晶硅单晶硅单晶硅生长内生长二氧化硅掩蔽层多晶硅籽晶层外延生长速率压强表面平整度多晶硅生长表面平整光刻刻蚀生长温度同时生长粗糙度较低值刻蚀一种生长设置相同公开调整

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制造超结半导体器件的方法

制造超结半导体器件的方法

引用

作者：大井明彦日本神奈川县

本发明涉及一种制造超结半导体器件的方法。作为在第二和之后的无掺杂外延层的表面中的对准标记(20)的形成的替代，在进行用于对第二和之后的无掺杂外延层的选择性离子注入的抗蚀剂图案化的同时，进行用于形成新对准标记(21)的图案化，... 详细信息

标准号: CN102280383B

本发明涉及一种制造超结半导体器件的方法。作为在第二和之后的无掺杂外延层的表面中的对准标记(20)的形成的替代，在进行用于对第二和之后的无掺杂外延层的选择性离子注入的抗蚀剂图案化的同时，进行用于形成新对准标记(21)的图案化，以在与形成初始对准标记(20)的位置不同的位置形成新对准标记(21)，并在每一个或每多个重复外延层生长循环中形成新对准标记(21)。根据本发明的制造超结半导体器件的方法其有助于增加外延生长速率而无需大幅增加制造步骤。

关键词：对准标记超结半导体器件无掺杂外延层选择性离子注入初始对准标记外延生长速率抗蚀剂图案外延层生长位置不同制造步骤图案化一种制造替代重复进行涉及

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一种LED芯片及其制备方法

一种LED芯片及其制备方法

引用

作者：林志远蔡正文刘勇志沈秉非 230011 安徽省合肥市新站区工业园内

本发明提供一种LED芯片及其制备方法，提供一半导体衬底，依次在半导体衬底表面上外延生长布拉格反射层、发光外延结构、窗口缓冲层、窗口层，而后在窗口层上表面依次制作透明导电层和第一电极，并在半导体衬底的背面制作第二电极。与... 详细信息

标准号: CN102931305B

本发明提供一种LED芯片及其制备方法，提供一半导体衬底，依次在半导体衬底表面上外延生长布拉格反射层、发光外延结构、窗口缓冲层、窗口层，而后在窗口层上表面依次制作透明导电层和第一电极，并在半导体衬底的背面制作第二电极。与现有的在发光外延结构上使用单一窗口层的LED芯片而言，本发明增加一材料相同但厚度小于窗口层的窗口缓冲层，其中，该窗口缓冲层的外延生长温度及外延生长速率均小于窗口层，由于在低温低速的环境下外延生长，因此该窗口缓冲层的质量缺陷小于窗口层的质量缺陷，从而保证后续生长的窗口层质量缺陷降低，实现利用窗口层提升电流均匀扩散的同时减少窗口层的吸光的目的，从而进一步提高LED芯片的外部量子效率。

关键词：窗口层缓冲层质量缺陷小于半导体衬底外延结构外延生长电极发光半导体衬底表面外部量子效率外延生长速率外延生长温度透明导电层均匀扩散制备方法反射层上表面电流背面生长

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厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法

厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法

引用

作者：王辉 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法，步骤包括：1)硅衬底表面沉积介质膜，刻蚀光刻对准标记；介质膜与硅衬底刻蚀比在5:1以上，介质膜与硅衬底外延生长速率比值在1:200以下；2)刻蚀掉光刻对准标记区域以外的介质膜，... 详细信息

标准号: CN105047647A

本发明公开了一种厚外延工艺中光刻对准标记的制作方法，步骤包括：1)硅衬底表面沉积介质膜，刻蚀光刻对准标记；介质膜与硅衬底刻蚀比在5:1以上，介质膜与硅衬底外延生长速率比值在1:200以下；2)刻蚀掉光刻对准标记区域以外的介质膜，并在光刻对准标记周边的硅衬底上刻蚀出沟槽，形成带有光刻对准标记的台阶；3)硅衬底上刻蚀沟槽，选择性外延填充，在沟槽内填入第一外延；4)选择性外延生长，在硅衬底上形成厚20～40μm的第二外延。本发明通过在厚外延层工艺之前，制作一个带有光刻对准标记的台阶，并利用选择性外延使厚外延工艺之后，光刻对准标记无外延材料覆盖，如此消除了厚外延工艺对光刻标记的影响，提高了后续层次对准的精度。

关键词：光刻对准标记硅衬底外延工艺介质膜刻蚀选择性外延选择性外延生长外延生长速率硅衬底表面材料覆盖沉积介质对准标记厚外延层刻蚀沟槽刻蚀比无外延对光填入一种中光填充对准后续制作消除公开影响

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一种碳化硅外延生长装置

一种碳化硅外延生长装置

引用

作者：钮应喜杨霏于坤山 100031 北京市西城区西长安街86号

本实用新型提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，并排设置的L型补气管平行于圆柱形的轴向通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层且正对石墨支撑层中部，补气... 详细信息

标准号: CN203559154U

本实用新型提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，并排设置的L型补气管平行于圆柱形的轴向通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层且正对石墨支撑层中部，补气管进气端装有气体流量计。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，容易安装和操作，外延生长速率快，质量优良，适合工业化生产。

关键词：石墨碳化硅外延支撑层补气生长装置软毡外延生长速率厚度均匀性气体流量计补偿作用加热线圈快速制备浓度分布气相成核容易安装生长速率反应腔进气端石英轴向平行工业化中部

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一种碳化硅外延生长装置

一种碳化硅外延生长装置

引用

作者：钮应喜杨霏于坤山 100031 北京市西城区西长安街86号

标准号: CN103556219A

关键词：石墨补气碳化硅外延支撑层生长装置反应腔镀层镀有内壁软毡外延生长速率厚度均匀性补偿作用出气装置加热线圈进气装置快速制备浓度分布气相成核容易安装生长速率圆柱形轴石英平行工业化

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4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法

4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法

引用

作者：刘斌孙国胜刘兴昉董林郑柳闫果果刘胜北张峰赵万顺王雷曾一平 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；... 详细信息

标准号: CN103820768A

本发明公开了一种4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法，首先对4H-SiC衬底进行清洗并放入垂直热壁低压CVD设备的生长室；反应室抽真空；设置反应室压强，并向反应室通氢气流；加热反应室至刻蚀温度，对衬底进行原位刻蚀；调节氢气流并升高反应室温度，反应室温度达到预生长温度时，通入生长源气体进行预生长，温度达到生长温度后，调节生长源气体流量进行外延生长；生长结束后，关闭生长源气体，并停止加热，在氢气流中冷却；对反应室抽真空后，继续在氩气流中冷却至室温，然后将生长室充入氩气至大气压强。本发明提高了外延生长速率，实现了4H-SiC高速同质外延生长，在较短生长时间内，获得了很厚的高质量4H-SiC外延层。

关键词：外延生长氢气生长反应室衬底反应室抽真空生长温度生长室外延层同质冷却外延生长速率反应室压强氩气加热反应刻蚀温度气体流量生长时间原位刻蚀氩气流停止

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形成超级结MOSFET的PN柱层的方法

形成超级结MOSFET的PN柱层的方法

引用

作者：刘继全 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

本发明公开了一种形成超级结MOSFET的PN柱层的方法，采用湿法刻蚀和干法刻蚀结合的工艺，即在掺杂硅外延层上形成硬掩模后，用介质膜刻蚀把硬掩模窗口打开，然后用湿法刻蚀在窗口处刻蚀出第一沟槽，再用干法各向异性刻蚀方法刻蚀出第二... 详细信息

标准号: CN102856200A

本发明公开了一种形成超级结MOSFET的PN柱层的方法，采用湿法刻蚀和干法刻蚀结合的工艺，即在掺杂硅外延层上形成硬掩模后，用介质膜刻蚀把硬掩模窗口打开，然后用湿法刻蚀在窗口处刻蚀出第一沟槽，再用干法各向异性刻蚀方法刻蚀出第二沟槽；由于湿法刻蚀的特殊形貌——碗口状，所以最终形成的深沟槽顶部形貌为碗口状，所以在用与所述掺杂硅外延层有相反掺杂的硅外延填充由所述第一沟槽及第二沟槽共同组成的深沟槽时，不会由于沟槽顶部和沟槽底部硅外延生长速率的差异而发生过早封口的问题，避免了硅外延填充后在沟槽内部产生较大的空洞和其他外延缺陷。

关键词：湿法刻蚀刻蚀掺杂硅外延层硬掩模填充顶部封口形貌各向异性刻蚀外延生长速率干法刻蚀特殊形貌外延缺陷介质膜干法底部空洞内部

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一种LED芯片及其制备方法

一种LED芯片及其制备方法

引用

作者：林志远蔡正文刘勇志沈秉非 230011 安徽省合肥市新站区工业园内

标准号: CN102931305A

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