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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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121 篇 专利

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121 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

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机构

13 篇 上海华虹宏力半导...
8 篇 厦门乾照光电股份...
6 篇 西安电子科技大学
5 篇 深圳市晶特智造科...
3 篇 中国科学院半导体...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 上海晶岳电子有限...
3 篇 桂林斯壮微电子有...
2 篇 杭州士兰集成电路...
2 篇 南京溧水高新创业...
2 篇 重庆中科渝芯电子...
2 篇 山东华光光电子股...
2 篇 上海蓝光科技有限...
2 篇 瀚天天成电子科技...
2 篇 中环领先半导体材...
2 篇 中国电子科技集团...
2 篇 厦门市三安光电科...
2 篇 北京大学
2 篇 北京嘉圣光通科技...

作者

8 篇 林志伟
8 篇 方天足
8 篇 张永
8 篇 童吉楚
8 篇 陈凯轩
8 篇 卓祥景
8 篇 汪洋
8 篇 姜伟
6 篇 慈朋亮
6 篇 李娟娟
6 篇 刘冬华
6 篇 张玉明
6 篇 胡君
6 篇 石晶
6 篇 贾仁需
6 篇 吕红亮
6 篇 钱文生
6 篇 汪钰成
4 篇 关仕汉
4 篇 王平

语言

121 篇 中文

检索条件"主题词=外延表面"

共 121 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

一种改善111衬底外延表面粗糙度的工艺方法

一种改善111衬底外延表面粗糙度的工艺方法

引用

作者：韩少锋贾晟达黄星博李仕权王彦君孙晨光黄春峰曹锦伟 214000 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

本发明公开了一种改善111衬底外延表面粗糙度的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行111衬底外延加工前，需要对111衬底外延进行切、磨、抛等工艺仔细加工，再对111衬底外延经过严格的清洗和烘干处理，并将清洗烘干后... 详细信息

标准号: CN115537918A

本发明公开了一种改善111衬底外延表面粗糙度的工艺方法，其改善工艺方法包括以下步骤：S1、首先在进行111衬底外延加工前，需要对111衬底外延进行切、磨、抛等工艺仔细加工，再对111衬底外延经过严格的清洗和烘干处理，并将清洗烘干后的111衬底外延放入到反应室中，通入氯化氢HCl气体在高温下对111衬底外延进行原位化学腐蚀抛光，以去除111衬底外延上的污染物及氧化物等，并且将抛光温度设定在一定范围值内，设定一定值的通入HCl气体流量；S2、然后当原位化学腐蚀抛光处理结束后，可将111衬底外延放入到反应炉内部的基座上。本发明在气相沉积方式外延长膜过程中提高工艺温度，采用高温外延，增加原子在晶片表面的流动性，从而改善晶片表面的粗糙度。

关键词：衬底腐蚀抛光晶片表面原位化学粗糙度放入处理结束烘干处理气相沉积清洗烘干外延表面温度设定反应炉反应室氯化氢膜过程抛光氧化物去除加工清洗污染物

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改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用

改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用

引用

作者：荆晴晴肖阳辛毅捷张宝顺曾中明蔡勇尹立航邓旭光 215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号

本发明公开了一种改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用。该方法包括：提供异质结，异质结包括沟道层和势垒层，沟道层的表面包括第一区域和与第一区域邻接的第二区域，势垒层层叠设置在沟道层的第一区域，势垒层和沟道... 详细信息

标准号: CN118016531A

本发明公开了一种改善含Ga合金化合物选区二次外延表面形貌的方法及应用。该方法包括：提供异质结，异质结包括沟道层和势垒层，沟道层的表面包括第一区域和与第一区域邻接的第二区域，势垒层层叠设置在沟道层的第一区域，势垒层和沟道层之间形成有载流子沟道；在势垒层的表面形成第一掩膜、在第一掩膜的表面形成具有晶格择优取向的第二掩膜，第二掩膜能够使外延生长含Ga合金化合物所需的前驱体成核生长；同步在沟道层的第二区域、第二掩膜层上外延生长含Ga合金化合物。本发明避免了生长过程中Ga原子和N原子的迁移导致的不同面积窗口生长的含Ga合金化合物厚度不均匀的问题以及表面粗糙度大的问题。

关键词：沟道层合金化合物掩膜第一区域势垒层表面形成第二区域外延生长异质结形貌表面粗糙度载流子沟道生长过程外延表面择优取向邻接生长不均匀前驱体掩膜层成核晶格势垒选区迁移应用

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一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法

一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法

引用

作者：高达王丹李震周朋王丛 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量... 详细信息

标准号: CN115679440A

本申请公开了一种分子束外延碲镉汞外延表面温度控制方法，包括：固定衬底；利用热偶控制外延表面温度，采用温度补偿生长方式，基于所述衬底生长碲镉汞材料，并进行As掺杂；在生长碲镉汞材料的过程中，确定不同深度As掺杂浓度的变化量；预测在对应深度处碲镉汞外延表面温度偏离碲镉汞生长温度窗口程度；基于所确定的外延表面温度偏离程度，修正所述温度补偿生长方式，并重复基于所述衬底生长碲镉汞材料，直至As浓度不随碲镉汞深度发生变化。本申请实施例对温度偏离度的表征方式进行了设计，修正了生长温度降低曲线，解决了碲镉汞外延表面温度无法精确表征而造成碲镉汞材料质量差的问题。

关键词：碲镉汞材料生长碲镉汞外延温度偏离衬底外延表面温度补偿碲镉汞掺杂表面温度控制修正分子束外延表征方式温度降低变化量质量差热偶申请预测重复

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具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管

具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管

引用

作者：丁国建宋京张荣勤罗惠英王晓晖 300385 天津市西青区津港公路微电子工业区毕升道2号

一种具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有布拉格反射层，布拉格反射层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区... 详细信息

标准号: CN203721755U

一种具有外延表面粗化层的砷磷化铝镓铟发光二极管，设有：砷化镓（GaAs）衬底，砷化镓（GaAs）衬底上设有布拉格反射层，布拉格反射层上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源区,多量子阱有源区上设有p型限制层；p型限制层上设有p型磷化镓（GaP）窗口层，其中，p型磷化镓（GaP）窗口层上设有砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）表面粗化层；通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型通过在外延阶段，直接在磷化镓（GaP）窗口层上继续外延生长一薄层砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）；使生长出来的砷磷化铝镓（Al_xGa_1-x As_yP_1-y）薄层表面粗化；解决了在对外延片表面粗糙化的过程中，所造成的损伤问题；增加了光提取效率，提高了发光二极管的稳定性和产品的良品率。

关键词：化铝镓砷磷发光二极管窗口层磷化镓多量子阱反射层砷化镓衬底化层有源发光二极管结构薄层表面发光区域外延表面外延生长层结构粗糙化良品率薄层损伤连接生长

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一种芯片外延表面微处理装置

一种芯片外延表面微处理装置

引用

作者：周建业 518000 广东省深圳市宝安区新安街道28区宝安新一代信息技术产业园C座三楼315号

本实用新型公开了一种芯片外延表面微处理装置，其技术方案是：包括底板，底板顶部固定连接有固定框，固定框顶部内壁固定连接有微处理装置本体，底板内部开设有两个空腔一，空腔一顶部开设有贯通槽，固定框底部开设有两个凹槽，底板一... 详细信息

标准号: CN218101214U

本实用新型公开了一种芯片外延表面微处理装置，其技术方案是：包括底板，底板顶部固定连接有固定框，固定框顶部内壁固定连接有微处理装置本体，底板内部开设有两个空腔一，空腔一顶部开设有贯通槽，固定框底部开设有两个凹槽，底板一侧固定设有电机，电机输出端固定连接有转杆，转杆一侧贯穿底板一侧并延伸至空腔一内部，本实用新型的有益效果是：通过固定组件的设置，可以根据外延片的大小去调节压板的位置，对其进行固定并对其表面进行微处理，同时再一面处理完成之后，拉动拉杆后转动圆框，就可以实现对其进行翻面，避免了需要将其在从固定装置上拿下并翻面的步骤，降低了人工的劳动强度，同时增加了处理的效率。

关键词：底板固定框空腔本实用新型微处理装置转杆电机输出端底板顶部顶部内壁固定装置固定组件外延表面贯通槽人工的外延片微处理转动圆翻面拉杆压板电机芯片贯穿延伸

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一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法

一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法

引用

作者：三重野文健 201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室

本发明提供一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法，其中预处理包括以下步骤：将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中在氢气氛下加热至第一温度；在所述反应腔室中通入一定量的硅的氯化物，继续加热至第二温度，并在所述第二温度下保... 详细信息

标准号: CN109518271A

本发明提供一种SiC外延表面的预处理及外延生长方法，其中预处理包括以下步骤：将具有SiC晶体表面的晶片放入反应腔室中在氢气氛下加热至第一温度；在所述反应腔室中通入一定量的硅的氯化物，继续加热至第二温度，并在所述第二温度下保持一段时间；其中，所述第二温度高于所述第一温度，且所述第二温度和所述第一温度均高于1000℃且低于1600℃。本发明采用硅的氯化物及氢对SiC外延表面进行预处理，可以降低反应腔室气压并控制预处理的温度低于1600℃，从而可在去除SiC表面原生氧化物的同时，有效的提高SiC外延表面光滑度，减少表面缺陷，后续外延生长AlN、GaN或SiC薄膜可以得到高质量、低缺陷的SiC外延片。

关键词：预处理外延表面氯化物反应腔室外延生长加热反应腔室气压原生氧化物表面缺陷晶体表面低缺陷光滑度外延片放入晶片去除

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一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法

引用

作者：徐海龙 230012 安徽省合肥市新站区工业园内

本发明提供一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法，包括以下步骤：提供一个外延片，所述外延片上形成一种可以被粗化的阻挡层，湿法刻蚀所述的可被粗化的阻挡层，在所述阻挡层表面形成粗糙面，通过干法刻蚀所述外延片，从而使得外... 详细信息

标准号: CN103824914B

本发明提供一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法，包括以下步骤：提供一个外延片，所述外延片上形成一种可以被粗化的阻挡层，湿法刻蚀所述的可被粗化的阻挡层，在所述阻挡层表面形成粗糙面，通过干法刻蚀所述外延片，从而使得外延表面形成粗糙面，在所述的粗化外延片表面形成图形化光阻，形成N型氮化镓平台，在具有粗化的外延片表面形成导电层，并制造金属电极。本发明在ITO蚀刻液或BOE从而使得阻挡层表面形成粗糙面，再通过ICP刻蚀的方法，将阻挡层表面粗糙的图形转移到外延片表面，从而制作出表面粗化的GaN基外延片，本发明制作外延表面粗化的LED芯片，不仅成本低、效率高，而且工艺可控性强，亮度可以有效提高。

关键词：粗化外延片表面阻挡层表面粗糙面外延片表面粗化外延表面阻挡层工艺可控性干法刻蚀金属电极湿法刻蚀图形化光图形转移导电层蚀刻液制作粗糙制造

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一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法

一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法

引用

作者：徐海龙 230012 安徽省合肥市新站区工业园内

标准号: CN103824914A

关键词：外延片阻挡层粗糙面外延表面外延层表面干法刻蚀金属电极湿法刻蚀图形化光图形转移氮化镓导电层蚀刻液刻蚀

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一种晶圆外延表面处理方法

一种晶圆外延表面处理方法

引用

作者：陆爱军 201208 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号

本申请提供一种晶圆外延表面处理方法，应用于晶圆表面处理技术领域，其中包括S1、对附着有颗粒的晶圆进行预清洗；S2、在晶圆表面淀积二氧化硅氧化层；S3、使用氢氟酸对晶圆进行冲洗。通过将晶圆表面体积较大的杂质颗粒进行清洗，将其... 详细信息

标准号: CN116525413A

本申请提供一种晶圆外延表面处理方法，应用于晶圆表面处理技术领域，其中包括S1、对附着有颗粒的晶圆进行预清洗；S2、在晶圆表面淀积二氧化硅氧化层；S3、使用氢氟酸对晶圆进行冲洗。通过将晶圆表面体积较大的杂质颗粒进行清洗，将其分离出晶圆表面，避免杂质颗粒体积较大对小体积的杂质颗粒进行遮挡，导致无法对晶圆表面进行充分淀积，淀积的二二氧化硅氧化层与晶圆上的杂质颗粒粘接，在使用氢氟酸进行清洗的过程中晶圆上的杂质颗粒与二氧化硅氧化层一并被清洗分离出晶圆，从而清洗掉晶圆表面的杂质颗粒，同时淀积的氧化层对晶圆进行保护，避免氢氟酸对晶圆进行损伤。

关键词：晶圆晶圆表面杂质颗粒淀积二氧化硅氧化层清洗氢氟酸外延表面氧化层预清洗附着粘接种晶冲洗遮挡损伤申请应用

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一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法

一种高压直流发光二极管芯片结构及其制造方法

引用

作者：郝茂盛张楠潘尧波齐胜利朱广敏李士涛 201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片的制造方法及其结构。在外延生长前先将生长衬底定义为多个单元区间，清洗生长衬底；利用外延横向生长技术进行外延生长，使每个单元区间上生长的外延层相互电隔离，每个单元区间的外延层之间形... 详细信息

标准号: CN102468318B

本发明公开了一种高压直流发光二极管芯片的制造方法及其结构。在外延生长前先将生长衬底定义为多个单元区间，清洗生长衬底；利用外延横向生长技术进行外延生长，使每个单元区间上生长的外延层相互电隔离，每个单元区间的外延层之间形成沟道；在外延层表面涂敷一层有机薄膜作为阻挡层；在所述沟道内填充介质材料；进行CMP平坦化处理，CMP抛光至阻挡层；清洗表面，去除阻挡层，最终平坦化外延表面；最后制作P、N电极将多个芯片单元串联在一起，形成由多个芯片单元串联而成的器件。本发明可以以增加串联芯片个数的方式增加芯片的输入功率，从而减小了pn结在大电流工作状态下的热损伤，防止了当流过pn结的电流密度过大时光效下降。

关键词：阻挡层串联单元区间外延生长芯片单元外延层沟道生长平坦发光二极管芯片填充介质材料外延层表面衬底定义电流密度多个单元清洗表面生长技术外延表面外延横向芯片个数有机薄膜电极抛光大电流电隔离化处理热损伤衬底涂敷芯片时光

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