检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

19 篇 专利
1 篇 学位论文
1 篇 会议

馆藏范围

21 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

2 篇 工学
- 2 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 计算机科学与技术...
- 1 篇 材料科学与工程（可...

主题

2 篇 多次可编程存储器
2 篇 灵敏放大器
1 篇 系统建模
1 篇 低功耗
1 篇 抗失配
1 篇 标准cmos工艺
1 篇 电压切换电路
1 篇 高可靠性

机构

3 篇 珠海创飞芯科技有...
3 篇 晶芯成科技有限公...
2 篇 合肥晶合集成电路...
2 篇 合肥晶合集成电路...
1 篇 芯海科技股份有限...
1 篇 国防科学技术大学
1 篇 格芯公司
1 篇 深圳市博巨兴实业...
1 篇 上海华虹宏力半导...
1 篇 深圳市华星光电技...
1 篇 湖南省长沙市国防...
1 篇 中国科学院微电子...
1 篇 格罗方德半导体公...
1 篇 武汉华星光电技术...
1 篇 马维尔亚洲私人有...
1 篇 上海锐麟微电子有...
1 篇 力晶积成电子制造...
1 篇 创飞有限公司

作者

4 篇 李弦
4 篇 王志刚
3 篇 秋珉完
2 篇 张露涛
2 篇 b·贾亚拉曼
2 篇 祝进专
2 篇 熊鹏宇
2 篇 葛成海
2 篇 r·r·图姆穆鲁
2 篇 r·拉加万
2 篇 李庆民
2 篇 谢烈翔
2 篇 j·维拉拉格哈万
2 篇 t·基里哈塔
2 篇 金起准
2 篇 王佳宋
2 篇 t·肯庞纳
2 篇 王少龙
1 篇 李聪
1 篇 武洁

语言

21 篇 中文

检索条件"主题词=多次可编程存储器"

共 21 条记录，以下是1-10 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

多次可编程存储器的单元结构及其制作方法

多次可编程存储器的单元结构及其制作方法

引用

作者：秋珉完金起準 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

本发明提供一种多次可编程存储器的单元结构及其制作方法，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本发明提供的多... 详细信息

标准号: CN111430452A

本发明提供一种多次可编程存储器的单元结构及其制作方法，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本发明提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。

关键词：多次可编程存储器浮栅控制栅侧墙薄膜单元结构延伸覆盖衬底垂直尺寸减小浮栅侧壁耦合控制擦除刻蚀隧穿存储制作

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于标准CMOS工艺的多次可编程存储器系统建模与关键外围电路研究

基于标准CMOS工艺的多次可编程存储器系统建模与关键外围电路研究

引用

作者：王佳宋国防科学技术大学

学位级别：硕士

基于标准CMOS工艺制作的多次可编程存储器,可以说拓展了存储器的应用范围和系统功能,这种存储器主要面向于需要低成本、低功耗、中等容量及高可靠性的应用场合。本文首先在掌握多次可编程存储器整体架构和各模块功能后,使用硬件语言对... 详细信息

基于标准CMOS工艺制作的多次可编程存储器,可以说拓展了存储器的应用范围和系统功能,这种存储器主要面向于需要低成本、低功耗、中等容量及高可靠性的应用场合。本文首先在掌握多次可编程存储器整体架构和各模块功能后,使用硬件语言对各个模块的行为进行建模,忽略电路细节,并由这些模块搭建系统行为模型。通过仿真,验证了系统模型的正确性及设计方案的可行性,明确了各个接口的定义和模块的设计需求,并且由于对模型的仿真以算术逻辑运算为主,比需要解微分方程的SPICE电路仿真,在速度上快几个数量级,极大地提高了验证的效率,同时,在设计的过程中生成了相应的测试方法和测试向量,提高了验证的覆盖率。为提高存储单元写入和读取的可靠性,本文对电压切换电路和灵敏放大器进行了可靠性设计。新提出的行列电压切换电路利用堆叠的锁存器和MOS开关取代传统电压切换电路中的高压管,使其与标准CMOS工艺完全兼容,极大地降低了制造成本,并且由于高压经过了严格的分压,保证了新电路中的每个MOS管都工作在额定电压下,极大地提高了行列电压切换电路的可靠性。在不需要额外电路的情况下,新提出的电路实现了组合输出,极大地降低了电压切换电路在整个存储器芯片中所占用的面积。而新提出的灵敏放大器具有抗失配,高可靠性,高灵敏度,低功耗的特点,基于SIMC 0.13μm标准单元库的仿真结果显示,新型灵敏放大器在单元电流低至100 nA,电流差小至60 nA时,仍可以达到100%的读取成功率,具有极高的灵敏度,在存在100 mV阈值电压失配的情况下,仍能正常工作,具有良好的抗失配效果。在1.2 V的工作电压,2 MHz的工作频率,典型工作条件下,新型灵敏放大器的功耗仅为347.9 nW,延时为151.64 ns,面积为386μm2,完全满足于多次可编程存储器的应用需求。

关键词：多次可编程存储器标准CMOS工艺系统建模电压切换电路灵敏放大器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器的单元结构

多次可编程存储器的单元结构

引用

作者：秋珉完金起準 230012 安徽省合肥市新站区综合保税区内西淝河路88号

本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可... 详细信息

标准号: CN211350659U

本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。

关键词：多次可编程存储器浮栅控制栅侧墙薄膜单元结构本实用新型延伸覆盖衬底垂直尺寸减小浮栅侧壁耦合控制擦除刻蚀隧穿存储

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器及其操作方法

多次可编程存储器及其操作方法

引用

作者：王志刚李弦中国香港中环德辅道中173号南丰大厦5楼510-511室

本发明提供了一种多次可编程存储器及其操作方法，其中，所述存储器中的每个存储单元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为单层浮栅晶体管。当所述第一MOS管和所述第二MOS管为相... 详细信息

标准号: CN105206300A

本发明提供了一种多次可编程存储器及其操作方法，其中，所述存储器中的每个存储单元至少包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管均为单层浮栅晶体管。当所述第一MOS管和所述第二MOS管为相同类型的MOS管时，第一MOS管和所述第二MOS管均为源漏穿通管；当所述第一MOS管和所述第二MOS管中一个为PMOS管，另外一个NMOS管时，所述NMOS管为源漏穿通管。本发明利用源漏穿通管提高了存储器的电容耦合效率，并且，这种存储器结构减少了存储单元的面积，有利于大容量存储应用。

关键词：源漏穿通存储单元多次可编程存储器存储器结构大容量存储浮栅晶体管存储器存储器中电容耦合相同类型单层一种减少应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器及其操作方法

多次可编程存储器及其操作方法

引用

作者：王志刚李弦 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园(珠海)创业大楼A座A0204单元

标准号: CN105206300B

关键词：源漏穿通存储单元存储器多次可编程存储器存储器结构大容量存储浮栅晶体管电容耦合单层应用

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器及其制备方法

多次可编程存储器及其制备方法

引用

作者：葛成海李庆民祝进专谢烈翔熊鹏宇 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

本发明提供一种多次可编程存储器及其制备方法。其中，本发明将部分栅极结构置于第一凹槽中，形成阶梯式的栅极结构，增大了第一阱区与栅极结构的接触面积，缩小电子进入栅极结构的距离，提高器件的编程和擦除效率，降低工作电压，降低... 详细信息

标准号: CN114464526A

本发明提供一种多次可编程存储器及其制备方法。其中，本发明将部分栅极结构置于第一凹槽中，形成阶梯式的栅极结构，增大了第一阱区与栅极结构的接触面积，缩小电子进入栅极结构的距离，提高器件的编程和擦除效率，降低工作电压，降低器件能耗。且部分栅极结构位于第二凹槽中，则相较于平面式的结构，设置在第二凹槽中的栅极结构与第二阱区的接触面积增大，提高了电容的耦合效率，提高器件的响应速度。此外，第一凹槽和第二凹槽的设置，使得栅极结构呈下沉式结构。则在相同的器件性能下，本发明提供的所述多次可编程存储器的单位面积比将栅极结构设置在平面上的器件面积较小。

关键词：栅极结构多次可编程存储器阱区下沉式结构擦除效率工作电压降低器件面积增大器件性能耦合效率阶梯式面积比平面式电容编程制备能耗响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器及其制备方法

多次可编程存储器及其制备方法

引用

作者：葛成海李庆民祝进专谢烈翔熊鹏宇 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54

标准号: CN114464526B

关键词：栅极结构多次可编程存储器阱区下沉式结构擦除效率工作电压降低器件面积增大器件性能耦合效率阶梯式面积比平面式电容编程制备能耗响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多次可编程存储器

多次可编程存储器

引用

作者：武洁 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明公开了一种多次可编程存储器，包括：选择管和存储管都为PMOS管并形成于N阱中，擦除管为NMOS管并形成于P阱中；擦除管的多晶硅栅由存储管的多晶硅栅延伸形成且为浮空栅极；在P阱表面形成有由N+区组成的源区和漏区以及由P+区组成的... 详细信息

标准号: CN106206599A

本发明公开了一种多次可编程存储器，包括：选择管和存储管都为PMOS管并形成于N阱中，擦除管为NMOS管并形成于P阱中；擦除管的多晶硅栅由存储管的多晶硅栅延伸形成且为浮空栅极；在P阱表面形成有由N+区组成的源区和漏区以及由P+区组成的P阱引出区；擦除管的源区、漏区和P阱引出区都连接到电荷擦除端电极；擦除时，电荷擦除端电极连接的擦除电压连接到擦除管的源区和漏区并通过P阱引出区连接到所述P阱的沟道区，从而能使增加擦除面积并提高擦除效率；擦除管的P阱形成于深N阱，深N阱使P阱和P型衬底隔离，消除P型衬底的接地电压对擦除管的P阱加正的擦除电压的限制。本发明能提高浮空栅极的电荷擦除效率。

关键词：擦除电荷引出区漏区源区擦除电压擦除效率多晶硅栅存储管端电极深N阱衬底浮空多次可编程存储器接地电压沟道区选择管隔离延伸

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种可变编程次数的多次可编程存储器

一种可变编程次数的多次可编程存储器

引用

作者：王少龙李弦张露涛王志刚 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3座305

本申请公开了一种可变编程次数的多次可编程存储器，所述可变编程次数的多次可编程存储器利用状态寄存器电路记录多个存储器阵列的状态信息，以使用户可以通过所述多个存储器阵列的状态信息，了解多个存储器阵列的编程次数信息以及冗余... 详细信息

标准号: CN111028879B

本申请公开了一种可变编程次数的多次可编程存储器，所述可变编程次数的多次可编程存储器利用状态寄存器电路记录多个存储器阵列的状态信息，以使用户可以通过所述多个存储器阵列的状态信息，了解多个存储器阵列的编程次数信息以及冗余存储器阵列的使用信息，从而可以根据实际情况对冗余存储器阵列进行编程操作或修复操作或读操作的目的，使得冗余存储器阵列在主存储器阵列编程成功后仍然可以进行编程操作，进而使得该多次可编程存储器的编程次数可控，避免了在主存储器阵列编程成功后，无法在冗余存储器阵列中进行数据存储的情况，避免了冗余存储器阵列的浪费。

关键词：冗余存储器阵列多次可编程存储器编程存储器阵列主存储器阵列编程操作编程成功可变状态寄存器电路次数信息使用信息数据存储读操作可控修复记录申请

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种适用于多次可编程存储器的抗失配高可靠性灵敏放大器设计

一种适用于多次可编程存储器的抗失配高可靠性灵敏放大器设计

引用

第二十届计算机工程与工艺年会暨第六届微处理器技术论坛

作者：王佳宋李建成王宏义李聪艾丽云湖南省长沙市国防科学技术大学电子科学与工程学院

为提高灵敏放大器在读取单元电流时的可靠性,本文提出了一种抗失配,高可靠性,高灵敏度,低功耗的新型灵敏放大器,基于SIMC 0.13μm标准单元库的仿真结果显示,新型灵敏放大器在单元电流低至100nA,电流差小至60nA时,仍可以达到100%的读取... 详细信息

为提高灵敏放大器在读取单元电流时的可靠性,本文提出了一种抗失配,高可靠性,高灵敏度,低功耗的新型灵敏放大器,基于SIMC 0.13μm标准单元库的仿真结果显示,新型灵敏放大器在单元电流低至100nA,电流差小至60nA时,仍可以达到100%的读取成功率,具有极高的灵敏度,在存在100mV阈值电压失配的情况下,仍能正常工作,具有良好的抗失配效果。在1.2V的工作电压,2MHz的工作频率,典型工作条件下,新型灵敏放大器的功耗仅为347.9nW,延时为151.64ns,面积为386μm,各项性能指标完全满足于多次可编程存储器的应用需求。

关键词：灵敏放大器抗失配高可靠性低功耗多次可编程存储器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共3页 << < 1 2 3 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：