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主题

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作者

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语言

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检索条件"主题词=大信号模型"
174 条 记 录,以下是171-180 订阅
排序:
X波段GaAsMESFET单片功率放
收藏 引用
微纳电子技术 1986年 第3期 18-21页
作者: 脱西河 邓先灿
本文利用MESFET的小信号S参数,结合信号下S参数的一些特点,根据由计算机分析得到的S参数随器件模型中一些元件值变化的趋势,适当修正了小信号器件模型,在此基础上,设计与分析了X波段单片单级功率放器。有源器件总栅宽为360μm,栅长... 详细信息
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基于支持向量机的微波功率FET信号建模方法的研究
基于支持向量机的微波功率FET大信号建模方法的研究
收藏 引用
第十九届全国测控、计量、仪器仪表学术年会
作者: 孙璐 王家礼 陈晓龙 西安电子科技入学机电工程学院,西安 710071
微波半导体器件精确建模址影响电路测量和设计精度的最主要因素,非线性散射函数是一种新的微波功率器件频域黑箱模型参数。在采用时域提取系统提取功率FET的非线性散射函数基础上,论文提出采用支持向量机对FET器件建立非线性散射函数... 详细信息
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基于支持向量机的微波功率FET信号建模方法的研究
基于支持向量机的微波功率FET大信号建模方法的研究
收藏 引用
第十九届测控、计量、仪器仪表学术年会(MCMI’2009)
作者: 孙璐 王家礼 陈晓龙 西安电子科技大学机电工程学院
微波半导体器件精确建模是影响电路测量和设计精度的最主要因素,非线性散射函数是一种新的微波功率器件频域黑箱模型参数。在采用时域提取系统提取功率FET的非线性散射函数基础上,论文提出采用支持向量机对FET器件建立非线性散射函数为... 详细信息
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Ka波段GaAs PHEMT功放的设计与制备
Ka波段GaAs PHEMT功放的设计与制备
收藏 引用
第五届全国分子束外延学术会议
作者: 赵静 张绵 河北半导体研究所
该文主要介绍了一种GaAs PHEMT MMIC'S功率放器的设计方法和制备工艺以及性能。通过器件DC和AC测量,建立了PHEMT功率器件精确的大信号模型,对电路进行CAD设计优化,设计制备的单级功率放顺在35GHz频率下达互输出功率200mW,... 详细信息
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