检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王延庆山东大学

学位级别：硕士

20世纪50年代以来,硅一直都是半导体领域中最重要的材料,而随着微电子技术的不断发展,硅基功率器件性能接近其理论极限,改善速度已经放缓。为了满足半导体器件在更高频率、更大功率条件下工作,以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料登... 详细信息

20世纪50年代以来,硅一直都是半导体领域中最重要的材料,而随着微电子技术的不断发展,硅基功率器件性能接近其理论极限,改善速度已经放缓。为了满足半导体器件在更高频率、更大功率条件下工作,以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料登上产业舞台,由于GaN材料有很多优点,已被公认为最有希望用于下一代功率器件的材料。特别是随着5G时代的到来,GaN基器件会引起更多人的关注,AlGaN/GaN高电子迁移率.晶体管(AlGaN/GaN HEMTs)作为GaN基器件的代表,目前也已经实现商业化,AlGaN/GaNHEMT器件已经在众多领域得到应用,尤其是微波、大功率行业。AlGaN/GaN HEMTs的应用离不开电路设计,器件模型对于电路设计更是有着重要的作用,针对以上问题我们对AlGaN/GaN HEMTs建模做了一系列工作,主要包括·:***/GaN HEMT器件电流-电压(I-V)特性物理模型AlGaN/GaN HEMT器件物理模型是建立AlGaN/GaN HEMT器件模型的重要基础,AlGaN/GaN HEMT器件物理模型包括Ⅰ-Ⅴ特性(器件输出特性曲线)和电容-电压(C-V)特性。极化是GaN材料体系具有的重要特征,AlGaN/GaN HEMT器件工作时,异质结界面处极化电荷不均匀分布,沟道电子会受到极化库仑场(PCF)散射的影响,PCF散射作为AlGaN/GaN HEMT器件载流子的重要散射机制,其对AlGaN/GaN HEMT器件特性产生重要影响。我们首次将PCF散射效应引入到了AlGaN/GaN HEMT器件Ⅰ-Ⅴ特性物理建模中:结合我们制备的AlGaN/GaN HEMT器件,利用极化库仑场散射理论,分析计算不同栅源偏压VGS下,栅下沟道载流子低场迁移率(μ)变化和栅源寄生串联电阻(Rs)、栅漏寄生串联电阻(RD)的变化,由此模拟计算得到的AlGaN/GaN HEMT器件Ⅰ-Ⅴ输出特性曲线与测试得到的Ⅰ-Ⅴ输出特性曲线吻合的很好,从而明确了极化库仑场散射效应在AlGaN/GaN HEMT器件Ⅰ-Ⅴ特性物理模型中的重要作用,建立了包括极化库仑场散射效应的AlGaN/GaN HEMT器件Ⅰ-Ⅴ特性物理模型。***/GaN HEMT小信号等效电路参数提取制备了亚微米栅长的AlGaN/GaN HEMT器件,采用15元件等效电路模型进行小信号参数提取,根据测量的小信号S参数提取了各个元件的值,结合极化库仑场散射效应,我们采用热场法提取的栅源寄生串联电阻值、栅漏寄生串联电阻值会随偏置点的变化而变化,其进一步表明极化库仑场散射效应对AlGaN/GaN HEMT器件特性有重要的影响。***/GaN HEMT器件非线性等效电路建模为了更好地与电子设计自动化(EDA)软件结合,采用Curtice立方模型拟合器件Ⅰ-Ⅴ输出曲线,结合提取的器件参数和大信号等效电路结构,采用符号定义器件(symbolic defined devices,简称 SDD)建立AIGaN/GaN HEMT器件大信号模型。将建好的模型嵌入直流和S参数仿真电路,通过仿真得到模型的I-V输出特性曲线和小信号S参数,与实际器件测量得到的Ⅰ-Ⅴ输出特性曲线和小信号S参数对比,证明我们建立的模型与实际器件符合的较好。*** HEMT器件线性度研究采用Cree公司的CGH60008D、CGH60015D、CGH60030D GaN HEMT器件大信号模型,通过ADS(EDA软件,全称为Advanced Design System)谐波仿真,得到三种不同栅宽器件在不同频率下的功率增益、效率、1dB压缩点等参量,研究频率和栅宽对器件线性度的影响。

关键词： AlGaN/GaN HEMT 器件大信号模型小信号等效电路 SDD模型

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GaAs pHEMT开关器件大信号模型研究

GaAs pHEMT开关器件大信号模型研究

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作者：罗琳杭州电子科技大学

学位级别：硕士

射频开关器件是各种现代无线通信系统中的关键元件。Ga As p HEMT开关器件对比传统PIN开关器件,由于其偏置网络简单、直流功耗低、开关速度快和集成度较高,所以在射频电路中的应用愈加广泛。精确的Ga As p HEMT开关器件模型对提高器件... 详细信息

射频开关器件是各种现代无线通信系统中的关键元件。Ga As p HEMT开关器件对比传统PIN开关器件,由于其偏置网络简单、直流功耗低、开关速度快和集成度较高,所以在射频电路中的应用愈加广泛。精确的Ga As p HEMT开关器件模型对提高器件性能、缩短相关集成电路的设计周期、降低设计成本和提高集成电路生产良率等方面具有重要的意义。本文针对国产Ga As p HEMT生产线,采用经验基模型和尺寸缩放模型的建模方法,对Ga As p HEMT开关器件大信号模型进行了系统的研究。主要内容包括:(1)对Ga As p HEMT器件的制作材料和底层物理结构进行了研究,阐述了Ga As p HEMT器件的工作原理和相关电学特性。对小信号与大信号在片测试系统进行了简单的介绍,对器件建模过程中的去嵌入技术进行了研究。(2)对三种常用的经验基HEMT大信号模型的数学方程进行了详细的分析,并通过对Ga As p HEMT器件进行建模和验证,通过对比验证拟合结果,选出EEHTMT大信号模型作为Ga As p HEMT开关器件大信号模型的开发基础。(3)对多栅开关器件的小信号模型进行研究。提出了一种多栅极Ga As p HEMT射频开关的小信号等效电路和对应的直接提取方法。通过将测得的S参数与模型仿真结果进行比较,发现该模型具有较高的准确性和较强的可靠性。多栅器件的良好拟合结果也证实了提取方法的可扩展性。(4)详细阐述了Ga As p HEMT射频开关器件的大信号模型的提取流程。并通过尺寸缩放的建模技术对0.5?m工艺节点下的整套开关器件进行建模。

关键词： GaAs pHEMT 射频开关小信号模型大信号模型参数提取

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GaN HEMT射频开关器件大信号模型研究

GaN HEMT射频开关器件大信号模型研究

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作者：别致杭州电子科技大学

学位级别：硕士

第三代宽禁带半导体氮化镓(GaN)是能够同时实现高频率、高功率的代表性材料,在功率器件、射频器件及光电子器件领域都有广泛应用。近年间全球GaN产业规模呈爆发式增长,上游产能持续扩张,GaN器件与传统硅基产品价差逐渐缩小,综合成本优... 详细信息

第三代宽禁带半导体氮化镓(GaN)是能够同时实现高频率、高功率的代表性材料,在功率器件、射频器件及光电子器件领域都有广泛应用。近年间全球GaN产业规模呈爆发式增长,上游产能持续扩张,GaN器件与传统硅基产品价差逐渐缩小,综合成本优势明显。在射频前端收发系统中,开关作为控制信号通道转换的核心组件十分重要,而GaN基射频开关能够实现极快的开关切换时间和极小的导通电阻,性能极优,因此亟需研究能够精确表征GaN Switch器件特性的模型来指导器件和工艺的优化以及电路设计。考虑到GaN晶体管复杂的物理效应以及特殊的工作环境,本文基于EE-HEMT(EEsof HEMT)模型内核方程,改进开发了适用于GaN Switch器件的大信号模型,对电流模型和电荷模型都做了提升完善,主要研究内容如下: 1.讨论了GaN射频开关及器件模型的发展现状,介绍了GaN材料的性能优势以及GaN HEMT作为开关器件的物理机理。基于射频在片测试系统,研究了校准和去嵌技术以及大、小信号测试技术,并提出了基于不同版图结构的完整测试方案。 2.针对开关管的开启态和关断态分别建立了小信号模型并完成了参数提取和验证,并针对开关栅极外接电阻的工作条件完成了GaN基电阻模型的建立。 3.讨论了三种常见的GaN HEMT大信号模型,分析其内核公式组成和包含的物理效应,并通过提取实验总结了各自用于GaN Switch建模的优缺点,为后续建立GaN Switch大信号模型提供理论支撑。 4.基于商用0.25μm工艺的GaN Switch器件测试数据,以EE-HEMT模型内核为基础,开发了适用于GaN射频开关器件的大信号模型,并给出了参数提取流程,模型具有良好的温度、脉宽、应力以及尺寸可缩放性。 5.对所开发模型进行了单管大信号功率特性验证,并用于实际开关MMIC电路设计,将流片结果与仿真数据进行比对,结果证明该模型对实际器件特性具有较好的表征能力,模型精度较高,具有一定的工程应用价值。

关键词： GaN HEMT 射频开关大信号模型经验基模型参数提取

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基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究

基于表面势的GaN HEMT大信号模型研究

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作者：马舒琦杭州电子科技大学

学位级别：硕士

随着5G时代的到来,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓(GaN)为首的第三代宽禁带半导体逐渐显露出独特的优势。其中,GaN HEMT器件具有高功率密度、高频率特性,是目... 详细信息

随着5G时代的到来,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓(GaN)为首的第三代宽禁带半导体逐渐显露出独特的优势。其中,GaN HEMT器件具有高功率密度、高频率特性,是目前最有发展前景的射频功率器件。精确的GaN HEMT器件模型可以大大缩短研发周期、降低成本和提高电路生产的良率。由于GaN HEMT器件具有复杂的自热效应、陷阱效应,使得其大信号特性的精确建模十分困难。本文基于ASM-HEMT模型内核方程,开发改进了GaN HEMT电流和电荷模型,主要研究内容如下:(1)介绍了GaN材料的优势、GaN HEMT器件的物理结构及其工作机理。基于射频在片测试技术,研究了GaN HEMT器件的脉冲测试和负载牵引测试,并给出了一套完整的器件建模的测试方案。(2)推导了原版ASM-HEMT模型的核心表面势方程,从GaN HEMT器件基础物理效应入手,阐述了GaN HEMT器件的建模方法。并在参数拟合实验的基础上,深入剖析了ASM模型用于GaN HEMT器件建模的不足之处。为建立改进的表面势基GaN HEMT大信号模型提供理论支撑。(3)基于某国产0.25μm工艺的GaN HEMT器件测试数据,改进了表面势基GaN HEMT器件大信号模型。该模型通过外接二极管以及重构方程改进栅电流模型,通过加入经验函数改进漏电流以及电容模型,利用脉冲测试法模拟自热效应,采用经验模型模拟陷阱效应。(4)针对电路设计对尺寸缩放模型及高精度器件模型的需求。采用本文提出的表面势基GaN HEMT器件模型建立了国产0.25μm GaN HEMT器件尺寸缩放模型,并从器件级和电路级(C波段10元件功放电路)验证了尺寸缩放模型的小信号特性和功率特性精度。结果表明,本文提出的表面势基GaN HEMT器件模型,具有良好的精度、收敛性以及尺寸可扩展性能。

关键词： GaN HEMT 功率器件表面势基ASM模型大信号模型尺寸缩放

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CMOS晶体管毫米波大信号模型研究

CMOS晶体管毫米波大信号模型研究

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作者：王秋平电子科技大学

学位级别：硕士

智能家居、移动手机等无线通信设备的市场需求使得射频集成电路步入了高速发展的进程。成熟且低成本的CMOS工艺在集成度、截止频率方面都显现出了其巨大的应用价值。随着CMOS工艺节点不断减小,其截止频率不断增大,器件工作在高频时呈现... 详细信息

智能家居、移动手机等无线通信设备的市场需求使得射频集成电路步入了高速发展的进程。成熟且低成本的CMOS工艺在集成度、截止频率方面都显现出了其巨大的应用价值。随着CMOS工艺节点不断减小,其截止频率不断增大,器件工作在高频时呈现出的电磁效应以及谐波反应也更为复杂。在电路设计阶段,仿真对于提升集成电路的性能和成功率都有着极为重要的作用。晶体管Spice模型对电路的仿真结果有着直接的影响。因此,准确的器件模型是电路设计的根本。如何获取准确的高频器件模型成为了研究的关键所在。本文围绕晶体管的非线性大信号模型进行了一系列的研究工作,旨在于提升晶体管模型的精度。首先,对晶体管的去嵌入方法进行归纳和对比后,本文提出了一种改进的openshort去嵌入等效电路模型。该模型考虑了open去嵌结构中的金属过孔的损耗和各端口不同层金属之间的电容耦合效应,考虑了short去嵌结构中的端口耦合效应。测试去嵌入结构后,将模型结果与测试数据对比,对比结果表明新型的open-short模型的精度得到了提高。Open的散射参数的RMSE在0.0145以内,Short模型的RMSE在0.0082以内。其次,考虑到沟道电流磁场效应在晶体管尺寸较大时的不可忽略性,本文提出了一种改进的晶体管小信号等效电路模型。在模型中,用一个串联的RL支路来表征沟道电流磁场效应。通过与经典小信号模型进行对比,该模型在0-2GHz频段内显著提升了精度。S参数的均方根误差在0.063以内。在小信号等效电路的基础上,本文对大信号非线性模型进行了相关研究和改进。首先建立并改进了非线性电容模型,在小信号模型、电流模型和电容模型的基础上完成了晶体管的大信号模型。为了验证大信号模型,制造并测试了晶体管的芯片,结果证明该大信号模型在输出功率、增益和附加功率效益上都达到了较高精度。输出功率均方根误差(RMSE)小于0.233dBm,PAE的RMSE小于0.65%,增益的RMSE小于0.23 dB。

关键词：去嵌入方法小信号模型非线性电容模型电流模型大信号模型

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高功率微波GaN HEMT物理基大信号模型研究

高功率微波GaN HEMT物理基大信号模型研究

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作者：余秀玲电子科技大学

学位级别：硕士

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高功率密度、高频率、耐高温等特性,被广泛应用于5G基站通信以及雷达等领域。为了更好地指导器件和电路设计,研究GaN HEMT的等效电路模型十分有必要。目前,国内外学者在GaN HEMT的模型上进... 详细信息

氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）以其高功率密度、高频率、耐高温等特性,被广泛应用于5G基站通信以及雷达等领域。为了更好地指导器件和电路设计,研究GaN HEMT的等效电路模型十分有必要。目前,国内外学者在GaN HEMT的模型上进行了较多研究,主要包括经验基模型和物理基模型。其中,物理基模型具备工艺相关性和快速更新的特性,且能指导工艺和器件的改进,成为了研究热点。与此同时,随着无线通信和雷达对大功率器件需求的进一步提高,使得大功率器件的物理基模型成为了目前建模领域的一个重要研究方向。但大功率器件存在测试困难、多物理场耦合效应描述困难及物理基模型复杂等问题,给大功率器件的物理基建模带来了诸多挑战。对此,本文采用基于直接测量的物理基模型来研究器件在高功率条件下的输出特性,主要包括以下研究内容:1.大栅宽GaN HEMT小信号等效电路模型研究针对用于本次建模的高功率GaN器件无法直接在片测试的问题,采用基于夹具的在片测试方法并建立夹具模型,对测试数据进行去嵌。基于19元件小信号等效电路模型,建立了准确的小信号模型并完成了参数提取。*** HEMT物理基大信号模型研究首先,基于准物理基区域划分（QPZD）模型,改进了电子面密度ns模型,将饱和电流Imax模型在近夹断区的表征精度提高至95%以上。其次,针对高功率器件的高压工作特性,将物理基陷阱模型和自热模型嵌入了电流模型,建立了能准确表征高漏压情况的物理基电流模型。然后,针对高功率器件的场板对电容的影响,基于表面势理论推导了考虑场板的物理基电容解析表达式。最后,突破了物理基模型收敛性不佳、仿真速度慢的技术难点,建立了物理基大信号模型。*** HEMT物理基大信号模型的验证首先,分别在脉冲模式和连续波模式下对高功率GaN HEMT物理基大信号进行验证并计算模型精度。结果表明,在射频脉冲单音、连续单音、连续双音信号激励下,模型对器件的射频大信号特性的表征精度分别为93%、92%、93.64%以上,验证了物理基模型的准确性。然后,分析模型中关键物理参数对模型射频性能的影响并验证,进一步验证了物理基大信号模型的正确性。最后,基于以上工作,本文建立了与物理机理一致、表征精度高且适用于高功率条件下的物理基大信号模型。

关键词： GaN HEMT 高功率物理基大信号模型

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InP HBT器件大信号模型研究

InP HBT器件大信号模型研究

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作者：张海澎西安电子科技大学

学位级别：硕士

磷化铟（InP）是一种重要的半导体材料，广泛的应用于高频电路特别是微波毫米波电路领域。InP基的异质结双极晶体管（HBT）由于具有高频性能好、功率密度高以及抗干扰能力强等优点，逐渐成为未来无线通信及光纤通信应用中重要的高频电... 详细信息

磷化铟（InP）是一种重要的半导体材料，广泛的应用于高频电路特别是微波毫米波电路领域。InP基的异质结双极晶体管（HBT）由于具有高频性能好、功率密度高以及抗干扰能力强等优点，逐渐成为未来无线通信及光纤通信应用中重要的高频电子器件之一，应用前景广阔。但是其器件模型的发展还未成熟，仍处于探索阶段，本文就对InP HBT器件的大信号模型进行了研究。本文首先对HBT器件的特性进行了研究，研究了HBT大信号等效电路模型的发展，根据InP HBT器件本身的特点，基于SDD技术，建立了基于Agilent HBT模型的修正的InP HBT大信号等效电路模型。文中对模型的改进主要体现在对模型的集电极和基极电流进行了漏电流的修正，使模型更符合器件实际的特点，其次将模型自热网络由二阶RC网络简化为一阶RC网络，一阶的RC网络已经能够很好的描述器件的自热效应，而且简化之后，对模型热阻效应参数的提取更加简便。最后对模型进行了完整的参数提取，并比对仿真结果和测试结果，结果较为满意。

关键词：磷化铟异质结双极晶体管大信号模型

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GaN HEMT器件大信号模型研究

GaN HEMT器件大信号模型研究

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作者：范兴丹杭州电子科技大学

学位级别：硕士

近年来,GaN因其在高频和高功率微波器件中的潜在应用而越来越受欢迎。它具有宽的带隙和高的击穿电压,被称为第三代半导体材料。在用GaN材料制备的器件中,GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistors)是最重要的代表,在高频和高功率... 详细信息

近年来,GaN因其在高频和高功率微波器件中的潜在应用而越来越受欢迎。它具有宽的带隙和高的击穿电压,被称为第三代半导体材料。在用GaN材料制备的器件中,GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistors)是最重要的代表,在高频和高功率领域具有极其广泛的应用。为了充分发挥器件的潜力,需要精确而稳健的电路仿真。为了实现从GaN基HEMT器件到基于GaN基HEMT电路的可靠传递,精确的器件模型必不可少,此外,模型还需要良好的仿真收敛性和快速的模拟时间。本文以开发GaN HEMT器件大信号模型为研究内容,主要工作具体如下: (1)GaN HEMT器件大信号模型选择。首先阐述了GaN材料以及GaN HEMT器件的基本原理。然后对三种不同的非线性模型(Angelov,EEHEMT,MVG HEMT)的电流、电荷方程进行了讨论。并将三种模型应用于同一尺寸的GaN HEMT器件,并在同一测试条件下进行输出、转移等特性的仿真与测试对比。最后,根据对比结果为GaN HEMT器件大信号模型进行选型。 (2)GaN HEMT器件小信号模型的建立与验证。首先分析了小信号模型的参数提取方法,并对小信号模型进行了仿真验证,结果表明在宽频带范围内,提出的小信号模型精度良好。然后对GaN HEMT的在片测试技术进行了简要介绍,最后给出了GaN HEMT器件完整的测试方案。 (3)基于经验基EEHEMT模型,改进得到GaN HEMT大信号模型。模型对栅极电荷方程进行了优化改进,增强了电荷与漏压之间的依赖性;对栅泄漏电流,以及栅-源、栅-漏结二极管电荷模型进行了修正,提高了模型的拟合精度;以子模型集成方式,考虑了GaN HEMT器件的自热效应、陷阱效应、电流坍塌等高阶效应。 (4)GaN HEMT器件大信号模型研究与验证。具体介绍了改进的GaN HEMT大信号模型的参数提取流程,对提出的GaN HEMT大信号模型建立了尺寸缩放方程,得到了包含自热效应,陷阱效应和温度缩放的大信号尺寸缩放模型。最后从器件级和电路级对该模型的小信号特性和功率特性进行了对比验证,结果表明本文所提出的GaN HEMT大信号模型具有精度高、可扩展性强、收敛性好等优点,具有较高的工程运用价值。

关键词： GaN HEMT器件小信号模型大信号模型缩放模型参数提取

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GaAsFET大信号模型与参数提取

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半导体情报 1997年第5期34卷 1-5,9页

作者：高学邦蒋敬旗高建军电子工业部第十三研究所

提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号Ｓ参数，结果完全一致。

关键词：大信号模型参数提取砷化镓 FET

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四象限AC斩波电路大信号模型及纹波分析

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计算机仿真 2008年第12期25卷 251-253,262页

作者：惠晶赵冉蒋峰江南大学通信与控制工程学院江苏无锡214122

为解决四象限交流斩波电路在无功负载条件下的建模和纹波计算问题,应用电路大信号理论建立了电路工作在CCM模式下的大信号模型。然后,根据大信号模型推导出电路的纹波计算公式。最后,为验证大信号模型和纹波计算公式的正确性,利用PSPIC... 详细信息

为解决四象限交流斩波电路在无功负载条件下的建模和纹波计算问题,应用电路大信号理论建立了电路工作在CCM模式下的大信号模型。然后,根据大信号模型推导出电路的纹波计算公式。最后,为验证大信号模型和纹波计算公式的正确性,利用PSPICE软件对电路进行了仿真分析,并将仿真数据和理论计算进行了详细对比。实验结果证明,由大信号模型推导出的纹波计算公式具有相当高的精度,可用于四象限交流斩波电路的控制和纹波估计。

关键词：交流斩波大信号模型纹波计算无功负载

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