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考虑自热效应的GaN HEMT大信号模型
考虑自热效应的GaN HEMT大信号模型
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会第二届学术年会
作者： 陈力 杜江锋 罗谦 电子科技大学微固学院 成都610054
本文针对GaN HEMT器件显著的自热效应,通过改进原有的CURTICE大信号模型,建立了包括器件自热效应的大信号模型。模型参数通过实测的S参数曲线和静态直流I-V曲线提取.比较仿真结果与实测结果,拟合误差小于2.53％,吻合较好。改进后的模型... 详细信息
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一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型
一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型
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2004全国第十届微波集成电路与移动通信学术会议
作者： 刘军 孙玲玲 王静 文进才 杭州电子科技大学微电子CAD研究所
本文介绍一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型.通过HBT IC的应用现状将此模型的研究引入;详细阐释了模型拓扑和模型方程开发,且给出模型参数提取及仿真验证结果;最后通过总结得出结论.
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考虑多种效应的HBT大信号模型
考虑多种效应的HBT大信号模型
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'98全国第七届MIC电路及工艺会议
作者： 黄艺 沈楚玉 邮电学院 大学毫米波国家重点实验室
该文给出一种考虑多种效应的HBT大信号模型，这些效应包括器件的自热效应、发射区异质结中有效电子势垒的变化、以及集电极电流对耗尽层由容和传输时间的影响。模拟结果与测量数据的比较表明，该模型具有较好的精度。
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金刚石基GaN微波器件大信号模型研究
金刚石基GaN微波器件大信号模型研究
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2017年全国微波毫米波会议
作者： 闻彰 周建军 陆海燕 徐锐敏 徐跃杭 电子科技大学电子工程学院 南京电子器件研究所
本文针对金刚石基Ga N HEMT器件建立了热电微波大信号模型。采用室温静态I-V和高温脉冲I-V测试提取了器件热阻,验证了金刚石衬底氮化镓器件相较常用的碳化硅衬底氮化镓器件具有更小的热阻。并将金刚石基和碳化硅基Ga N HEMT器件的模型... 详细信息
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4H-SiCMESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现
4H-SiCMESFET新型大信号模型在ADS中的自定义实现
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第十六届全国半导体物理学术会议
作者： 曹全君 张义门 张玉明 张甲阳 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
4H-SiC MESFET 具有宽禁带、高功率密度、高热导率以及较宽的带宽等优点,在相控阵雷达、下一代通信基站、空间飞行器等领域具有广阔的应用潜力,日益受到广泛的关注。4H-SiC MESFET 大信号模型是利用 CAD 工具设计射频微波功率放大器等... 详细信息
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一个经验的GaAs HEMT大信号模型
一个经验的GaAs HEMT大信号模型
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2007年全国微波毫米波会议
作者： 吴颜明 孙玲玲 刘军 杭州电子科技大学微电子CAD所
提出一个经验的GaAs HEMT大信号等效电路模型,沟道电流及偏置相关的本征电容模型方程高阶连续可导。模型考虑了自热效应引起的热功率耗散,以及跨导/漏导频率分布效应。测量和仿真的Ⅰ-Ⅴ、S参数以及功率特性对比结果表明模型达到了良好... 详细信息
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三相单开关功率因数校正电路的简化大信号模型
三相单开关功率因数校正电路的简化大信号模型
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2000年中国电源新技术及应用研讨会
作者： 于相旭 侯振程 大学电气工程学院
该文根据三相Ｂｏｏｓｔ单开关功率因数校正（ＰＦＣ）电路的工作原理，从而得出其稳态控制特性和运行于临界导电模式的条件，又进一步提高简化模型，使其设计大为简化。大信号时域仿真表明：简化等效电路能正确反映原电路的大信号行为... 详细信息
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AlGaN/GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型
AlGaN/GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型
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作者： 刘春雨 西安电子科技大学
学位级别：硕士
AlGaN/GaN异质结具有高击穿电压、电荷密度、迁移率和饱和速度等显著的器件特性,在下一代通信和电力电子器件应用中表现出强大的工作潜力。特别是AlGaN/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管（MIS-HEMTs）,由于其相比于肖特基栅或P... 详细信息
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射频GaN HEMT经验基大信号模型参数提取方法及建模技术研究
射频GaN HEMT经验基大信号模型参数提取方法及建模技术研究
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作者： 毕磊 天津大学
学位级别：硕士
作为第三代半导体材料,氮化镓（GaN）以其高电子迁移率、高热导率等优势,更能满足通信设备、雷达系统等日益增长的器件大功率输出等特性需求。因此,GaN器件被广泛应用到功率放大器、振荡器、乘法器等大信号电路中。而晶体管模型作为电... 详细信息
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微波GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法研究
微波GaN HEMT物理基大信号模型参数提取方法研究
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作者： 张佳琪 电子科技大学
学位级别：硕士
随着通信设备、雷达等系统对器件大功率输出特性需求的逐步增加,第三代半导体材料应运而生。GaN作为第三代半导体材料中的代表材料,具有高电子迁移率、高击穿电场、高热导率等特性,相对于硅基或砷化镓等传统材料,基于GaN工艺所设计的功... 详细信息
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