检索结果-内蒙古大学图书馆

2019年全国微波毫米波会议

作者：李宜含徐锐敏延波徐跃杭电子科技大学电子工程学院

物理基的紧凑模型具有拟合参数少,物理意义较为明确等优点,本文针对0.25μm栅长的AlGaN/GaNHEMT开展了准物理基区域划分(QPZD)大信号模型参数提取研究,该模型能反映器件工作的物理机理,又可集成于电路仿真软件中进行大信号谐波平衡仿真... 详细信息

物理基的紧凑模型具有拟合参数少,物理意义较为明确等优点,本文针对0.25μm栅长的AlGaN/GaNHEMT开展了准物理基区域划分(QPZD)大信号模型参数提取研究,该模型能反映器件工作的物理机理,又可集成于电路仿真软件中进行大信号谐波平衡仿真,模型在0.1～40GHz内与实测结果吻合良好。

关键词： GaN HEMT 物理基区域划分大信号模型

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微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究

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电子科技大学学报 2017年第3期46卷 485-491页

作者：汪昌思徐跃杭闻彰陈志凯赵晓冬徐锐敏电子科技大学电子工程学院成都611731

针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌... 详细信息

针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了一种包含非线性热网络的电热大信号模型。该模型基于电热耦合理论,采用有限元电热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大信号负载阻抗的影响等。在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaN HEMTs器件,在0~40 GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热大信号模型。

关键词：场板氮化镓大信号模型自热效应热阻

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直流侧电流断续时不控整流器的动态大信号数学模型建立与验证

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中国电机工程学报 2010年第12期30卷 36-42页

作者：马凡马伟明付立军范学鑫叶志浩关涛舰船综合电力技术国防科技重点实验室(海军工程大学) 湖北省武汉市430033

通过将带LC滤波的桥式不控整流器近似为定直流脉波周期、定导电角的可控整流器与占空比极小的Boost斩波器级联的系统,提出直流侧电流断续模式(discontinuous current mode,DCM)下不控整流器的一种大信号建模方法,并运用开关函数和谐波... 详细信息

通过将带LC滤波的桥式不控整流器近似为定直流脉波周期、定导电角的可控整流器与占空比极小的Boost斩波器级联的系统,提出直流侧电流断续模式(discontinuous current mode,DCM)下不控整流器的一种大信号建模方法,并运用开关函数和谐波平衡原理,分别建立单相、三相桥式不控整流器DCM下的大信号数学模型,该模型具有非线性常微分代数方程组形式。通过与仿真模型进行对比,证明所常微分代数方程组形式。通过与仿真模型进行对比,证明所提出的建模方法是可行的,所建立的大信号数学模型能有效反映不控整流器源侧及负载侧的大扰动特性,且模型维数越高,计算结果越精确。

关键词：不控整流器电流断续模式大信号模型开关函数谐波平衡原理

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面向频率稳定性提升的VSG暂态稳定性增强方法

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中国电机工程学报 2025年第1期45卷 52-65,I0005页

作者：杨万里涂春鸣肖凡郭祺国家电能变换与控制工程技术研究中心(湖南大学) 湖南省长沙市410082

电网故障期间保持虚拟同步发电机(virtual synchronous generator,VSG)型变流器的暂态稳定性对系统安全稳定运行至关重要,频率稳定性是保持暂态稳定性的前提和基础,应优先考虑,而现有暂态稳定方法却极少关注。为此,该文提出一种面向频... 详细信息

电网故障期间保持虚拟同步发电机(virtual synchronous generator,VSG)型变流器的暂态稳定性对系统安全稳定运行至关重要,频率稳定性是保持暂态稳定性的前提和基础,应优先考虑,而现有暂态稳定方法却极少关注。为此,该文提出一种面向频率稳定性提升的VSG暂态稳定性增强方法,该方法可同时增强故障期间的暂态稳定性和频率稳定性。首先,全面分析2种故障类型下VSG的惯性和阻尼对暂态稳定性和频率稳定性的影响机理;然后,提出一种引入角频率偏差反馈的有功环控制,并基于小信号和大信号模型综合分析VSG的暂态响应;接着,给出一种考虑最优阻尼比的VSG参数设计方法;最后,通过实验验证理论分析和所提方法的正确性。

关键词：虚拟同步机暂态稳定性频率稳定性暂态响应最优阻尼比小信号模型大信号模型

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新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型

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微波学报 2010年第S1期26卷 424-426页

作者：刘莹国云川黄文电子科技大学电子工程学院成都610054

基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要... 详细信息

基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义,其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好,从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。

关键词： 4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管大信号模型经验电容模型遗传算法

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一种Buck变换器大信号非线性模型

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电源学报 2017年第1期15卷 62-68页

作者：韦李军黄萌孙建军查晓明武汉大学电气工程学院武汉430072

多变换器系统广泛应用于航天航空、舰船电源以及新能源发电中。随着应用条件的变化,多变换器系统的工作点大幅改变,其大信号稳定性是系统分析与设计的关键。由于电力电子变换器的复杂性,多变换器系统大信号详细建模往往面临阶数过高、... 详细信息

多变换器系统广泛应用于航天航空、舰船电源以及新能源发电中。随着应用条件的变化,多变换器系统的工作点大幅改变,其大信号稳定性是系统分析与设计的关键。由于电力电子变换器的复杂性,多变换器系统大信号详细建模往往面临阶数过高、工作模式过多等问题。首先以平均电流控制的Buck变换器为例,分析了变换器不同工作模式的特征;然后,基于变换器平均模型给出一种大信号非线性模型,该大信号模型在DCM和CCM模式下具有统一的数学表达,并实现了系统的降阶;最后,通过逐周期仿真,验证了该模型的准确性。

关键词：多变换器系统 Buck变换器大信号模型非线性模型

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一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法

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电子科技 2005年第8期18卷 14-17页

作者：曹全君张义门张玉明西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC ... 详细信息

提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法。该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳态分析法和高频小信号等效电路,模拟得到电流和电容的非线性特性,通过大信号等效电路,分析了建立4H-SiC MESFET大信号模型的途径。模拟与实验测试值的比较表明这种方法是可行的,可用于预先评估器件大信号工作时的非线性特性,指导4H-SiC MESFET的器件设计。

关键词： 4H-SiC MESFET 大信号模型射频

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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大信号I-V特性模型(英文)

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电子器件 2007年第2期30卷 353-355页

作者：常远程张义门张玉明曹全君王超西安电子科技大学微电子所教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏... 详细信息

对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是Al GaN/GaN HEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模型参数只有三个,但是Ids与Vgs的平方关系不符合实际,计算结果与测量数据有误差.我们在考虑了栅电压与漏电流的关系及不同栅压区漏电流随漏电压斜率改变的基础上,提出了改进的高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流特性模型.采用这个模型,计算了Al GaN/GaN HEMT器件的大信号I-V特性,并与实际测量数据进行了比较.实验结果表明改进的模型更精确,Ids与Vgs的呈2.5次方的指数关系.

关键词：器件模拟大信号模型 AlGaN/GaNHEMT I-V特性

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用一种效率高而精确的模型预测双栅GaAsMESFET的大信号微波性能

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微纳电子技术 1987年第5期 28-32页

作者： Asher Madjar 张俊杰

本文介绍了一种双栅GaAs MESFET的微波大信号模型。这种模型能预测小信号和大信号电路的器件性能。该模型是以前建立的普通MESFET模型的扩展。它依据的基本原理是器件性能与它的几何结构及物理参数的相关性。通过计算器件的直流曲线、... 详细信息

本文介绍了一种双栅GaAs MESFET的微波大信号模型。这种模型能预测小信号和大信号电路的器件性能。该模型是以前建立的普通MESFET模型的扩展。它依据的基本原理是器件性能与它的几何结构及物理参数的相关性。通过计算器件的直流曲线、小信号S参数和放太器的大信号模拟这三种性能,证明这种模型是精确而高效的。计算得到的性能和测量得到的性能非常一致。只是为了比较才给出了计算结果。对器件性能没有过多地进行全面的分析。

关键词：双栅 GaAsMESFET MESFET 双栅器件大信号模型器件性能直流特性效率高

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新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型

新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型

引用

2010年全国军事微波会议

作者：刘莹国云川黄文电子科技大学电子工程学院成都 610054

本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理，提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法，算法用MATLAB语言实现，与传统算法相比，经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的... 详细信息

本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理，提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法，算法用MATLAB语言实现，与传统算法相比，经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要参数具有一定的物理意义，其他拟合参数值也具有物理量级。模型仿真结果和实测数据拟合度较好，从而验证了所提出的大信号经验电容模型的准确性。

关键词： 4H-碳化硅金属半导体场效应晶体管大信号模型经验电容模型遗传算法

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