检索结果-内蒙古大学图书馆

电子与封装 2025年第3期25卷 108-122页

作者：兰梦伟姬峰王成伟孙浩洋杜建宇徐晋宏王晶张鹏哲王明伟北京遥感设备研究所北京100854 北京大学集成电路学院北京100091

电子器件正朝着高性能和小型化方向发展,频率、功率和集成度不断提高,其内部大功率芯片产生的热量急剧增加,不仅影响器件工作效率和稳定性,还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供耗散通道,... 详细信息

电子器件正朝着高性能和小型化方向发展,频率、功率和集成度不断提高,其内部大功率芯片产生的热量急剧增加,不仅影响器件工作效率和稳定性,还直接关系到整个系统的安全性和可靠性。大功率器件产生的热量主要依靠封装基板提供耗散通道,因此研究基板散热技术尤为重要。详细介绍了金属基板、陶瓷基板、复合材料基板等常规基板散热技术和微流道散热技术、相变散热技术、热电散热技术等新型基板散热技术的研究现状。其中,歧管微流道金刚石基板以及多种散热方式协同应用基板具备优异的冷却性能,有望大幅提高电子器件的功率和寿命。通过分析各种基板散热技术,期望为相关领域的研究和应用提供有价值的参考。

关键词：大功率器件基板散热冷却性能

来源：评论

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半导体制冷技术应用于大功率器件散热方面的研究

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煤炭技术 2012年第3期31卷 219-220页

作者：李冰任连勇李岩白城师范学院机械工程学院 93069部队张家口职业技术学院电气工程系

介绍了半导体制冷技术在大功率器件散热方面的实验研究成果,并对未来半导体制冷技术的应用进行了展望。半导体制冷又称为热电制冷或温差电制冷。它主要是帕尔帖效应在制冷技术方面的应用。这一技术有望比较精准的控制矿井电气设备中大... 详细信息

介绍了半导体制冷技术在大功率器件散热方面的实验研究成果,并对未来半导体制冷技术的应用进行了展望。半导体制冷又称为热电制冷或温差电制冷。它主要是帕尔帖效应在制冷技术方面的应用。这一技术有望比较精准的控制矿井电气设备中大功率电子器件温度,对于减小井下电器安全隐患有着现实的意义。

关键词：半导体制冷大功率器件 TEC NTC

来源：评论

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双层硅外延片在大功率器件中的应用

引用

半导体技术 1998年第4期23卷 40-43页

作者：谢夏云成都半导体材料厂

主要介绍了具有双层杂质浓度分布的硅外延片在改善或消除雪崩注入二次击穿、改善大电流特性以及改善高频特性等方面所起的重要作用，并介绍了具体工艺方法。

关键词：双层杂质浓度硅外延片大功率器件

来源：评论

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基于驱动时序及内匹配的大功率器件并联技术

基于驱动时序及内匹配的大功率器件并联技术

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作者：吴明进电子科技大学

学位级别：硕士

随着电力电子技术的发展,电力电子装置对大功率输出的要求越来越高,对半导体功率器件的电流能力和电压能力提出了新的要求。在设计电流容量较大的电力电子设备,需要大电流能力的开关控制器件时,一般会选择大电流能力的单个器件或者通过... 详细信息

随着电力电子技术的发展,电力电子装置对大功率输出的要求越来越高,对半导体功率器件的电流能力和电压能力提出了新的要求。在设计电流容量较大的电力电子设备,需要大电流能力的开关控制器件时,一般会选择大电流能力的单个器件或者通过选择多个小电流能力的器件并联使用。通过功率器件的并联实现大电流控制的方法具有结果简单,与小电流控制器兼容,成本较低等优势,因而比较受市场欢迎。由于制造工艺以及电路寄生参数的偏差,使功率器件的内匹配不均衡、驱动时序不一致,极大地影响并联后的均流效果,降低了器件的可靠性。不均流的出现要求各并联功率器件需要进行降额应用,浪费器件的电流能力,并且,电流较大器件的老化速度比其它器件快,减少了器件的寿命,同时也限制了整个控制电路的寿命。大功率器件的并联可以增加电力电子电路的电流能力,但是需要采取并联均流措施。在此背景下,本文通过具体分析内匹配与渠道时序对大功率器件并联均流的影响,以及当前主要的并联均流措施的实现机理,并分析各种方法的优劣性。针对大功率器件并联应用中存在的电流不均衡问题,提出一种大功率器件的均流实施方案,给出控制原理和实施电路框架结构。本文设计采用1um、40V高压工艺模型。结合大功率器件并联均流原理和实施框架结构,首先对芯片内部的均流控制电路、驱动电路、五阶温度补偿的参考电压、参考电流、过温保护、欠压保护进行分析设计与仿真。在各电路模块仿真通过后,紧接着对整体电路进行仿真,观察并联均流效果。在本设计的均流电路控制下,静态输出电流不均衡率由5.27%减小至0.396%,关断输出尖峰电流由22.79A减小至7.546A(仅仅略高于平均电流7.325A),并且关断输出电流和开启输出电流的一致性得到明显改善。

关键词：大功率器件并联均流驱动电路均流控制五阶温度补偿

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大功率器件的冷却措施

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今日电子 2006年第6期 41-43页

作者：徐明翔方佩敏天津大学电子信息学院北京航空航天大学

引言大功率器件、模块或超大规模集成电路在工作过程中有较大的损耗,产生大量的热量使器件或模块的温度升高,若不采取冷却措施,器件的管芯的温度会超过硅片的结温温度(150℃左右),管芯会因过热而烧毁.

关键词：大功率器件冷却措施超大规模集成电路温度升高安全工作模块管芯硅片

来源：评论

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大功率器件用高导热陶瓷γ-Si3N4和γ-Ge3N4热导率的理论研究

大功率器件用高导热陶瓷γ-Si3N4和γ-Ge3N4热导率的理论研究

引用

第九届无机材料结构、性能及测试表征技术研讨会（TEIM2018）

作者：向会敏周延春航天材料及工艺研究所

大功率器件中的陶瓷基片通过快速高效的散热保证器件的正常工作,因此陶瓷基板需要具备优良的导率性能和力学性能。现有的氧化铝基片无法满足电子设备功率的不断提高,而具有高导热性能的AlN和p-Si3N4则越来越引起人们的重视。但AlN较差... 详细信息

大功率器件中的陶瓷基片通过快速高效的散热保证器件的正常工作,因此陶瓷基板需要具备优良的导率性能和力学性能。现有的氧化铝基片无法满足电子设备功率的不断提高,而具有高导热性能的AlN和p-Si3N4则越来越引起人们的重视。但AlN较差的力学性能以及β-SiN各向异性的力学与热学性能制约了这两种材料的应用。寻找新型高导热陶瓷对电子设备的发展则显得更为重要。本

关键词：高导热陶瓷 Ge3N4 Si3N4 大功率器件热导率理论研究

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大功率器件Si与Mo连接用新型焊料的研究

大功率器件Si与Mo连接用新型焊料的研究

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首届全国贵金属学术研讨会

作者：邓忠民郑福前贵金属研究所

研究表明：ＡｇＡｌＧｅ作为硅功能器件硅与钼连续用的焊料，具有较低的焊温度，较高的结合界面的熔轮温度以及对硅腐蚀少的特点。研究还表明：在硅与钼的连接界面存在Ａｌ、Ｇｅ和金属间化合物Ａｇ〈，２〉Ａｌ。铝、锗与硅片和钼垫板... 详细信息

研究表明：ＡｇＡｌＧｅ作为硅功能器件硅与钼连续用的焊料，具有较低的焊温度，较高的结合界面的熔轮温度以及对硅腐蚀少的特点。研究还表明：在硅与钼的连接界面存在Ａｌ、Ｇｅ和金属间化合物Ａｇ〈，２〉Ａｌ。铝、锗与硅片和钼垫板相互扩散形成牢固的连接。

关键词：银铝锗合金焊接材料大功率器件硅钼焊接

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高压MOS大功率器件研究

高压MOS大功率器件研究

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作者：童亮复旦大学

学位级别：硕士

高压MOS大功率器件是在上世纪九十年代迅速发展起来的新型功率器件．由于其比其他功率器件有许多优良的性能，被工业界广泛应用。近年来，随着我国国民经济的迅猛增长，高压MOS大功率器件的市场需求旺盛。然而，该器件的核心技术日前仍... 详细信息

高压MOS大功率器件是在上世纪九十年代迅速发展起来的新型功率器件．由于其比其他功率器件有许多优良的性能，被工业界广泛应用。近年来，随着我国国民经济的迅猛增长，高压MOS大功率器件的市场需求旺盛。然而，该器件的核心技术日前仍被国外器件生产商所掌握。因此，自主研发，打破国外厂商的垄断就成为一项非常重要的工作。\n 在这篇论文里，对高压MOS大功率器件展开深入细致的研究工作，包括器件的源漏击穿电压，最大源漏电流，开启电压和导通电阻等参数的计算，器件纵向结构的选择，元胞尺寸和芯片结终端的版图设计，器件制程，相关参数测试以及可靠性评估等方面。现在已经成功开发出源漏击穿电压为600V，最大源漏电流为4A的N一沟道增强型高压MOS大功率晶体管，并已经投入批量生产，其性能达到了国外同类型产品的技术指标，而且为继续研制击穿电压更高，漏极电流更大的器件积累了经验。

关键词：高压大功率器件源漏击穿电压

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大功率器件参数分析解决方案

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今日电子 2012年第12期 69-70页

古时利将晶体管图示仪的量程和简化性与参数分析仪的精度和灵活性结合起来，针对大功率器件的参数曲线分析应用推出7种解决方案，这7种配置包括：最新版本的吉时利ACS（自动化特性分析会件）基本皈软件，它支持吉时利最新源表（SMU），... 详细信息

古时利将晶体管图示仪的量程和简化性与参数分析仪的精度和灵活性结合起来，针对大功率器件的参数曲线分析应用推出7种解决方案，这7种配置包括：最新版本的吉时利ACS（自动化特性分析会件）基本皈软件，它支持吉时利最新源表（SMU），并发挥2600B系列TSPLink技术的最大优势，在仪器之间实现500ns的触发同步。

关键词：大功率器件器件参数 Link技术分析应用参数曲线最新版本触发同步吉时利

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大功率器件导热绝缘材料试验分析

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航天控制 1984年第2期 49-53页

作者：王尉郑玉林

无线电电子设备,特别是电源设备,都离不开大功率发热元、器件(大功率晶体管、稳压块等),如果热设计考虑不周,没有采取有效的散热措施,势必造成设备与大功率元、器件温升较高。如一台体积为165×290×200mm~3、损耗功率为100瓦... 详细信息

无线电电子设备,特别是电源设备,都离不开大功率发热元、器件(大功率晶体管、稳压块等),如果热设计考虑不周,没有采取有效的散热措施,势必造成设备与大功率元、器件温升较高。如一台体积为165×290×200mm~3、损耗功率为100瓦的电源设备,在环境温度为+55℃条件下,连续工作四小时,机内印制板间最高温度可达+103℃,从而降低使用可靠性,这是不允许的。因此,搞好电子设备大功率器件的热设计是十分必要的。

关键词：导热绝缘热设计热阻热传导大功率器件导热绝缘胶

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