检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：赵涤燹 610000 四川省成都市天府新区华阳街道滨河路二段9号翠拥天地153栋1楼2号

本发明公开了适用于W波段大功率应用的砷化镓多路功率合成放大器；放大器由五级共源级放大器级联构成，其中，输出级放大器使用八个50μm*4的晶体管进行功率合成，第四级使用与输出级相同尺寸及数量的晶体管，从第三级开始到输入级，晶... 详细信息

标准号: CN107800393A

本发明公开了适用于W波段大功率应用的砷化镓多路功率合成放大器；放大器由五级共源级放大器级联构成，其中，输出级放大器使用八个50μm*4的晶体管进行功率合成，第四级使用与输出级相同尺寸及数量的晶体管，从第三级开始到输入级，晶体管的总宽度为输出级的一半，该放大器还包括输入级、中间级以及输出级前后的无源网络；输出级提高了功率放大器的输出功率和稳定性，第四级确保输出级的输出功率能够达到饱和，第二级与第三级通过减小单个晶体管宽度的方法减小晶体管总宽度，提高了功率放大器的增益，输入级放大器通过减少沟道数的方法减小晶体管总宽度，提高了输入环路的稳定性；各个无源网络同时具备直流供电、阻抗匹配和功率分配/合成的功能。

关键词：输出级晶体管放大器减小功率放大器输出功率无源网络第三级输入级多路功率合成输出级放大器输入级放大器大功率应用单个晶体管放大器级联功率分配功率合成输入环路直流供电阻抗匹配共源级砷化镓中间级沟道饱和合成

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一种支持电池包大功率应用的汇流排

一种支持电池包大功率应用的汇流排

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作者：侯晓华郭维 215347 江苏省苏州市昆山市祖冲之南路1699号1003室

本发明公开了一种支持电池包大功率应用的汇流排，包括多块导电片，每块导电片上设置有一对接线端子，该对接线端子沿导电片的长度方向设置，位于该对接线端子之间的一段导电片为弧形凸起结构，所述弧形凸起结构沿导电片的宽度方向设置... 详细信息

标准号: CN104393224B

本发明公开了一种支持电池包大功率应用的汇流排，包括多块导电片，每块导电片上设置有一对接线端子，该对接线端子沿导电片的长度方向设置，位于该对接线端子之间的一段导电片为弧形凸起结构，所述弧形凸起结构沿导电片的宽度方向设置，所述相邻导电片之间设置有连接块，所述连接块也为弧形凸起结构，弧形凸起结构的连接块的两弧形端部分别于相邻导电片的弧形凸结构起连接，所述连接块与导电片的弧形凸结构连接构成一整的弧形凸起结构。本发明通过的接线端子连接电池的极柱，通过导电片上的弧形凸起结构以及弧形凸起结构的连接块实现了各极柱之间的弹性连接，同时连接块也能够起均流的作用。

关键词：导电片弧形凸起结构对接线端子凸结构极柱长度方向设置接线端子连接大功率应用弹性连接弧形端部接线端子电池包汇流排多块均流电池

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面向多旋翼重载无人机均流技术优化研究

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导航定位与授时 2022年第6期9卷 108-121页

作者：马慧圆霍冉李家昌西安科技大学管理学院西安科技大学电气与控制工程学院

多旋翼重载无人机的应用需要大功率的无刷直流电机为其提供升力。金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等开关器件可以通过并联提供更大的电流容量，以满足大功率的需求。然而，由于杂散电感、器件特性的... 详细信息

多旋翼重载无人机的应用需要大功率的无刷直流电机为其提供升力。金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等开关器件可以通过并联提供更大的电流容量，以满足大功率的需求。然而，由于杂散电感、器件特性的变化和印制电路板(PCB)布局的不对称等原因，并联开关器件将出现不平衡电流，这可能会对系统造成损坏。为解决此问题，使用Multisim软件搭建仿真电路，测量2个并联MOSFET之间的电流，分析不平衡电流产生的具体原因，并提出了一种采用栅极串联均流电阻联合耦合电感的MOSFET并联电流均衡方法，最后通过仿真和实验验证了该方法的可行性。与串联均流电阻法和耦合电感法相比，此方法能使导通电流保持均衡，更好地提高系统的可靠性。

关键词：重载无人机并联均流 Multisim仿真大功率应用

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空间超声电机用大功率压电陶瓷的制备及性能研究

空间超声电机用大功率压电陶瓷的制备及性能研究

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作者：石晶晶南京航空航天大学

学位级别：硕士

航空用超声电机的工作环境愈发严苛,对压电陶瓷的性能的要求也更高。超声电机用压电陶瓷以PZT压电陶瓷为主,而PZT-PMS压电陶瓷以其优良的压电性能而受到研究者们的重视。本课题在PZT-PMS-PIN四元压电陶瓷研究的基础上,探索了其极化与老... 详细信息

航空用超声电机的工作环境愈发严苛,对压电陶瓷的性能的要求也更高。超声电机用压电陶瓷以PZT压电陶瓷为主,而PZT-PMS压电陶瓷以其优良的压电性能而受到研究者们的重视。本课题在PZT-PMS-PIN四元压电陶瓷研究的基础上,探索了其极化与老化的工艺,引入了稀土元素Yb,并研究了该压电陶瓷的微观结构、电学性能性能、大功率性能与经时稳定性。此外,为降低其烧结温度,本文还引入了CuO探索了其低温烧结的各项性能。为确定PZT-PMS-PIN压电陶瓷的最佳极化工艺,实验研究了不同极化时间、极化温度与极化场强对0.92Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.03Pb(In1/2Nb1/2)O3压电陶瓷电学性能的作用。结果表明,极化温度为120℃,极化时间15min,极化场强为3.5倍矫顽场时获得最佳的电学性能:εr=1326,tanδ=0.49%,d33=439,kp=0.61,Qm=1425。采用传统固相烧结法制备了0.92Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.03Pb(In1/2Nb1/2)O3-y Yb（y=0.1mol%,0.2mol%,0.4mol%,0.6mol%,0.7mol%）压电陶瓷并进行了微观结构与电学性能、大功率性能以及老化性能的研究。实验结果表明,Yb的掺杂可以改变基体的晶体结构,在Yb含量大于0.4mol%后偏离准同型相界,并在该掺杂量处获得最高的内置偏场Ei与机械品质因数Qm值为1492,d33为439,虽相较于0.2mol%Yb处略有下降,却在20℃温升下呈现出最大的振动速率vm=0.81m/s,大大高于商用的大功率压电陶瓷PZT-8。该压电陶瓷在极化后的压电常数呈降低趋势,且分为三个阶段:1-10天内呈直线下降,11-60天内下降趋势愈发减缓,61-120天内基本不再变化。采用CuO掺杂对0.92Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.03Pb(In1/2Nb1/2)O3压电陶瓷进行了低温烧结研究,实验证明CuO没有改变基体的相结构,均在准同型相界内。当CuO添加量为1.0wt%时陶瓷可以在900℃烧结得到良好的电学性能:d33=360p C/N,Qm=1130,kp=0.54,tanδ=0.41%,εr=1340。为了进一步改善其压电性能,进一步引入了Yb元素进行掺杂,在0.4mol%Yb处获得了陶瓷的最佳性能:d33=386p C/N,Qm=1580,kp=0.47,tanδ=0.47%,εr=1412.23。

关键词： Yb掺杂压电陶瓷大功率应用低温烧结超声电机

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一种铁镍磁芯及其制备方法和应用

一种铁镍磁芯及其制备方法和应用

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作者：鄢传军吴天宝周文良蒋仲翔 511500 广东省清远市清城区石角镇广州(清远)产业转移工业园致远路1号

本发明公开了一种铁镍磁芯及其制备方法和应用。本发明的铁镍磁芯的制备方法包括以下步骤：1)制备Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末；2)制备含Si‑Ti‑Al复合氧化物层的Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末；3)制备由含Ti‑Al复合金属层的Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末和Fe‑Ni粉末... 详细信息

标准号: CN116864294B

本发明公开了一种铁镍磁芯及其制备方法和应用。本发明的铁镍磁芯的制备方法包括以下步骤：1)制备Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末；2)制备含Si‑Ti‑Al复合氧化物层的Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末；3)制备由含Ti‑Al复合金属层的Fe‑Ni‑Si‑Ti‑Al粉末和Fe‑Ni粉末组成的混合粉末；4)将混合粉末、硅树脂和偶联剂混合后进行压制成型和退火，即得铁镍磁芯。本发明的铁镍磁芯具有弯曲强度高、磁导率高、功耗低等优点，且其制备工艺简单、生产成本低，可以用作大功率应用场景的直流变换器中电感的磁芯，适合进行大规模推广应用。

关键词：磁芯铁镍制备混合粉末制备方法和应用退火复合氧化物层大功率应用复合金属层生产成本低直流变换器制备工艺磁导率硅树脂偶联剂功耗场景

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一种GaN基HEMT及其制备方法和应用

一种GaN基HEMT及其制备方法和应用

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作者：李国强罗玲吴能滔 510641 广东省广州市天河区五山路381号

本发明公开了一种GaN基HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括源极、栅极、漏极和GaN帽层，源极、栅极和漏极中至少有一个设置有场板。本发明的... 详细信息

标准号: CN115939188A

本发明公开了一种GaN基HEMT及其制备方法和应用。本发明的GaN基HEMT的组成包括依次层叠设置的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和钝化层，还包括源极、栅极、漏极和GaN帽层，源极、栅极和漏极中至少有一个设置有场板。本发明的GaN基HEMT的制备方法包括以下步骤：1)在衬底上依次外延生长GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和GaN帽层；2)沉积钝化层；3)沉积源极和漏极；4)沉积栅极；5)沉积场板。本发明的GaN基HEMT具有击穿电压大、稳定性和可靠性高等优点，且其制备方法简单、可行性高、可重复性高，适合在高温、高压条件下的大功率应用。

关键词：漏极场板衬底帽层源极沉积制备制备方法和应用沉积钝化层大功率应用高压条件击穿电压可重复性外延生长依次层叠沉积源钝化层

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一种铁镍磁芯及其制备方法和应用

一种铁镍磁芯及其制备方法和应用

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作者：鄢传军吴天宝周文良蒋仲翔 511500 广东省清远市清城区石角镇广州(清远)产业转移工业园致远路1号

标准号: CN116864294A

关键词：磁芯铁镍制备混合粉末制备方法和应用退火复合氧化物层大功率应用复合金属层生产成本低直流变换器制备工艺磁导率硅树脂偶联剂功耗场景

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MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究

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电子与封装 2014年第6期14卷 32-36页

作者：彭朝飞陈万军孙瑞泽阮建新张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安... 详细信息

针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。

关键词：组合式绝缘栅晶体管栅控晶闸管大功率应用脉冲放电

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大功率宽带功分器

大功率宽带功分器

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作者：朱琦张国庆 215600 江苏省苏州市张家港保税区金港路266号1号楼

本申请公开了一种大功率宽带功分器，包括PCB板，PCB板的顶端设有输入端，PCB板上设有一对输出端，一对输出端分别通过一对第一传输线与输入端连接，第一传输线上设有第一耦合线，第一耦合线上连接有第二传输线，两个第二传输线相背的... 详细信息

标准号: CN117393979A

本申请公开了一种大功率宽带功分器，包括PCB板，PCB板的顶端设有输入端，PCB板上设有一对输出端，一对输出端分别通过一对第一传输线与输入端连接，第一传输线上设有第一耦合线，第一耦合线上连接有第二传输线，两个第二传输线相背的一端连接有大功率贴片电阻，PCB板上设有与大功率贴片电阻配合的第一金属化过孔，PCB板上设有宽带反向器。该大功率宽带功分器通过将第二节四分之一波长传输线用耦合线替代实现功分器的带宽拓宽；通过将传统gysel功分器两隔离电阻之间半波长传输线用宽带反向器的替代，实现功分器带宽的拓宽；将功分器的隔离电阻通过金属化过孔接地，实现电阻的有效散热，提高电路的功率容量,满足大功率应用场合的需求。

关键词：传输线功分器耦合线金属化过孔宽带功分器隔离电阻贴片电阻反向器输出端宽带四分之一波长传输线半波长传输线大功率应用输入端连接带宽拓宽功率容量一端连接有效散热接地输入端替代电阻相背带宽电路申请配合

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用于改善的热性能的功率半导体器件的布置

用于改善的热性能的功率半导体器件的布置

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作者：布赖斯·麦克弗森本杰明·A·桑普尔斯布兰东·帕斯莫尔美国北卡罗来纳州

公开了功率半导体器件，更具体地，公开了用于大功率应用中的改善的热性能的功率半导体器件的布置。提供了用于封装和/或模块内的多个功率半导体器件(12)的布置，其针对给定的操作规范更有效地利用每个功率半导体器件的有源器件区域。... 详细信息

标准号: CN118160091A

公开了功率半导体器件，更具体地，公开了用于大功率应用中的改善的热性能的功率半导体器件的布置。提供了用于封装和/或模块内的多个功率半导体器件(12)的布置，其针对给定的操作规范更有效地利用每个功率半导体器件的有源器件区域。提供了特定布置，其减少了热聚集的影响以便在减小的设备尺寸中提供增加的功率能力或类似功率能力。可通过下一相邻的功率半导体器件之间的能变间距(S)和/或能变偏移距离(D)提供改善的热平衡。以此方式，功率器件和/或模块的有源区域可包括在给定区域内的功率半导体器件的增加的密度，同时还呈现在操作期间的改善的热剖面，从而提供改善的操作特性和/或增加的操作寿命。

关键词：功率半导体器件功率能力大功率应用操作规范操作期间操作特性给定区域功率器件偏移距离热平衡热剖面热性能有效地源器件源区域减小封装

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