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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

33 篇 专利

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33 篇 电子文献
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机构

10 篇 朗姆研究公司
2 篇 北京兆易创新科技...
2 篇 中国科学院长春光...
2 篇 北京泽石科技有限...
2 篇 合肥格易集成电路...
2 篇 西安格易安创集成...
2 篇 西南交通大学
2 篇 华为技术有限公司
2 篇 北京航空航天大学
2 篇 泽石科技有限公司
2 篇 济南大学
1 篇 凯为有限责任公司
1 篇 应用材料公司
1 篇 巴伊兰大学
1 篇 瓦伦西亚大学
1 篇 中国航空工业集团...
1 篇 成都赛力斯科技有...
1 篇 南京鼓楼医院
1 篇 西安电子科技大学
1 篇 凯为公司

作者

7 篇 约瑟亚·科林斯
7 篇 格里芬·约翰·肯尼...
7 篇 帕特里克·范克利蒙...
5 篇 施卢蒂·维维克·托...
5 篇 米卡尔·达内克
4 篇 汉娜·班诺乐克
4 篇 照健·史蒂文·黎
4 篇 戈鲁恩·布泰尔
4 篇 拉什纳·胡马雍
3 篇 汉娜·班诺克尔
3 篇 塞沙萨耶·瓦拉达拉...
2 篇 t·丹尼尔
2 篇 丹尼斯·m·豪斯曼
2 篇 黎大兵
2 篇 李冰
2 篇 安德鲁·约翰·麦克...
2 篇 宋航
2 篇 林延凌
2 篇 陈一仁
2 篇 侯志彬

语言

33 篇 中文

检索条件"主题词=存储器应用"

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排序：

一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用

一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用

引用

作者：张昆陈磊李博张悦赵巍胜 100191 北京市海淀区学院路37号

本发明公开了一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用，所述梯度合成反铁磁包括：衬底、第一梯度层、反铁磁耦合层、第二梯度层；所述反铁磁耦合层位于所述第一梯度层与所述第二梯度层之间；通过所述反铁磁耦合层对所述第一... 详细信息

标准号: CN114824062B

本发明公开了一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用，所述梯度合成反铁磁包括：衬底、第一梯度层、反铁磁耦合层、第二梯度层；所述反铁磁耦合层位于所述第一梯度层与所述第二梯度层之间；通过所述反铁磁耦合层对所述第一梯度层与所述第二梯度层反铁磁耦合；所述第一梯度层与所述第二梯度层梯度相反。自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁的热稳定性有极大提高，且翻转电流密度相比传统磁隧道结显著降低，能够实现超高密度、超低功耗信息存储。

关键词：梯度层反铁磁耦合层反铁磁合成自旋存储器应用反铁磁耦合驱动超低功耗磁隧道结热稳定性信息存储翻转衬底轨道

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一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用

一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用

引用

作者：张昆陈磊李博张悦赵巍胜 100191 北京市海淀区学院路37号

标准号: CN114824062A

关键词：梯度层反铁磁耦合层反铁磁合成自旋存储器应用反铁磁耦合驱动超低功耗磁隧道结热稳定性信息存储翻转衬底轨道

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一种基于航空应用的国产化存储器应用验证方法

一种基于航空应用的国产化存储器应用验证方法

引用

作者：吴蓬勃梁争争许少尉陈思宇张晓敏 710119 陕西省西安市锦业二路15号

本发明提供一种基于航空应用的国产化存储器应用验证方法，依次包括以下步骤：1】存储器芯片检测；2】板级功能性测试；3】板级性能测试；4】整机级验证；5】综合分析评价；本发明为国产化存储器在航空武器系统上的应用进行了基础环境... 详细信息

标准号: CN103700407B

本发明提供一种基于航空应用的国产化存储器应用验证方法，依次包括以下步骤：1】存储器芯片检测；2】板级功能性测试；3】板级性能测试；4】整机级验证；5】综合分析评价；本发明为国产化存储器在航空武器系统上的应用进行了基础环境适应性验证，能够验证各种存储器单一内存单元故障，单一内存单元反转故障，单元间耦合故障内存故障，单元敏化故障，单元逻辑值经过一些周期由于漏电而改变的数据保持故障，为航空武器系统的国产化研制提供了有利保障。

关键词：国产化存储器单一内存武器系统验证板级存储器芯片存储器应用功能性测试漏电单元故障航空应用基础环境内存故障数据保持性能测试验证方法耦合单元间逻辑值航空综合分析反转敏化一种整机检测研制有利应用评价改变保障进行

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测试系统及其测试方法

测试系统及其测试方法

引用

作者：程天骏 100085 北京市海淀区上地东路1号院1号楼2层203-1室

本发明公开了一种测试系统及其测试方法。其中，该测试系统包括：用户终端，接收测试任务，其中，测试任务包括：测试参数和测试脚本代码；测试用插槽，用于放置待测试的样品；测试控制器，与用户终端进行互联通信，用于运行上传的测试... 详细信息

标准号: CN112486748A

本发明公开了一种测试系统及其测试方法。其中，该测试系统包括：用户终端，接收测试任务，其中，测试任务包括：测试参数和测试脚本代码；测试用插槽，用于放置待测试的样品；测试控制器，与用户终端进行互联通信，用于运行上传的测试任务，生成控制指令，将控制指令发送给测试执行器；测试执行器，测试执行器与测试控制器互联通信，且与测试用插槽相连，用于将接收到的控制指令通过具有硬件加速器的数据通路经由物理接口发送至样品，控制样品执行对应的测试操作，并收集测试执行结果。本发明解决了现有技术中的测试系统中的接口控制器基于存储器应用进行设计，由于测试过程耗时较长，导致测试效率低的技术问题。

关键词：测试测试执行器测试系统测试控制器互联通信控制指令用户终端插槽测试脚本代码存储器应用接口控制器硬件加速器测试参数测试操作测试过程测试效率测试执行接收测试生成控制数据通路物理接口上传耗时发送指令

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一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置

一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置

引用

作者：王松明 610000 四川省成都市金牛区茶店子东街48号

本发明公开了一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置，属于存储器应用领域，包括：三个相同的单端口存储器和一个多输入多输出的映射逻辑电路模块，映射逻辑电路根据写端口信号产生写地址控制信息，并映射连接到所述三个单端口... 详细信息

标准号: CN117976017A

本发明公开了一种单端口存储器实现两端口存储器的方法及装置，属于存储器应用领域，包括：三个相同的单端口存储器和一个多输入多输出的映射逻辑电路模块，映射逻辑电路根据写端口信号产生写地址控制信息，并映射连接到所述三个单端口存储器信号端的端口上，将数据写入所述单端口存储器中的一个；映射逻辑电路根据读端口信号和存储器读/写地址起始位相差的固定值产生读地址控制信息，并映射连接到所述三个单端口存储器信号端的端口上，从单端口存储器中的另外一个读取数据，实现存储器读/写地址起始位相差固定值的处理时钟周期的功能。本发明可以减小电路的面积开销，降低电路的成本。

关键词：单端口存储器写地址映射逻辑电路存储器读控制信息起始位映射电路映射逻辑电路模块两端口存储器存储器应用读端口信号面积开销时钟周期信号产生读地址多输出写端口减小写入

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一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品

一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品

引用

作者：杨锋刘芬林延凌季凤岐 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号

本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太... 详细信息

标准号: CN110590403B

本发明公开了一种外延高电导BFCO光电固溶薄膜的制备方法及所得产品，步骤包括：配制前驱体溶液，在衬底上采用层层退火工艺制备薄膜，每层薄膜制备时的温度为70‑90℃，甩膜时的湿度为11‑15%，退火气氛为氮气。本发明对实验设备没有太高的要求，可精确控制原料化学计量比，工艺简单操作方便，所得薄膜即具有较高的电导又具有较好的铁电性，对于其在铁电调控逻辑器件以及阻性存储器应用方面有着很好的应用前景。

关键词：薄膜制备氮气层层退火工艺存储器应用前驱体溶液薄膜制备逻辑器件实验设备退火气氛原料化学高电导铁电性衬底电导固溶甩膜铁电阻性配制计量调控应用

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一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器

一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器

引用

作者：陈一仁宋航黎大兵蒋红缪国庆李志明孙晓娟张志伟 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)... 详细信息

标准号: CN108091657B

本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si₃N₄材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si₃N₄材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏，提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元，有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途，弥补其在存储器应用领域的空白，利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。

关键词：台面非易失性存储器单元高电子迁移率晶体管 Ⅲ族氮化物氮化物材料阻抗开关忆阻器非易失性存储器件非易失性存储器单片光电集成氮化物半导体存储器应用发光二极管光电探测器激光二极管隧穿势垒层状态稳定性存储功能光电探测开关过程漏电通道新用途制备半导体发光激光缓解开发

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存储器及其制备方法、电子设备

存储器及其制备方法、电子设备

引用

作者：张珂豪黄伟川陈东奇焦慧芳林军 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

本申请提供一种存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于简化存储器的制备工艺，降低存储器的制备成本，提高存储器的良率。该存储器包括衬底、晶体管、第一介电层、第一连接部、接触部和第二介电层。晶体管位于衬底上... 详细信息

标准号: CN117098390A

本申请提供一种存储器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于简化存储器的制备工艺，降低存储器的制备成本，提高存储器的良率。该存储器包括衬底、晶体管、第一介电层、第一连接部、接触部和第二介电层。晶体管位于衬底上，晶体管包括第一极。第一介电层位于晶体管上。第一连接部穿过第一介电层与第一极电连接。接触部位于第一连接部上，且与第一连接部电连接。接触部远离第一连接部的端面为第一端面，接触部的与第一连接部电连接的端面为第二端面，接触部还包括连接第一端面和第二端面的侧面，侧面为曲面。第二介电层的至少部分位于任意相邻的两个接触部之间。上述存储器应用于电子设备中，以提高电子设备的良率。

关键词：第一连接部介电层存储器晶体管电子设备电连接第一极衬底良率制备半导体技术领域存储器应用简化存储器接触部位制备工艺侧面穿过申请

来源：评论

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一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器

一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器

引用

作者：陈一仁宋航黎大兵蒋红缪国庆李志明孙晓娟张志伟 130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号

标准号: CN108091657A

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一种存储芯片的数据管理方法及装置

一种存储芯片的数据管理方法及装置

引用

作者：胡德民唐如意徐开庭于红超李元 610095 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府二街151号1栋1单元29层2901号

本申请涉及存储器应用技术领域，提供了一种存储芯片的数据管理方法及装置。存储芯片为EEPROM，该数据管理方法包括：通过通讯接口连接存储芯片；建立存储芯片与本地内存的映射关系，根据映射关系将存储芯片中的存储数据同步到本地内存... 详细信息

标准号: CN116483281A

本申请涉及存储器应用技术领域，提供了一种存储芯片的数据管理方法及装置。存储芯片为EEPROM，该数据管理方法包括：通过通讯接口连接存储芯片；建立存储芯片与本地内存的映射关系，根据映射关系将存储芯片中的存储数据同步到本地内存中；当接收到对于存储芯片的数据读指令，在本地内存中读取数据读指令对应的第一目标数据并返回；当接收到对于存储芯片的数据写指令，在本地内存中写入数据写指令对应的第二目标数据，然后将本地内存中的第二目标数据同步至存储芯片。本申请建立存储芯片与本地内存的映射关系，将数据写指令和数据读指令的执行位置从原本的存储芯片更换至本地内存，不再考虑存储芯片的读写特性，读写效率得到明显提升。

关键词：存储芯片内存目标数据映射关系数据读指令数据写指令数据管理存储器应用存储数据读写特性通讯接口写入数据读指令写指令读写申请返回

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