检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

19 篇 专利

馆藏范围

19 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

8 篇 英特尔公司
5 篇 美光科技公司
2 篇 苹果公司
2 篇 广达电脑股份有限...
1 篇 意法半导体股份有...
1 篇 德克萨斯仪器股份...

作者

4 篇 t·m·布鲁尔
3 篇 r.k.拉马努简
3 篇 t.托马斯
3 篇 m.p.斯瓦米纳桑
3 篇 t.波尔佩迪
3 篇 b.奈尔
2 篇 周乐生
2 篇 施思勤
1 篇 s·比斯韦斯
1 篇 g·威廉姆斯三世
1 篇 k·l·熊
1 篇 l·n·m·努卡拉
1 篇 g·加尔格
1 篇 v·j·梅内泽斯
1 篇 j·瓦什
1 篇 纳达夫·博南
1 篇 h·科斯拉维
1 篇 s·j·凯尔
1 篇 k·c·i·张
1 篇 g·s·马修斯

语言

19 篇 中文

检索条件"主题词=存储器控制器电路"

共 19 条记录，以下是11-20 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

I/O代理

I/O代理

引用

作者： G·加尔格 S·拉哈夫 L·勒维-鲁宾 G·威廉姆斯三世 S·纳萨尔 P·H·哈马兰德 H·考施卡 S·R·斯里达兰 J·高宁恩 J·瓦什美国加利福尼亚

公开了涉及计算机系统的I/O代理电路的技术。该I/O代理电路可从外围部件接收执行被定向到多个高速缓存行中的一个或多个高速缓存行的一组读取事务的一组事务请求。该I/O代理电路可向被配置为管理对该多个高速缓存行中的第一高速缓存行... 详细信息

标准号: CN117099088A

公开了涉及计算机系统的I/O代理电路的技术。该I/O代理电路可从外围部件接收执行被定向到多个高速缓存行中的一个或多个高速缓存行的一组读取事务的一组事务请求。该I/O代理电路可向被配置为管理对该多个高速缓存行中的第一高速缓存行的访问的第一存储器控制器电路发出对该第一高速缓存行的排他性读取所有权的请求，使得该第一高速缓存行的数据不以有效状态高速缓存在该存储器和该I/O代理电路之外。该I/O代理电路可接收该第一高速缓存行的排他性读取所有权，包括接收该第一高速缓存行的该数据。该I/O代理电路可接着执行关于该数据的该组读取事务。

关键词：高速缓存行代理电路读取所有权存储器控制器电路事务请求外围部件有效状态存储器计算机系统事务配置访问管理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于存储器配置的动态变换的体系结构

用于存储器配置的动态变换的体系结构

引用

作者：纳达夫·博南朱里斯·曼德尔布拉特尼尔·苏切尔美国加利福尼亚州

一个实施例提供了一种装置。该装置包括第一存储器控制器电路，用于控制经由第一导电总线对第一存储器电路的读取和/或写入访问。该装置包括第二存储器控制器电路，用于控制经由第二导电总线对第二存储器电路的读取和/或写入访问。该装... 详细信息

标准号: CN111886575A

一个实施例提供了一种装置。该装置包括第一存储器控制器电路，用于控制经由第一导电总线对第一存储器电路的读取和/或写入访问。该装置包括第二存储器控制器电路，用于控制经由第二导电总线对第二存储器电路的读取和/或写入访问。该装置包括耦合到第一存储器控制器电路和第二存储器控制器电路的电力控制电路。电力控制电路将数据从经由第二导电总线利用第二存储器控制器电路的第二存储器电路传送到经由第一导电总线利用第一存储器控制器电路的第一存储器电路。电力控制电路在将数据从第二存储器电路传送到第一存储器电路之后使第二存储器电路掉电。电力控制电路减小该装置的电力消耗并且可增大该装置的电池寿命。

关键词：第二存储器电力控制电路导电总线存储器控制器电路存储器电路控制器电路读取电路写入电池寿命电力消耗电路掉电耦合到减小访问

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

存储器控制器

存储器控制器

引用

作者： T·M·布鲁尔美国爱达荷州

本发明公开一种存储器控制器电路(100)，其可耦合到第一存储器电路(125)，例如DRAM，并且包含：第一存储器控制电路(155)，其从所述第一存储器电路读取或对所述第一存储器电路写入；第二存储器电路(175)，例如SRAM；第二存储器控制电路(... 详细信息

标准号: CN111656335A

本发明公开一种存储器控制器电路(100)，其可耦合到第一存储器电路(125)，例如DRAM，并且包含：第一存储器控制电路(155)，其从所述第一存储器电路读取或对所述第一存储器电路写入；第二存储器电路(175)，例如SRAM；第二存储器控制电路(160)，其被调适成当所述所请求的数据存储于所述第二存储器电路中时，响应于读取的读取请求而从所述第二存储器电路读取，否则将所述读取请求传送到所述第一存储器控制电路；预定原子操作电路系统(185)；和可编程原子操作电路系统(135)，其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储器控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储器电路的高速缓存行设置危险位。

关键词：第二存储器原子操作可编程存储器电路电路系统存储器控制电路读取电路读取请求控制电路存储器控制器电路高速缓存行电路读取数据存储耦合到写入响应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于嵌入式应用的存储器

用于嵌入式应用的存储器

引用

作者： A·雷达埃利美国爱达荷州

描述了用于嵌入式应用的存储器装置。一种存储器装置可包含：存储器单元阵列，其具有第一区域且经配置以在第一电压下操作；以及电路，其具有至少部分地与所述第一区域重叠的第二区域。所述电路可经配置以在低于所述第一电压的第二电压... 详细信息

标准号: CN113348511A

描述了用于嵌入式应用的存储器装置。一种存储器装置可包含：存储器单元阵列，其具有第一区域且经配置以在第一电压下操作；以及电路，其具有至少部分地与所述第一区域重叠的第二区域。所述电路可经配置以在低于所述第一电压的第二电压下操作。所述电路可进一步经配置以使用解码器电路来存取所述存储器单元阵列，所述解码器电路经配置以在所述第一电压下操作。所述存储器单元阵列和所述电路可在单个衬底上。所述电路可包含微控制器电路、加密控制器电路和/或存储器控制器电路。所述存储器单元可为自选择存储器单元，其各自包含具有硫族化物材料的存储和选择器元件。所述存储器单元可以不包含单独的单元选择器电路。

关键词：电路存储器单元阵列存储器单元存储器装置第一区域配置存储器控制器电路硫族化物材料微控制器电路解码器加密控制器解码器电路嵌入式应用选择存储器选择器元件单元选择第二区域衬底存取存储

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

具有可编程原子操作的存储器控制器

具有可编程原子操作的存储器控制器

引用

作者： T·M·布鲁尔美国爱达荷州

标准号: CN111656334A

本发明公开一种存储器控制器电路(100)，其可耦合到第一存储器电路(125)，例如DRAM，并且包含：第一存储器控制电路(155)，其从所述第一存储器电路读取或对所述第一存储器电路写入；第二存储器电路(175)，例如SRAM；第二存储器控制电路(160)，其被调适成当所请求的数据存储于所述第二存储器电路中时，响应于读取的读取请求而从所述第二存储器电路读取，否则将所述读取请求传送到所述第一存储器控制电路；预定原子操作电路系统(185)；和可编程原子操作电路系统(135)，其被调适成执行至少一个可编程原子操作。所述第二存储器控制电路还将接收到的可编程原子操作请求传送到所述可编程原子操作电路系统并且针对所述第二存储器电路的高速缓存行设置危险位。

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

支持近存储器和远存储器访问的存储器通道

支持近存储器和远存储器访问的存储器通道

引用

作者： B.奈尔 R.K.拉马努简 M.P.斯瓦米纳桑 T.托马斯 T.波尔佩迪美国加利福尼亚州

一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还... 详细信息

标准号: CN107391397B

一种半导体芯片，包括存储器控制器电路，所述存储器控制器电路具有接口电路以耦合到存储器通道。存储器控制器包括第一逻辑电路以在存储器通道上实现第一存储器通道协议。第一存储器通道协议特定于第一易失性系统存储器技术。该接口还包括第二逻辑电路以在存储器通道上实现第二存储器通道协议。第二存储器通道协议特定于第二非易失性系统存储器技术。第二存储器通道协议是事务协议。

关键词：存储器通道第二存储器通道协议存储器控制器电路存储器技术存储器控制器非易失性系统半导体芯片易失性系统接口电路事务协议耦合到

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

机器学习硬件加速器

机器学习硬件加速器

引用

作者： M·M·梅赫达尔 V·J·梅内泽斯美国德克萨斯州

本申请公开机器学习硬件加速器。在存储器设备中，静态随机存取存储器(SRAM)电路包括按行和列排列并配置为存储数据的SRAM单元阵列[401、403]。SRAM阵列[401、403]被配置为：在SRAM阵列[401、403]中的查找表中存储用于机器学习(ML)过程... 详细信息

标准号: CN114267391A

本申请公开机器学习硬件加速器。在存储器设备中，静态随机存取存储器(SRAM)电路包括按行和列排列并配置为存储数据的SRAM单元阵列[401、403]。SRAM阵列[401、403]被配置为：在SRAM阵列[401、403]中的查找表中存储用于机器学习(ML)过程的第一组信息；以及从查找表沿着SRAM单元的行连续地访问来自选择的SRAM单元组的信息。存储器控制器电路被配置为基于用于ML过程的第二组信息来选择SRAM单元组。