前言本文从三个主要方面来叙述 MOS 存储器系统可靠性的考虑:1.元件可靠性2.系统工作影响3.出错校正由于 MOS 存储器件的可靠性在具体设计(或工艺)基础方面需要给予评价,因此讨论器件的可靠性将是通用的。由于有各种系统的应用和出错校...
详细信息
前言本文从三个主要方面来叙述 MOS 存储器系统可靠性的考虑:1.元件可靠性2.系统工作影响3.出错校正由于 MOS 存储器件的可靠性在具体设计(或工艺)基础方面需要给予评价,因此讨论器件的可靠性将是通用的。由于有各种系统的应用和出错校正,重点将在分析器件的可靠性方面。MOS 存储元件包含化学稳定的成分,在小片或者引线焊接后,遗留在芯片上的物质一定要干净。许多器件还要密封,这样,它们在预定的寿命期内不会自动损坏。唯一使这种器件失效的方法(除焊接外)是以场或电流形式加上电应力。当然这种失效也可以通过热加速进行。
暂无评论