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  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电气工程

主题

  • 1 篇 碳化硅金属–氧化物...
  • 1 篇 缓冲吸收电路
  • 1 篇 锆钛酸铅压电陶瓷
  • 1 篇 温度特性
  • 1 篇 定量设计模型

机构

  • 1 篇 输配电装备及系统...

作者

  • 1 篇 邹铭锐
  • 1 篇 韩绪冬
  • 1 篇 孙鹏
  • 1 篇 牛富丽
  • 1 篇 曾正
  • 1 篇 王宇雷

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=定量设计模型"
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基于PZT压电陶瓷的SiC MOSFET缓冲吸收电路
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中国电机工程学报 2023年 第18期43卷 7240-7253页
作者: 韩绪冬 孙鹏 邹铭锐 王宇雷 牛富丽 曾正 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学) 重庆市沙坪坝区400044
在高速关断过程中,碳化硅(silicon carbide,SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管器件呈现出严重的电压过冲和振荡,降低器件电压裕量。通常,采用缓冲吸收电路改善SiC器件的关断电压轨迹。然而,现有研究忽略SiC器件与吸收电路的交互规律和... 详细信息
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