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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 dvss
  • 1 篇 瞬态仿真
  • 1 篇 闩锁效应
  • 1 篇 寄生可控硅模型
  • 1 篇 cmos器件
  • 1 篇 dt触发

机构

  • 1 篇 模拟集成电路重点...
  • 1 篇 中国电子科技集团...
  • 1 篇 重庆邮电大学

作者

  • 1 篇 刘玉奎
  • 1 篇 殷万军
  • 1 篇 刘利

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=寄生可控硅模型"
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排序:
dV_(ss)/dt触发N阱CMOS器件闩锁失效的研究
收藏 引用
微电子学 2013年 第2期43卷 266-269页
作者: 殷万军 刘玉奎 刘利 重庆邮电大学光电工程学院 重庆400065 模拟集成电路重点实验室 重庆400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆400060
从半导体器件物理的角度分析了dVss/dt触发N阱CMOS器件的闩锁失效现象。当瞬时负电压脉冲峰值满足Vss_peak<Vss0(导通临界值约为-0.8V)时,CMOS器件发生闩锁效应。dVss/dt外界触发作用消失后,为了达到稳定闩锁效应状态,存储在寄生PNP... 详细信息
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