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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

10 篇 专利

馆藏范围

10 篇 电子文献
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日期分布

机构

4 篇 台湾积体电路制造...
2 篇 国际商业机器公司
2 篇 北京工业大学
1 篇 上海华虹nec电子有...
1 篇 通用电气公司

作者

4 篇 陈宏铭
4 篇 袁锋
4 篇 张长昀
4 篇 李宗霖
2 篇 张小玲
2 篇 a·l·p·罗通达洛
2 篇 胡冬冬
2 篇 亓帅兵
2 篇 谢雪松
1 篇 田光春
1 篇 罗伯特·g·沃德尼基...

语言

10 篇 中文

检索条件"主题词=寄生栅极电容"

共 10 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

具有减小的寄生电容的体接触晶体管

具有减小的寄生电容的体接触晶体管

引用

作者： A·L·P·罗通达洛美国纽约

提供了一种体接触绝缘体上半导体（SOI）含金属栅极的晶体管，该晶体管具有减小的寄生栅极电容，其中栅极叠层（26）的金属部分在体接触区域之上被除去，而且形成接触SOI衬底（12）的体接触区域（24）中的栅极电介质（28）的含硅材料。... 详细信息

标准号: CN102725850A

提供了一种体接触绝缘体上半导体（SOI）含金属栅极的晶体管，该晶体管具有减小的寄生栅极电容，其中栅极叠层（26）的金属部分在体接触区域之上被除去，而且形成接触SOI衬底（12）的体接触区域（24）中的栅极电介质（28）的含硅材料。这造成体接触区域上有效栅极电介质厚度的增加大于5埃（A）。这导致体接触区域减小的寄生电容。

关键词：接触区域晶体管绝缘体寄生栅极电容电介质厚度栅极电介质含硅材料寄生电容金属栅极有效栅极栅极叠层接触半导体金属大于

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具有减小的寄生电容的体接触晶体管

具有减小的寄生电容的体接触晶体管

引用

作者： A·L·P·罗通达洛美国纽约

标准号: CN102725850B

关键词：接触区域晶体管绝缘体寄生栅极电容电介质厚度栅极电介质含硅材料寄生电容金属栅极有效栅极栅极叠层接触半导体金属大于

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一种高频功率MOSFET驱动电路

一种高频功率MOSFET驱动电路

引用

作者：谢雪松胡冬冬张小玲亓帅兵 100124 北京市朝阳区平乐园100号

一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域，适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路，包括驱动信号产生模块与驱动电路模块；驱动信号产生模块包括信号发生模块，MOSFET漏电流保护模块；驱动电路模... 详细信息

标准号: CN110113035B

一种高频功率MOSFET驱动电路属于电力电子领域，适用于高频率下开关电源功率MOSFET驱动,适合于丁类放大器结构。驱动电路，包括驱动信号产生模块与驱动电路模块；驱动信号产生模块包括信号发生模块，MOSFET漏电流保护模块；驱动电路模块包括推挽式驱动电路结构与变压器结构；由驱动信号模块产生两路带死区的高频驱动信号，送至驱动电路模块，利用推挽电路结构来输出电流，通过多级推挽来实现电路驱动大电流的需求；将输出的驱动电流经隔直电容送至变压器结构，通过调节变压器原边电感、次级电感、以及变压器漏感的比值，与MOSFET的寄生栅极电容构成LLC谐振，使输出的驱动电流与驱动电压存在相位差，实现软开关驱动。

关键词：驱动电路模块驱动信号变压器结构产生模块推挽式驱动电路电感电力电子领域高频驱动信号寄生栅极电容信号发生模块变压器漏感变压器原边丁类放大器软开关驱动输出保护模块次级电感电路驱动电源功率高频功率隔直电容驱动电流驱动电路驱动电压输出电流推挽电路大电流高频率漏电流下开关相位差两路死区推挽驱动

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用于超声转换器阵列的高电压开关的方法和装置

用于超声转换器阵列的高电压开关的方法和装置

引用

作者：罗伯特·G·沃德尼基美国纽约州

一种高电压开关电路，包括：具有导通和截止状态并具有寄生栅极电容的开关(X1～X3)的开关，和用来使该开关导通和截止的控制电路(C1～C3)。该开关包括一对具有共用栅极端子的DMOS FET(MD1和MD2)，该DMOS FET的源极彼此连接，而该DMOS FE... 详细信息

标准号: CN100411304C

一种高电压开关电路，包括：具有导通和截止状态并具有寄生栅极电容的开关(X1～X3)的开关，和用来使该开关导通和截止的控制电路(C1～C3)。该开关包括一对具有共用栅极端子的DMOS FET(M_D1和M_D2)，该DMOS FET的源极彼此连接，而该DMOS FET的漏极分别连接至开关的输入和输出端子，并偏置在偏置电压电平。该控制电路包括：编程晶体管(M₄)，其漏极连接至开关的共用栅极端子，其源极连接以接收编程电压，而其栅极连接以接收编程晶体管栅极电压；第1电路(12)，用来促使从编程电压的第1电平到第2电平(更低)的第1过渡；和第2电路(M₇和M₈)，用来促使从编程晶体管栅极电压的第1电平到第2电平的第2过渡。编程电压的第2电平比偏置电压电平高出足以导通开关的量。编程晶体管栅极电压的第1电平约等于编程电压的第1电平，而编程晶体管栅极电压的第2电平比编程电压的第2电平低出足以导通编程晶体管的量，从而编程电压的第2电平经由编程晶体管被施加到开关的共用栅极端子。

关键词：编程晶体管编程电压栅极电压栅极端子连接控制电路偏置电压漏极源极电路电压开关电路寄生栅极电容开关导通输出端子过渡偏置

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形成集成电路结构的方法

形成集成电路结构的方法

引用

作者：袁锋李宗霖陈宏铭张长昀中国台湾新竹市

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底，包括一顶部表面；形成一第一绝缘区和一第二绝缘区于半导体基底中；及凹陷化第一绝缘区和第二绝缘区，其中第一绝缘区和第二绝缘区剩余部分的顶部表面是平坦表面或凹陷... 详细信息

标准号: CN102054741A

本发明提供一种形成集成电路结构的方法，包括：提供一半导体基底，包括一顶部表面；形成一第一绝缘区和一第二绝缘区于半导体基底中；及凹陷化第一绝缘区和第二绝缘区，其中第一绝缘区和第二绝缘区剩余部分的顶部表面是平坦表面或凹陷表面，且其中位于第一绝缘区和第二绝缘区的移除部分之间，且邻接两者的部分半导体基底形成一鳍。通过于鳍式场效应晶体管的栅电极下形成平坦浅沟槽隔离区或凹陷浅沟槽隔离区，可减少鳍式场效应晶体管的寄生栅极电容，且也可增加对应鳍式场效应晶体管的速度。

关键词：绝缘鳍式场效应晶体管半导体基底凹陷隔离区浅沟槽顶部集成电路结构寄生栅极电容平坦表面电极移除平坦

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动态侦测静电保护电路

动态侦测静电保护电路

引用

作者：田光春 201206 上海市浦东新区川桥路1188号

本发明公开了一种动态侦测静电保护电路，包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并进行分压和驱动；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接... 详细信息

标准号: CN101442869B

本发明公开了一种动态侦测静电保护电路，包括并接在静电端和接地端之间的动态侦测电路、中间隔离电路、静电泄放电路；中间隔离电路用于隔离动态侦测电路和静电泄放电路，并进行分压和驱动；中间隔离电路的输入端与动态侦测电路电连接，其输出端与静电泄放电路的输入端电连接；所述中间隔离电路由一PMOS管与一电阻串接组成，或者由一NMOS管与一电阻串接组成。本发明能够进一步减小寄生栅极电容对动态侦测电路中电容值的选取的影响，改善动态侦测静电泄放电路结构的静电泄放性能。

关键词：静电侦测隔离电路泄放电路电路电连接输入端串接电阻寄生栅极电容静电保护电路接地电容值输出端分压泄放隔离

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一种高频功率MOSFET驱动电路

一种高频功率MOSFET驱动电路

引用

作者：谢雪松胡冬冬张小玲亓帅兵 100124 北京市朝阳区平乐园100号

标准号: CN110113035A

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集成电路结构

集成电路结构

引用

作者：袁锋李宗霖陈宏铭张长昀中国台湾新竹市

一种集成电路结构，包括一基底，其具有一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；以及两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上。所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一k值。一半导体条介于所述两个隔离区之... 详细信息

标准号: CN102074572B

一种集成电路结构，包括一基底，其具有一第一部分于一第一元件区中与一第二部分于一第二元件区中；以及两个隔离区于该第一元件区中且于该基底上。所述两个隔离区包括一第一介电材料其具有一第一k值。一半导体条介于所述两个隔离区之间并与所述两个隔离区邻接，随着该半导体条的一顶部部分形成一半导体鳍状物于所述两个隔离区的顶部表面上。一额外的隔离区于该第二元件区中且于该基底上。该额外的隔离区包括一第二介电材料其具有大于该第一k值的一第二k值。通过使用低介电常数材料来形成元件内浅沟槽隔离区，减少了鳍式场效应晶体管的寄生栅极电容并且增加分别的鳍式场效应晶体管的速度。