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  • 1 篇
  • 1 篇 富硅氧化硅,富硅氮...

机构

  • 1 篇 泉州师范学院
  • 1 篇 信息产业部电子第...
  • 1 篇 北京大学

作者

  • 1 篇 马振昌
  • 1 篇 秦国刚
  • 1 篇 付济时
  • 1 篇 张伯蕊
  • 1 篇 袁放成
  • 1 篇 乔永平
  • 1 篇 冉广照
  • 1 篇 陈源
  • 1 篇 宗婉华

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=富硅氧化硅,富硅氮化硅"
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排序:
室温下掺Er富硅氧化硅和掺Er富硅氮化硅的光致发光及其退火
收藏 引用
光谱学与光谱分析 2001年 第6期21卷 763-765页
作者: 袁放成 冉广照 陈源 张伯蕊 乔永平 付济时 秦国刚 马振昌 宗婉华 信息产业部电子第十三研究所 信息产业部电子第十三研究所 福建泉州362000北京大学物理系 北京100871 北京大学物理系 泉州师范学院物理系
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与薄膜的退火温度有关。为了确定 1 5 4μmPL的最佳退火温度 ,... 详细信息
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