检索结果-内蒙古大学图书馆

光子学报 2017年第11期46卷 49-55页

作者：孙丹谢红云刘芮刘硕吴佳辉张万荣北京工业大学信息学部电子科学与技术学院北京100124

建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作为基极电流的一部分,引入到小信号等效电路中.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管中单载流子传输的输... 详细信息

建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作为基极电流的一部分,引入到小信号等效电路中.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管中单载流子传输的输运方式对光跨导、发射结电阻、发射结结电容和集电结结电容的影响.基于所建模型,研究了InP基单载流子传输双异质结光敏晶体管的光特征频率和光电流增益受光窗口面积和入射光功率的影响.结果表明,在同样入射光功率下,存在一个最佳的光窗口面积使得光特征频率获得最大值,最佳光窗口面积随入射光功率的增加在一定面积范围内发生偏移.在固定光窗口面积(8×8μm2)条件下,随着输入光功率的增加,光特征频率先增大后减小,在280μW时达到最高值150GHz,光短路电流增益也随着光功率的增加而逐渐增加,在入射光功率750μW时达到饱和,饱和增益为82dB.

关键词：小信号等效电路模型单载流子传输光敏晶体管光特征频率光短路电流增益

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一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法

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中国科学院上海天文台年刊 2012年第1期 66-73页

作者：曹杰杰李斌中国科学院上海天文台中国科学院研究生院

赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEM... 详细信息

赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。

关键词：小信号等效电路模型 pHEMT建模参数提取 S参数

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用改进算法提取GaN HEMT小信号等效电路模型

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微纳电子技术 2007年第3期44卷 120-124页

作者：朱磊尤焕成金香菊电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054

基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5～15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等... 详细信息

基于GaNHEMT小信号等效电路模型参数的提取,针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点,提出了一种改进的模拟退火算法。用Matlab仿真工具实验证明,在5～15GHz之间基于S参数测试数据,选取16个频率参考点,利用改进算法返回等效电路的13个参数,与测试数据有良好的一致性,是一种快速的全局优化算法。

关键词： GaN HEMT 小信号等效电路模型模拟退火算法参数提取 Matlab

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一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型

一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：唐旭升黄风义张有明李浩姜楠东南大学信息科学与工程学院爱斯泰克(上海)高频通讯技术有限公司

本文主要是针对HEMT的小信号等效电路模型，提出了高频工作下晶体管的高级寄生效应-本征电感效应，从而实现对晶体管的高精度仿真。针对GaN HEMT工艺，晶体管内部电流流动将产生电感效应，且随着频率升高，电感效应逐渐增强。从而，即... 详细信息

本文主要是针对HEMT的小信号等效电路模型，提出了高频工作下晶体管的高级寄生效应-本征电感效应，从而实现对晶体管的高精度仿真。针对GaN HEMT工艺，晶体管内部电流流动将产生电感效应，且随着频率升高，电感效应逐渐增强。从而，即使调整寄生电感元件的参数，或者引进新的高级寄生电感元件，传统晶体管小信号等效电路模型因为忽略了本征部分的电感效应，很难实现对晶体管特别是高频下晶体管的高精度仿真. 本文通过在晶体管等效电路模型的本征部分增加电感元件—本征电感Lgs，以实现晶体管小信号模型的仿真结果与测试结果的高精度拟合。

关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓小信号等效电路模型仿真分析

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GaN HEMT器件小信号等效电路模型参数提取

GaN HEMT器件小信号等效电路模型参数提取

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中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会

作者：骆丹婷程冉高建军华东师范大学信息科学技术学院上海市东川路500号200241

推导了GaN HEMT小信号等效电路模型参数计算公式,采用开路短路测试结构的方法提取PAD电容和寄生电感,反向截止方法提取寄生电阻,通过去嵌和灵敏度分析的方法优化本征参数.同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500... 详细信息

推导了GaN HEMT小信号等效电路模型参数计算公式,采用开路短路测试结构的方法提取PAD电容和寄生电感,反向截止方法提取寄生电阻,通过去嵌和灵敏度分析的方法优化本征参数.同时,利用ADS仿真工具对模型进行了仿真验证,模拟结果表明,在500MHz～40GHz频率范围内和在片S参数测试结果吻合很好.

关键词：晶体管氮化镓小信号等效电路模型参数提取

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太赫兹平面肖特基二极管参数模型

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红外与激光工程 2016年第12期45卷 151-156页

作者：赵向阳王俊龙邢东杨大宝张立森梁士雄冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所河北石家庄050051

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频... 详细信息

根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。

关键词：太赫兹肖特基二极管小信号等效电路模型在片测试结构

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基于噪声矩阵变换的SiGe HBT射频等效噪声建模

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固体电子学研究与进展 2019年第4期39卷 250-253,263页

作者：曾洪波王军西南科技大学信息工程学院

由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有... 详细信息

由于小信号等效电路模型参数的精确提取是高频噪声建模的基础,利用噪声矩阵的变换,给出了硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)小信号等效噪声电路的建模过程,从器件测量的四个噪声参数中提取了电流散粒噪声,验证了小信号等效噪声电路的有效性.

关键词：硅锗异质结双极型晶体管小信号等效电路模型噪声建模噪声矩阵变换

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功率GaAs MESFET小信号模型参数的提取(英文)

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计算物理 2002年第2期19卷 127-131页

作者：吴龙胜刘佑宝西安微电子技术研究所陕西西安710054

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值... 详细信息

采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法 ,求解MESFET小信号等效电路模型 ,并采用相对误差来构建目标函数 .以FET在零偏置状态的非本征元件值作为初值 ,通过优化求得了热FET状态的本征元件值 ,S参数的计算值与实验值吻合得很好 ,S1 1 的相对误差为 0 0 9% ,S1 2 为 1 1% ,S2 1 为 0 0 8% ,S2 2 为 2 2 6 % .该方法收敛快 ,精度高并且效率高。

关键词： CAD 功率GaAsMESFET小信号模型砷化镓小信号等效电路模型 FET本征元件目标函数参数提取微波器件模拟软件

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亚微米GaAs PHEMT器件及其小信号建模

亚微米GaAs PHEMT器件及其小信号建模

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作者：李拂晓东南大学

学位级别：博士

自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高迁移率等优点,促使了半导体器件向微波/毫米波频域发展。因此,自1985年Rosenberg和Ketterson发明PHEMT器... 详细信息

自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高迁移率等优点,促使了半导体器件向微波/毫米波频域发展。因此,自1985年Rosenberg和Ketterson发明PHEMT器件以来,PHEMT技术就成为各国研究的热点。经过数十年的发展,PHEMT器件以其良好的高频特性、功率特性和噪声特性在军事/民用领域表现出巨大的应用前景,例如雷达、通讯和自动控制等。本文将在前人研究的基础上,研制低噪声GaAs PHEMT器件。为了得到性能优良的PHEMT器件,论文包含了如下的三个方面: 首先是设计了低噪声PHEMT器件的结构,因为结构是决定性能的主要因素。PHEMT器件的结构设主要分为横向结构设计和纵向结构设计。在纵向结构设计中,本文首先根据FET器件的I-V模型,分析了影响器件性能的主要参数,然后再利用POSES软件数值求解了层结构和器件参数之间的关系;而在横向结构设计中,本文依据典型的FET小信号等效电路模型,定性地分析了版图对器件性能的影响;最后,根据上述分析结果,得到了PHEMT器件的结构尺寸。其次,是进行了器件的工艺设计。基于原有的MESFET工艺,本文给出了PHEMT器件的基本工艺流程,并详细分析了影响器件性能的关键工艺,最终得到性能较为优异的PHEMT器件。通过对0.5μm*40μm*3 PHEMT器件的测试,得到器件基本的性能参数为: IDSS = 186mA/mm、gmax = 379mS/mm、fT = 25GHz、fmax = 52GHz。最后是分析了PHEMT器件的小信号模型。利用参数直接提取法,本文在ICCAP软件中编写了小信号建模软件。通过对各种结构和尺寸FET的测试分析,表明该建模软件能精确描述0.1～20GHz频域内器件的小信号特性。

关键词： PHEMT器件低噪声小信号等效电路模型

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高速光接收组件同轴结构封装关键技术研究

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半导体技术 2013年第5期38卷 383-387页

作者：黄长统柴广跃彭文达郑启飞深圳大学光电子器件与系统国家重点实验室广东深圳518060 深圳市恒宝通光电子技术有限公司广东深圳518060

在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电... 详细信息

在接入网中,低成本、小尺寸的同轴结构封装10 Gb/s光接收组件起着非常重要的作用。在微波频段,封装器件引入的寄生参数已经成为制约其高频特性的主要因素之一。基于传输线理论,建立了包含芯片、金丝、管座的小信号等效电路模型。等效电路元件与实际封装器件有对应的关系。组件高频特性随元件参数值变化而变化。仿真结果表明金丝对其高频特性影响很严重。为了减小金丝电感,提出一种优化方案。并结合实际工艺条件,制作了样品,实验结果表明该样品的传输速率达到10 Gb/s,满足10 Gb/s光网络传输的要求。

关键词：同轴结构封装 10Gb s光接收组件寄生参数小信号等效电路模型高频特性

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