检索结果-内蒙古大学图书馆

1991年全国微波会议

作者：薛勇健机电部十三研究所

本文介绍了一种MESFET小信号等效电路模型的宽带拟合方法;它将封装(管壳)与本征(管芯)部分严格分离,首先建立并拟合出封装部分的宽带模型,然后建立本征部分的宽带模型,拟合出管子的特性。它采用加变量约束条件的拟牛顿法为优化方法,以... 详细信息

本文介绍了一种MESFET小信号等效电路模型的宽带拟合方法;它将封装(管壳)与本征(管芯)部分严格分离,首先建立并拟合出封装部分的宽带模型,然后建立本征部分的宽带模型,拟合出管子的特性。它采用加变量约束条件的拟牛顿法为优化方法,以测量的S参数为优化目标,以相对误差为目标函数。此法能较好地反映管子特别是本征部分的特性,速度快,精度高,使用方便。本文给出了CX591M ESFET(仿NE673)S参数拟合值与实测值比较,并给出等效电路模型的各元件值。

关键词： MESFET 小信号等效电路等效电路模型拟合法

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AIGaAs／GaAs HBT小信号等效电路参数提取

AIGaAs／GaAs HBT小信号等效电路参数提取

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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

作者：邓乐安孙晓玮科学院上海冶金所(上海) 电子科技大学

该文提出了一种有效的HBT小信号等效电路参数提取方法，测量数据与计算数据吻合较好。

关键词： AIGaAs/GaAs HBT 小信号等效电路参数提取

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微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究

微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究

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第十三届全国微波能应用学术会议

作者：徐跃杭徐锐敏延波王磊成都电子科技大学电子工程学院微波工程系

在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用coldFET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取S... 详细信息

在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用coldFET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取SiC MESFET小信号等效电路寄生参数的方法。该模型应用于国内SiC MESFET工艺线,在0.5～18GHz范围内S参数的仿真值和实测值非常吻合。

关键词： SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管) 小信号等效电路 GaAs MESFET

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45 nm MOSFET毫米波小信号等效电路模型参数提取技术

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强激光与粒子束 2019年第2期31卷 67-74页

作者：李博王军西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010

为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型... 详细信息

为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45nm器件的偏置依赖性。

关键词：纳米MOSFET 小信号等效电路参数提取毫米波双端口网络散射参数

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用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数

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Journal of Semiconductors 2002年第9期23卷 957-961页

作者：石瑞英刘训春钱永学石华芬四川大学物理系成都610064 中国科学院微电子中心北京100029

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了... 详细信息

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 .

关键词：全局优化遗传算法小信号等效电路参数提取 HBT 异质结双极型晶体管

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用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数

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Journal of Semiconductors 2001年第1期22卷 79-82页

作者：陈俊刘训春中国科学院微电子研究和发展中心北京100029

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化... 详细信息

微波集成电路和微波器件的设计需要准确地提取 HFET的小信号等效电路模型参数 .采用带回火的模拟退火算法从 S参数提取 HFET小信号等效电路模型参数 ,得到了高质量的解 .计算结果是全局最优解 ,摆脱了初始值的影响 ,并且克服了局部优化算法遇到的不收敛或收敛到错误解的问题 .利用测量得到的栅电阻 ,计算结果的精度可以进一步提高 .这个算法同样也适用于 HBT。

关键词：参数提取模拟退火算法 HEET S参数小信号等效电路集成电路

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3 nm环栅场效应管射频小信号等效电路模型

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微电子学 2021年第4期51卷 557-562页

作者：高恒斌孙亚宾胡少坚尚恩明刘赟李小进石艳玲华东师范大学电子工程系上海200241 上海集成电路研发中心上海201210

针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏... 详细信息

针对3 nm环栅场效应晶体管,提出了一种射频小信号等效电路模型及基于有理函数拟合的解析模型参数提取方法。首先,在关态条件下提取不受偏置影响的非本征栅/源/漏极电阻、栅到源/漏电容、衬底电容和电阻。然后,在不同偏置条件下提取受偏置影响的本征模型参数。使用Sentaurus TCAD和Matlab对器件进行仿真并拟合得到相关参数,在ADS中验证等效电路模型。结果表明,在10 MHz~300 GHz频率范围内,TCAD仿真与等效电路仿真S参数的最大误差低于2.69%,证实了所建立模型及建模方法的准确性。该项研究成果对射频集成电路设计具有参考价值。

关键词：环栅器件小信号等效电路参数提取射频IC

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GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取

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传感器与微系统 2022年第8期41卷 64-67页

作者：王旭王军西南科技大学信息工程学院四川绵阳621010

为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种... 详细信息

为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种更加完整的20单元等效电路模型。提出在无偏、Cold pich-off条件下获取寄生参数的方法,克服了传统的高珊正向偏压导致的栅极退化。基于双端口网络分析建立Y参数模型,提取本征元件参数,确保其结果在不同偏压下良好的平滑度,便于移植CAD商业工程应用中。在0~18 GHz频率范围内,ADS2014仿真工具的仿真数据与测试数据良好的一致性表明了所建模型及其参数提取技术的有效性。

关键词： GaN高电子迁移率晶体管小信号等效电路参数提取 ADS2014仿真

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InP基HBT小信号模型参数直接提取方法

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半导体技术 2020年第8期45卷 602-608,644页

作者：徐坤张金灿王金婵刘敏刘博河南科技大学电气工程学院河南洛阳471023

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄... 详细信息

为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法。该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数。该方法简单、易于实施。首先使用开路短路测试结构提取焊盘寄生电容和电感的值,然后用截止状态和Z参数的方法提取外部电阻,再去掉这些参数以简化电路模型,本征部分的电路元件采用剥离算法来确定参数值。采用1μm×15μm的InP HBT对该算法的有效性进行验证,结果表明,在0.1~40 GHz频率范围内,模型仿真结果准确地拟合了器件测试结果。

关键词：异质结双极型晶体管(HBT) 小信号等效电路直接提取剥离算法 InP

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用改进的差分进化算法提取HEMT小信号模型的参数

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电子器件 2013年第3期36卷 363-366页

作者：陈雪成周爱民高建军华东师范大学信息学院上海200241

高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果表明,2×20μm Ga... 详细信息

高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果表明,2×20μm GaAs HEMT器件S参数模拟结果和测试结果在40 GHz频率范围内吻合很好,误差在2%以内。

关键词：小信号等效电路参数提取差分进化算法

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