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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...
    • 1 篇 核科学与技术
  • 1 篇 理学
    • 1 篇 物理学

主题

  • 2 篇 局部晶格畸变
  • 1 篇 电致发光
  • 1 篇 激子态
  • 1 篇 半导体
  • 1 篇 第一性原理
  • 1 篇 电子结构
  • 1 篇 高聚物
  • 1 篇 点缺陷
  • 1 篇 难熔高熵合金

机构

  • 1 篇 南京大学
  • 1 篇 中国原子能科学研...

作者

  • 1 篇 dou yankun
  • 1 篇 he xinfu
  • 1 篇 王林枫
  • 1 篇 zhao yongpeng
  • 1 篇 豆艳坤
  • 1 篇 wang linfeng
  • 1 篇 贺新福
  • 1 篇 赵永鹏
  • 1 篇 熊烨

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=局部晶格畸变"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法
收藏 引用
物理学报 1999年 第6期48卷 1138-1146页
作者: 熊烨 南京大学物理系 固体微结构国家重点实验室
应用Lanczos严格对角化方法在具有电子电子强关联效应的情况下,研究一维高聚物半导体中激子态的能量和波函数的特性,并以此为基础计算了在有局部晶格畸变时激子态的变化及其对发光性质的影响,并发现在一定的互作用参数下。
来源: 评论
TiVTaZr高熵合金中点缺陷形成行为的第一性原理研究
收藏 引用
原子能科学技术 2023年 第S1期57卷 174-188页
作者: 王林枫 豆艳坤 赵永鹏 贺新福 中国原子能科学研究院反应堆工程技术研究所 北京102413
本文采用第一性原理研究了TiVTaZr高熵合金的点缺陷性质。结果显示,空位形成能随着第一近邻环境中V原子数量的增加而增大,由于Zr原子具有较大的原子半径,富Zr环境中局部晶格畸变更严重,因此空位和间隙的形成能随着第一近邻环境中Zr原子... 详细信息
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