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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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7 篇 专利
5 篇 学位论文
1 篇 期刊文献
1 篇 会议

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14 篇 电子文献
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学科分类号

7 篇 工学
- 6 篇 电子科学与技术（可...
- 1 篇 动力工程及工程热...
- 1 篇 信息与通信工程

主题

7 篇 差分压控振荡器
4 篇 相位噪声
3 篇 频率综合器
2 篇 等效噪声模型
1 篇 稳定性补偿
1 篇 超谐波耦合
1 篇 红外焦平面阵列
1 篇 锁定检测
1 篇 抗单粒子瞬变
1 篇 环路稳定性
1 篇 电路结构
1 篇 噪声优化
1 篇 参数设计
1 篇 差分电荷泵
1 篇 恒定绝对带宽
1 篇 稳定性优化
1 篇 分频器
1 篇 三模冗余技术
1 篇 环路参数
1 篇 频率调谐范围

机构

3 篇 佛山科学技术学院
2 篇 复旦大学
2 篇 哈尔滨工业大学
2 篇 南京美辰微电子有...
1 篇 中国科学院大学
1 篇 中国电子科技集团...
1 篇 国防科技大学
1 篇 清华大学
1 篇 电子科技大学

作者

4 篇 段志奎
3 篇 陈建文
3 篇 谭海曙
3 篇 王兴波
3 篇 朱珍
2 篇 张浩
2 篇 赵超
1 篇 欧阳玺
1 篇 王东
1 篇 王志华
1 篇 肖永豪
1 篇 潘莎
1 篇 farman ullah
1 篇 李志友
1 篇 况立雪
1 篇 何勇畅
1 篇 赵振宇
1 篇 林宗伟
1 篇 高垒
1 篇 陈磊

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13 篇 中文
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检索条件"主题词=差分压控振荡器"

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一种基于GaAs HBT工艺的低相噪差分压控振荡器

一种基于GaAs HBT工艺的低相噪差分压控振荡器

引用

作者：林宗伟何勇畅杜雪峰周领潘晓枫 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号

本发明提出一种基于GaAs HBT工艺的低相噪差分压控振荡器，属于射频微波技术领域，包括与偏执模块分别连接的输出缓冲模块、以及振荡器模块，输出缓冲模块与以及振荡器模块相连。本发明能够应用于锁相环系统；采用差分交叉耦合结构进行... 详细信息

标准号: CN118367870A

本发明提出一种基于GaAs HBT工艺的低相噪差分压控振荡器，属于射频微波技术领域，包括与偏执模块分别连接的输出缓冲模块、以及振荡器模块，输出缓冲模块与以及振荡器模块相连。本发明能够应用于锁相环系统；采用差分交叉耦合结构进行正反馈负阻电路设计，通过优化片上LC谐振网络品质因素，实现频带内相位噪声小于‑130dBc/Hz@1MHz Offset；两路差分输出级采用射极跟随器+共射放大器的结构，减小了输出负载对输出信号频率的牵引，实现了输出功率大于10dBm的同时，减小了共模干扰和温度变化对输出信号频率输出的影响；本发明提供的压控振荡器电路，具有低的相位噪声和良好的抗干扰能力。

关键词：输出缓冲模块输出信号频率振荡器模块相位噪声减小差分压控振荡器压控振荡器电路交叉耦合结构微波技术领域差分输出级共射放大器抗干扰能力射极跟随器锁相环系统负阻电路共模干扰品质因素输出负载输出功率正反馈两路射频牵引输出优化应用

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一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

引用

作者：段志奎陈建文王兴波谭海曙朱珍 528000 广东省佛山市江湾一路18号

本发明公开了一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器，基于电容耦合相位同步模冗余技术的SET加固差分压控振荡器由三个延迟环(即第一延迟环，第二延迟环和第三延迟环)、三个耦合电容(即第一耦合电容C1，第二耦合电容C2和第... 详细信息

标准号: CN107147389B

本发明公开了一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器，基于电容耦合相位同步模冗余技术的SET加固差分压控振荡器由三个延迟环(即第一延迟环，第二延迟环和第三延迟环)、三个耦合电容(即第一耦合电容C1，第二耦合电容C2和第三耦合电容C3)和一个表决电容(第一表决电路)组成。其中，第一延迟环中、第二延迟环和第三延迟环组成第三环路，通过耦合电容C1、C2和C3来实现三个环路的相位同步，三个环路的输入完全一样，三个环路中延迟环的控制电压端Vcont均与控制电压相连。本发明提出一种适抗SET能力强且提高VCO振荡频率的高速环形振荡器。

关键词：延迟耦合电容高速环形相位同步振荡器差分压控振荡器控制电压端表决电路电容耦合控制电压冗余技术三模冗余振荡频率能力强电容表决

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一种自偏置结构的锁相环电路

一种自偏置结构的锁相环电路

引用

作者：赵超张浩 210000 江苏省南京市建邺区江中东路359号国睿大厦23楼

本发明公开了一种自偏置结构的锁相环电路，包括鉴频鉴相器模块、积分路径模块、比例路径模块、振荡器模块、分频器模块、启动电路模块、自偏置模块。该结构由积分路径输出直接提供振荡器模块的偏置电压，从而可以无需任何外部参考电压... 详细信息

标准号: CN113922818B

本发明公开了一种自偏置结构的锁相环电路，包括鉴频鉴相器模块、积分路径模块、比例路径模块、振荡器模块、分频器模块、启动电路模块、自偏置模块。该结构由积分路径输出直接提供振荡器模块的偏置电压，从而可以无需任何外部参考电压或电流，并且添加启动电路，避免自锁死，提高可靠性；积分路径电流和振荡器模块电流成比例变化，可以实现带宽几乎恒定，优化噪声性能；比例路径由电容分压替代传统结构中的电阻，提高鲁棒性；单端或差分压控振荡器均可使用，自偏置结构简单，并且无需额外运放，易于低噪声设计。可以有效简化复杂SOC系统时钟的电源方案和频率规划方案，提高锁相环电路自由度，减小面积。

关键词：振荡器模块积分路径自偏置锁相环电路比例路径差分压控振荡器恒定启动电路模块成比例变化分频器模块鉴频鉴相器参考电压传统结构电容分压偏置电压频率规划启动电路噪声性能直接提供低噪声鲁棒性单端电阻减小运放自锁带宽电源输出替代外部优化

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一种自偏置结构的锁相环电路

一种自偏置结构的锁相环电路

引用

作者：赵超张浩 210000 江苏省南京市建邺区江中东路359号国睿大厦23楼

标准号: CN113922818A

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高性能可调微波器件研究

高性能可调微波器件研究

引用

作者：李志友电子科技大学

学位级别：博士

随着现代无线通信技术的高速发展,通信系统需要能够工作在多频段,以及具有更小的体积和更低的成本。为了满足上述要求,具有可重构功能的无线通信系统得到了研究和发展。可调微波器件作为可重构无线通信收发机的关键部件,其性能的优越对... 详细信息

随着现代无线通信技术的高速发展,通信系统需要能够工作在多频段,以及具有更小的体积和更低的成本。为了满足上述要求,具有可重构功能的无线通信系统得到了研究和发展。可调微波器件作为可重构无线通信收发机的关键部件,其性能的优越对改善整个系统性能起到了不可代替的作用。因此,发展具有高性能可调微波器件成为目前亟待解决的问题,其中对具有恒定绝对带宽的可调双工器,以及高阶多零点平衡可调滤波器的研究仍处于初级阶段。此外,将高阶可调滤波器作为基本部件应用到其他微波有源和无源器件设计中并以期获得更卓越的性能也是一个研究热点。针对上述课题,本文做了如下几个方面的研究:1、基于三模同步可调谐振器,提出并首次实现了具有相等恒定绝对带宽的宽带可调双工器。利用三模同步可调谐振器灵活可控的调谐特性,对三极点可调滤波器进行了设计。该滤波器具有恒定绝对带宽,宽带可调以及低插损特性。将该滤波器作为可调双工器的低频通道,而高频通道按照低频通道的设计方法,同样实现了与低频通道相等的恒定绝对带宽以及宽带可调,低插损特性。测试结果表明,所实现的可调双工器的两个通道的频率调谐范围分别为1.47-2.5GHz(52%)和2.2-3.5GHz(45.6%),并具有1.03GHz的同步调谐带宽。在可调频率范围内,两个通道的3d B带宽近似相等且恒定为247.5±26.5MHz,通道间隔离度为32d B,插入损耗优于4.3d B。2、提出了具有低插损、高隔离度的相等恒定绝对带宽的宽带可调双工器。通过引入源-负载耦合和交叉耦合,双工器的每个通道均引入了三个传输零点并成镜像对称。将每个通道的两个传输零点放置在另一个通道所在侧,双工器通道间的隔离度和频率选择性均得到了提高。由测试结果可知,该双工器的两个通道的频率调谐范围分别为1.35-2.25GHz(50%)和1.9-3.0GHz(44.9%),插损优于3.3d B,同步调谐带宽为900MHz。同时,两个通道的隔离度为38d B以及3d B带宽近似恒定为194±8MHz。3、提出了恒定绝对带宽高阶多零点平衡可调滤波器。所提出的新型平衡滤波器的差模等效电路同时引入了源-负载耦合和交叉耦合,实现了三阶三传输零点,四阶四传输零点差模频率响应。通过在谐振器中心加载微带支节和集总电阻,平衡可调滤波器实现了高共模抑制比。在共模激励条件下,滤波器共模等效电路中的每个谐振器均加载了相同的电阻,实现了在整个差模频率调谐范围内的高共模抑制比。测试结果表明,所实现的平衡可调滤波器具有近似恒定的绝对带宽和三阶三零点、四阶四零点的差模频率响应特性,并具有高共模抑制比。4、提出了基于准椭圆可调滤波器的低相位噪声宽带压控振荡器。利用具有宽带可调、恒定绝对带宽的准椭圆可调滤波器获得陡峭的带内相位变化以及恒定的带内群时延。一方面,陡峭的相位变化能够实现对压控振荡器在宽带频率范围内的相位补偿。另一方面,恒定的高带内群时延能够实现恒定的低相位噪声性能。因此,将准椭圆可调滤波器作为振荡器环路中的频率选择元件,实现了恒定低相位噪声的宽带压控振荡器。测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为1.352-2.12GHz(44.4%),而在偏离振荡频率100k Hz和1MHz处的相位噪声分别优于-101.3d Bc/Hz和-127.8d Bc/Hz。5、提出了基于准椭圆平衡可调滤波器的低相位噪声差分压控振荡器。将恒定绝对带宽准椭圆可调平衡滤波器作为频率选择元件,首次实现了并联反馈式差分压控振荡器。滤波器差模频率响应具有的陡峭带内相位变化和较高的恒定带内群时延使得差分压控振荡器在调谐范围内具有恒定低相位噪声特性。测试结果表明,所实现的差分压控振荡器的调谐范围为1.72-2.12GHz(20.8%),在偏离振荡频率100k Hz和1MHz处的相位噪声分别优于-99d Bc/Hz和-129.1d Bc/Hz。

关键词：恒定绝对带宽可调双工器平衡可调滤波器宽带压控振荡器差分压控振荡器

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Bandwidth--Enhanced Differential,Quadrature and Dual--Band Oscillators for mm--Wave applications

Bandwidth--Enhanced Differential,Quadrature and Dual--Band O...

引用

作者： FARMAN ULLAH 中国科学院大学

学位级别：博士

本文提出了四种用于宽调谐范围压控振荡器(VCO)的相关技术与两种用于产生正交LO的耦合技术。此外，还介绍了一种宽带可调谐VCO，它覆盖了两个5G频段，用于未来的5G通信。所有设计均采用Global Foundrie's(GF's)130纳米SiGe BiCM... 详细信息

本文提出了四种用于宽调谐范围压控振荡器(VCO)的相关技术与两种用于产生正交LO的耦合技术。此外，还介绍了一种宽带可调谐VCO，它覆盖了两个5G频段，用于未来的5G通信。所有设计均采用Global Foundrie's(GF's)130纳米SiGe BiCMOS8HP工艺的高性能SiGe HBTs实现。差分压控振荡器(DVCO)和正交压控振荡器(QVCO)的中心频率约为25GHz，其振荡频率从20GHz到31GHz，双频压控振荡器(DB-VCO)的振荡频率从27GHz到39.5GHz。　　首先，本文提出了一种带宽增强型差分压控振荡器(DVCO)，它采用分布式偏置宽带变容管阵列来提高调谐范围。通常，振荡器的输出频率是用变容管来改变的，变容管通过改变其输入电压来覆盖一定的频率范围。但是传统的变容管由于其品质因数较低，使得振荡器的频率范围受限。在本文提出的变容管电路中，由于减小了TR和Q之间的折衷，振荡器能够在更宽的频率范围内连续调谐。变容管电路采用两个分布偏压的并联变容管，在变容管阵列的末端串联一个电感。本文的宽带VCO采用GF的130纳米SiGe BiCMOS工艺，在1.2伏电源电压下，消耗10毫安电流，芯片面积（包括焊盘）为0.45平方毫米。　　接下来，我们在第一个工作中提出的差分压控振荡器(DVCO)中，通过实现两种新的耦合技术（变容管耦合和超谐波耦合）来产生正交输出。这两种技术都显示出良好的正交精度，没有明显的相位噪声扰动，打破了正交精度和PN之间的折衷。此外，后仿结果显示，QVCO的相位噪声性能优于独立的差分振荡器。　　正交耦合（用于超谐波耦合）是通过二次谐波来实现的，其中二次谐波是在使用倍频器的差分振荡器中产生的。在第二个QVCO中，它是通过变容二极管实现的。所有QVCO的中心频率均为25GHz，使用开关电容器进行3位数字调谐，频率范围从20GHz到31GHz(43％FTR)，分别为变容管耦合和超谐波耦合QVCO，实现了-186dBc/Hz和-185.8dBc/Hz的最小FOMT。所提出的宽带QVCO用130纳米SiGe BiCMOS工艺实现。在1.2伏电源电压下，消耗电流20mA，总芯片面积为0.7平方毫米。　　最后，提出了一种宽带可调谐VCO，它覆盖了两个5G频段，用于未来的5G通信。通过选择接入的谐振器电容来选择两个不同的频段。所设计的双频压控振荡器采用了本文提出的分布偏压宽带变容管电路技术，以达到理想的频率调谐范围。双频振荡器可以在27GHz到39.5GHz的宽频带内连续调谐，从而用一个独立的LC振荡器覆盖两个5G波段(28GHz和38GHz)。后仿结果显示，在28GHz和38GHz下的相位噪声分别为-93dBc/Hz和-90dBc/Hz。在1.2V电源电压下，总功耗为9.7mW。

关键词：差分压控振荡器变容管耦合超谐波耦合频率调谐范围相位噪声

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一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

引用

作者：段志奎陈建文王兴波谭海曙朱珍 528000 广东省佛山市江湾一路18号

标准号: CN107147389A

关键词：延迟耦合电容高速环形相位同步振荡器差分压控振荡器控制电压端表决电路电容耦合控制电压冗余技术三模冗余振荡频率能力强电容表决

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一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器

引用

作者：段志奎陈建文王兴波谭海曙朱珍于昕梅王东樊耘杨发权肖永豪周月霞 528000 广东省佛山市江湾一路18号

本实用新型公开了一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器，基于电容耦合相位同步模冗余技术的SET加固差分压控振荡器由三个延迟环(即第一延迟环，第二延迟环和第三延迟环)、三个耦合电容(即第一耦合电容C1，第二耦合电容C2... 详细信息

标准号: CN206759423U

本实用新型公开了一种适合于三模冗余抗SET加固技术的高速环形振荡器，基于电容耦合相位同步模冗余技术的SET加固差分压控振荡器由三个延迟环(即第一延迟环，第二延迟环和第三延迟环)、三个耦合电容(即第一耦合电容C1，第二耦合电容C2和第三耦合电容C3)和一个表决电容(第一表决电路)组成。其中，第一延迟环中、第二延迟环和第三延迟环组成第三环路，通过耦合电容C1、C2和C3来实现三个环路的相位同步，三个环路的输入完全一样，三个环路中延迟环的控制电压端Vcont均与控制电压相连。本实用新型提出一种适抗SET能力强且提高VCO振荡频率的高速环形振荡器。

关键词：延迟耦合电容本实用新型高速环形相位同步振荡器差分压控振荡器控制电压端表决电路电容耦合控制电压冗余技术三模冗余振荡频率能力强电容表决

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一种毫米波锁相环

一种毫米波锁相环

引用

作者：池保勇陈磊况立雪贾海昆王志华 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室

本发明公开了一种毫米波锁相环，包括：压控振荡器，其采用差分输入的调谐方式来产生设定频率的振荡信号；正交输出注入锁定分频器，其用于对振荡信号进行分频处理以输出多路的正交分频信号；电荷泵，其用于将脉冲信号转化为模拟电压信... 详细信息

标准号: CN103501175B

本发明公开了一种毫米波锁相环，包括：压控振荡器，其采用差分输入的调谐方式来产生设定频率的振荡信号；正交输出注入锁定分频器，其用于对振荡信号进行分频处理以输出多路的正交分频信号；电荷泵，其用于将脉冲信号转化为模拟电压信号差分输出；环路滤波器，其连接至电荷泵和压控振荡器之间，用于对电荷泵输出的模拟电压信号进行滤波以输入到所述压控振荡器中。本发明的毫米波锁相环为60GHz毫米波通信系统提供设定频率的本振信号。该锁相环中的差分调谐压控振荡器的结构，优化了振荡器的噪声，对整个锁相环的噪声优化有很大的帮助。通过电荷泵为差分压控振荡器提供差分的输入控制电压，也获得更好的相位噪声性能。

关键词：压控振荡器电荷泵锁相环模拟电压信号毫米波设定频率振荡信号差分差分压控振荡器毫米波通信系统注入锁定分频器调谐输入控制电压相位噪声性能环路滤波器本振信号差分输出差分输入调谐方式分频处理脉冲信号噪声优化正交分频正交输出输出振荡器多路滤波一种噪声连接转化优化公开进行帮助产生

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一种基于三模冗余技术实现的抗单粒子瞬变(SET)的差分压控振荡器

一种基于三模冗余技术实现的抗单粒子瞬变(SET)的差分压控振荡器

引用

第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10)

作者：欧阳玺赵振宇刘衡竹段志奎张均安国防科技大学计算机学院长沙410073

本文提出了一种基于三模冗余技术实现的抗单粒子瞬变(Single Event Transient,SET)的差分VCO (Voltage-Controlled Oscillator,VCO)电路结构.本文模拟并分析了单模差分VCO的SET响应特性,提出了一种基于三模冗余技术实现的加固差分VCO结... 详细信息

本文提出了一种基于三模冗余技术实现的抗单粒子瞬变(Single Event Transient,SET)的差分VCO (Voltage-Controlled Oscillator,VCO)电路结构.本文模拟并分析了单模差分VCO的SET响应特性,提出了一种基于三模冗余技术实现的加固差分VCO结构.最后,基于0.18μm CMOS工艺对该电路进行了Hspice模拟.模拟结果表明,单粒子辐射条件下加固后的VCO输出产生的最大相位偏斜减小约99％,极大地提高了VCO的可靠性.

关键词：差分压控振荡器抗单粒子瞬变三模冗余技术电路结构

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