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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

7 篇 专利
1 篇 学位论文

馆藏范围

8 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 聚焦电极
1 篇 发射电流
1 篇 平面栅极结构
1 篇 x射线管
1 篇 电子源

机构

2 篇 瑞能半导体科技股...
2 篇 东南大学
2 篇 英飞凌科技奥地利...
1 篇 南亚科技股份有限...
1 篇 英飞凌科技股份有...

作者

2 篇 m.赫茨勒
2 篇 迟云雁
2 篇 f.希尔勒
2 篇 章剑锋
2 篇 r.西米尼克
2 篇 崔京京
1 篇 雷威
1 篇 王琦龙
1 篇 c·伦德茨
1 篇 m·海尔
1 篇 张晓兵
1 篇 娄朝刚
1 篇 林昌杰

语言

8 篇 中文

检索条件"主题词=平面栅极结构"

共 8 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

用于碳化硅器件的屏蔽结构

用于碳化硅器件的屏蔽结构

引用

作者： M·海尔 C·伦德茨德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号

公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导... 详细信息

标准号: CN116153984A

公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。

关键词：平面栅极结构碳化硅器件导电类型沟道区带掺杂剂屏蔽区源极区第一导电类型第一表面屏蔽结构碳化硅邻接衬底延伸覆盖

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碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法

碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法

引用

作者：崔京京章剑锋 330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼

本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件领域。碳化硅沟槽栅晶体管包括：碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面；第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；外延层内埋置有多个间隔设置的第二掺杂类型的体区；体... 详细信息

标准号: CN114725219A

本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法，涉及半导体器件领域。碳化硅沟槽栅晶体管包括：碳化硅衬底，碳化硅衬底包括第一表面；第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层；外延层内埋置有多个间隔设置的第二掺杂类型的体区；体区包括底部区域以及与底部区域的一端连接的侧部区域；形成于外延层远离第一表面的表面上的多个栅极沟槽结构、多个源极沟槽结构、多个平面栅极结构以及多个阱区；在靠近栅极沟槽结构侧面的阱区内以及位于源极沟槽结构外侧的阱区内形成第一掺杂类型的第二掺杂区。根据本申请实施例，能够降低导通电阻，从而减少芯片面积和降低芯片成本。

关键词：碳化硅掺杂类型第一表面外延层沟槽栅晶体管底部区域源极沟槽栅极沟槽衬底体区半导体器件领域平面栅极结构侧部区域导通电阻间隔设置芯片成本一端连接掺杂区面积和埋置阱区申请芯片侧面制造

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碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法

碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法

引用

作者：崔京京章剑锋 330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼

标准号: CN114725219B

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包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件

包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件

引用

作者： F.希尔勒 M.赫茨勒 R.西米尼克奥地利菲拉赫

本发明涉及包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件。半导体器件的实施例包括具有半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列。平面栅极结构在第一侧处位于半导体主体上。场电极沟槽从第一侧延伸到半导体主体中。每一个场电极沟槽包... 详细信息

标准号: CN106024856B

本发明涉及包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件。半导体器件的实施例包括具有半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列。平面栅极结构在第一侧处位于半导体主体上。场电极沟槽从第一侧延伸到半导体主体中。每一个场电极沟槽包括场电极结构。场电极沟槽的深度d大于第一侧处的场电极沟槽的最大横向尺寸wmax。

关键词：场电极半导体主体半导体器件场电极结构晶体管单元阵列平面栅极结构晶体管单元平面栅极延伸

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半导体结构及其制备方法

半导体结构及其制备方法

引用

作者：林昌杰中国台湾新北市

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一... 详细信息

标准号: CN112310218A

本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一漏极应力源设置在该图案密集区中。该第一源极应力源设置在该图案密集区中。该埋入式栅极结构设置在该图案密集区中，并位在该第一漏极应力源与该第一源极应力源之间。该第二漏极应力源设置在该图案稀疏区中。该第二源极应力源设置在该图案稀疏区中。该平面栅极结构设置在该图案稀疏区中，并位在该第二漏极应力源与该第二源极应力源之间。

关键词：应力源漏极源极图案密集区稀疏区图案平面栅极结构半导体结构埋入式栅极基底结构设置制备

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包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件

包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件

引用

作者： F.希尔勒 M.赫茨勒 R.西米尼克奥地利菲拉赫

标准号: CN106024856A

关键词：场电极半导体主体半导体器件场电极结构晶体管单元阵列平面栅极结构晶体管单元平面栅极延伸

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一种冷阴极聚焦型X射线管

一种冷阴极聚焦型X射线管

引用

作者：迟云雁王琦龙张晓兵雷威娄朝刚 211109 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号

本发明涉及一种冷阴极聚焦型X射线管。其中包括冷阴极电子源(14)、聚焦电极(7)、真空密封壳体(9)、射线出射窗口(10)以及高电压阳极靶(11)等，其特征还包括附在冷阴极电子源(14)上的氧化锌发射层(5)。本发明中电子源是以平面栅极结构为... 详细信息

标准号: CN101494150B

本发明涉及一种冷阴极聚焦型X射线管。其中包括冷阴极电子源(14)、聚焦电极(7)、真空密封壳体(9)、射线出射窗口(10)以及高电压阳极靶(11)等，其特征还包括附在冷阴极电子源(14)上的氧化锌发射层(5)。本发明中电子源是以平面栅极结构为基础、通过丝网印刷方式制备于玻璃基底(6)表面；高电压阳极靶(11)固定于电子源的正上方；电极放置于陶瓷真空壳体之中，通过电极引线与外部电源相连。陶瓷壳体采用分段封接的方式；冷阴极电子源(14)上方放置金属聚焦电极(7)，聚焦电极之间同样使用陶瓷进行绝缘与封装。通过聚焦电极可以大幅度压缩轰击到阳极靶表面的电子束，实现高分辨率X射线的发射。

关键词：电子源聚焦电极冷阴极电压阳极电子束陶瓷平面栅极结构丝网印刷方式电极引线高分辨率陶瓷壳体外部电源真空壳体真空密封电极玻璃基发射层聚焦型阳极靶氧化锌正上方封接绝缘壳体封装分段射线金属发射固定

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应用于X射线管的场发射电子源的研究

应用于X射线管的场发射电子源的研究

引用

作者：迟云雁东南大学

学位级别：硕士

X射线因其独有的物理、化学效应，在生产和医疗领域一直以来具有广泛的应用。例如利用X射线的穿透作用进行无损探伤；利用X射线的荧光作用对物质进行元素分析等。目前使用的X射线管的基本特点是采用热阴极电子源，即采用热灯丝作为电子... 详细信息

X射线因其独有的物理、化学效应，在生产和医疗领域一直以来具有广泛的应用。例如利用X射线的穿透作用进行无损探伤；利用X射线的荧光作用对物质进行元素分析等。目前使用的X射线管的基本特点是采用热阴极电子源，即采用热灯丝作为电子发射源。这样的X射线管体积较大、频率响应慢且需要加热阴极的电源。而采用场致发射的电子源就可以克服上述缺点。纳米氧化锌的合成结构单一、热稳定性和化学稳定性好，是一种良好的场致发射材料。与普通的场致发射相比，采用表面传导电子发射的平面栅极结构所需的驱动电压更低，电子发射更稳定。\n 本文介绍了场致发射阴极并以此作为X射线管的电子源。主要研究了X射线管场发射电子源的结构设计、阴极制备、封装与测试。首先，通过对现有的场发射电子源的研究，引申出平面栅极型表面传导电子发射结构，并对建立的工作模型进行模拟，确定平面栅极型阴极的结构参量。通过模拟仿真计算，配合实验证明，提出在阴极电子源上方放置聚焦电极的改进方案，优化并确定聚焦电极的具体尺寸。然后，以丝网印刷的方法制备X射线管的场发射电子源，并对其进行场致发射测试。实验中获得较大的发射电流（最大发射电流密度为91.7mA/cm2），但因基底在发射过程中损坏而造成发射的稳定性较差。选择硅作为新的基底材料，使得发射稳定性有了明显的改善，并对制备于新基底的阴极电子源进行封装测试。\n 最后，利用真空封接工艺完成X射线管电子源验证器件的装配，并进行真空排气。器件的测试采用直流电源进行，阳极获得的最大电流为3mA。在理论计算的条件下，当阳极电压为20KV时，产生的X射线的能量在83.6mW～107.5mW之间。测试的结果表明，本实验中制备的X射线管的场发射电子源能够提供足够大的电流密度，满足一定功率X射线的出射要求。

关键词：电子源平面栅极结构聚焦电极 X射线管发射电流

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