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文献类型

  • 7 篇 专利
  • 1 篇 学位论文

馆藏范围

  • 8 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 聚焦电极
  • 1 篇 发射电流
  • 1 篇 平面栅极结构
  • 1 篇 x射线管
  • 1 篇 电子源

机构

  • 2 篇 瑞能半导体科技股...
  • 2 篇 东南大学
  • 2 篇 英飞凌科技奥地利...
  • 1 篇 南亚科技股份有限...
  • 1 篇 英飞凌科技股份有...

作者

  • 2 篇 m.赫茨勒
  • 2 篇 迟云雁
  • 2 篇 f.希尔勒
  • 2 篇 章剑锋
  • 2 篇 r.西米尼克
  • 2 篇 崔京京
  • 1 篇 雷威
  • 1 篇 王琦龙
  • 1 篇 c·伦德茨
  • 1 篇 m·海尔
  • 1 篇 张晓兵
  • 1 篇 娄朝刚
  • 1 篇 林昌杰

语言

  • 8 篇 中文
检索条件"主题词=平面栅极结构"
8 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
用于碳化硅器件的屏蔽结构
用于碳化硅器件的屏蔽结构
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作者: M·海尔 C·伦德茨 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-15号
公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件,包括:在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度;第一导电类型的源极区,其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸;第二导... 详细信息
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碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法
碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法
收藏 引用
作者: 崔京京 章剑锋 330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法,涉及半导体器件领域。碳化硅沟槽栅晶体管包括:碳化硅衬底,碳化硅衬底包括第一表面;第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;外延层内埋置有多个间隔设置的第二掺杂类型的体区;体... 详细信息
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碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法
碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法
收藏 引用
作者: 崔京京 章剑锋 330052 江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
本申请公开了一种碳化硅沟槽栅晶体管及其制造方法,涉及半导体器件领域。碳化硅沟槽栅晶体管包括:碳化硅衬底,碳化硅衬底包括第一表面;第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;外延层内埋置有多个间隔设置的第二掺杂类型的体区;体... 详细信息
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包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件
包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件
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作者: F.希尔勒 M.赫茨勒 R.西米尼克 奥地利菲拉赫
本发明涉及包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件。半导体器件的实施例包括具有半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列。平面栅极结构在第一侧处位于半导体主体上。场电极沟槽从第一侧延伸到半导体主体中。每一个场电极沟槽包... 详细信息
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半导体结构及其制备方法
半导体结构及其制备方法
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作者: 林昌杰 中国台湾新北市
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底、一第一漏极应力源、一第一源极应力源、一埋入式栅极结构、一第二漏极应力源、一第二源极应力源以及一平面栅极结构。该基底具有一图案密集区以及一图案稀疏区。该第一... 详细信息
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包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件
包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件
收藏 引用
作者: F.希尔勒 M.赫茨勒 R.西米尼克 奥地利菲拉赫
本发明涉及包括平面栅极和沟槽场电极结构的半导体器件。半导体器件的实施例包括具有半导体主体中的晶体管单元的晶体管单元阵列。平面栅极结构在第一侧处位于半导体主体上。场电极沟槽从第一侧延伸到半导体主体中。每一个场电极沟槽包... 详细信息
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一种冷阴极聚焦型X射线管
一种冷阴极聚焦型X射线管
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作者: 迟云雁 王琦龙 张晓兵 雷威 娄朝刚 211109 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号
本发明涉及一种冷阴极聚焦型X射线管。其中包括冷阴极电子源(14)、聚焦电极(7)、真空密封壳体(9)、射线出射窗口(10)以及高电压阳极靶(11)等,其特征还包括附在冷阴极电子源(14)上的氧化锌发射层(5)。本发明中电子源是以平面栅极结构为... 详细信息
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应用于X射线管的场发射电子源的研究
应用于X射线管的场发射电子源的研究
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作者: 迟云雁 东南大学
学位级别:硕士
X射线因其独有的物理、化学效应,在生产和医疗领域一直以来具有广泛的应用。例如利用X射线的穿透作用进行无损探伤;利用X射线的荧光作用对物质进行元素分析等。目前使用的X射线管的基本特点是采用热阴极电子源,即采用热灯丝作为电子... 详细信息
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