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  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 电荷模型
  • 1 篇 平滑函数
  • 1 篇 应变sin型金属氧化...

机构

  • 1 篇 重庆邮电大学
  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 王斌
  • 1 篇 王冠宇
  • 1 篇 吕懿
  • 1 篇 庄奕琪
  • 1 篇 周春宇
  • 1 篇 张鹤鸣
  • 1 篇 胡辉勇

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管"
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排序:
应变Si n金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模
收藏 引用
理学报 2014年 第1期63卷 294-299页
作者: 周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 重庆邮电大学光电工程学院 重庆400065
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模.该模采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决... 详细信息
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