检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：周博文中国科学院大学(中国科学院物理研究所)

学位级别：博士

ABO3钙钛矿及其衍生家族具有灵活多变的晶体结构与丰富的离子组合方式,呈现了复杂多样的物理性质,长期以来是凝聚态物理的重要研究对象之一。本博士论文利用高压高温实验条件制备了多种新型钙钛矿半导体材料,解析了材料的晶体结构,研究... 详细信息

ABO3钙钛矿及其衍生家族具有灵活多变的晶体结构与丰富的离子组合方式,呈现了复杂多样的物理性质,长期以来是凝聚态物理的重要研究对象之一。本博士论文利用高压高温实验条件制备了多种新型钙钛矿半导体材料,解析了材料的晶体结构,研究了磁、电、光等多种物理性质,发现了具有重要潜在应用的多功能特性,取得了以下主要研究成果:（1）采用高压高温（6 GPa,1173 K）合成方法,成功制备了B位Cr和Fe无序分布且氧缺位的简单立方钙钛矿Sr Cr0.5Fe0.5O2.875（SCFO）。磁性测试表明,SCFO具有高达600 K的弱铁磁相变温度。与金属性的Sr Cr O3和Sr Fe O3相比,SCFO呈现出直接带隙半导体的特征,室温下带隙为2.28 e V,处于可见光范围内。光致发光谱测试表明SCFO具有绿色的荧光效应,这来源于材料中的d-p成键态和反键态的形成。此外,磁场还可以调控SCFO的光致发光强度。该项工作为研究磁、电、光耦合的室温多功能材料提供了范例。（2）通过高压高温（18 GPa,1473 K）合成方法,首次制备了类钛铁矿锰氧化物Hg Mn O3,其空间群为P21/c。晶体结构解析结果表明Hg Mn O3的Mn O6八面体在bc平面形成一个二维网络,导致材料在32 K处形成了具有低维特性的长程反铁磁有序。当合成压力上升至20 GPa时,新的类钙钛矿相产生,新相的空间群为R-3c。在此菱方相的Hg Mn O3结构中,Mn O6八面体按照三维网络连接,导致TN为60 K的长程反铁磁序的形成。X射线吸收谱测试表明Hg Mn O3的两个多型相均具有相同的Mn4+电荷态,与居里-外斯拟合和键价计算分析的结果一致。通过改变Hg Mn O3的合成压力,材料可以实现从二维磁性到三维磁性的转变。该项工作表明调节合成压力,是调控材料结构和物理性质的有效方法。（3）本论文利用高压高温（15 GPa,1373 K）方法首次合成了类钙钛矿多晶氧化物Hg0.75Pb0.25Mn O3（HPMO）。虽然未掺杂的Hg Mn O3和Pb Mn O3均为非极性材料,但A位掺杂的HPMO形成非中心对称的极性材料,空间群为Ama2,点电荷模型计算表明其自发电极化强度达到24.5μC/cm2。通过光学吸收系数和光致发光光谱分析,该材料的可见光吸收具有直接带隙（～2.25 e V）特征。此外,在极化电场下观察到显著的净光电流和可切换光伏效应,并具有持续的光响应。本工作为利用结构工程实现新型室温铁电体的研究提供了范例,且该多晶材料在可见光吸收的光电器件中具有潜在的应用价值。（4）利用高压高温条件制备了更多组分的Hg1-xPbxMn O3（0≤x≤0.5）固溶体系。该体系的晶体结构分析结果表明,随着A位Pb含量的逐渐增加,材料的晶体结构发生了由非极化的R-3c相（x=0）到极化的Ama2相（x=0.25）,再到非极化的Pm-3m立方相（x=0.5）的系列转变,并伴随绝缘体-金属化相变以及反铁磁-铁磁的转变。X射线吸收谱测试表明,当Pb的含量x30.375时,Mn的价态由单一的Mn4+价变为Mn3+与Mn4+的混合价。混合价的出现导致材料展现了庞磁电阻效应,其中Hg0.625Pb0.375Mn O3在2 K和8 T时的磁电阻可到1.6×10～3%,Hg0.5Pb0.5Mn O3在70 K和14 T时的磁电阻高达1.0×10～3%。该固溶体系为化学掺杂诱导新结构和新物理性质的研究提供了一个全新的平台。

关键词：高压合成铁磁半导体铁电半导体铁电光伏效应庞磁电阻效应

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几类拓扑、关联电子材料高压物性研究

几类拓扑、关联电子材料高压物性研究

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作者：张博文中国科学技术大学

学位级别：博士

拓扑是用来描述不随连续形变而改变的整体几何属性的一个数学概念。近年来,人们将拓扑的概念引入到半金属材料中,发展出拓扑半金属的概念,即材料的能带结构中包含导带和价带线性交叉的简并点或线。根据交叉点的简并情况,拓扑半金属可以... 详细信息

拓扑是用来描述不随连续形变而改变的整体几何属性的一个数学概念。近年来,人们将拓扑的概念引入到半金属材料中,发展出拓扑半金属的概念,即材料的能带结构中包含导带和价带线性交叉的简并点或线。根据交叉点的简并情况,拓扑半金属可以分为狄拉克半金属、外尔半金属、节线半金属、三重或八重等非常规简并度的新型半金属。这些物相存在很多新奇的量子效应和现象,如:量子反常霍尔效应、可能存在的马约拉纳零能模、超大磁电阻效应和手性异常导致的负磁阻效应等。这些发现拓宽了人们对凝聚态物理的认知,同时材料新奇的物理性质也为低能耗电子学器件、拓扑计算器件的研制提供了新的方向。在拓扑材料中引入关联效应会诱导出新物性、新现象。近藤晶格材料一直是强关联领域的重要研究内容。这类材料中的电荷、自旋、轨道、晶格自由度等存在强烈耦合,形成有效质量很大的费米子态、磁有序、非常规超导态、非费米液体等多种量子态,是很有可能存在强关联拓扑特性的一类材料体系。强关联电子材料基态相互作用能量尺度相当,很容易受到外界环境的影响,可以通过磁场、压力等方式调控。经过几十年的发展,压力成为实验室常用的实验手段。尤其是金刚石对顶砧技术发展迅速,成为压力调控的主要工具之一。目前,高静水压已经达到百万大气压量级,可以有效调控材料的晶体结构和拓扑电子态。于是,我们选取了几类拓扑半金属和强关联电子材料,通过金刚石对顶砧装置,开展相关高压实验。研究内容主要包括以下方面:一、类狄拉克半金属PdSn4压力效应研究本章主要介绍了类拓扑半金属PdSn4的高压电输运和高压同步辐射X射线衍射实验结果。高压XRD结果表明晶体结构在0～44.5 GPa压力范围内常压相稳定存在,没有发生结构相变。高压电阻在低温端符合费米液体行为,且不随压力变化。在3.2GPa-20.0GPa和较高的磁场下,磁阻和磁场保持线性关系。综合以上实验结果,我们认为PdSn4的拓扑特性对压力是鲁棒的。二、压力对类狄拉克半金属LaAgSb2的结构调制本章以电荷密度波材料LaAgSb2为研究对象,利用高压手段研究LaAgSb2的电荷密度波和拓扑态之间的关系。我们系统测试了 LaAgSb2的高压电输运、高压同步辐射X射线衍射,及高压拉曼光谱。高压电输运实验表明电荷密度波在压力下被逐渐抑制。300 K的阻值在PC～22 GPa左右处陡然增加。LaAgSb2在常压下载流子是空穴占主导的,PC处霍尔系数突然由正变负,载流子变为电子占主导。在1.7～41.6 GPa范围内,结构没有明显变化,但晶格常数比在PC处存在斜率的变化。高压拉曼图谱显示在PC处出现新峰。结合这些实验结果,我们认为LaAgSb2在PC处发生结构调制。三、n型CdCr2Se4多晶中庞磁电阻效应高压调控研究本章主要介绍了 p型和n型CdCr2Se4多晶的电输运随压力的演化。高压电输运测量结果表明p型多晶电阻是半导体行为,没有庞磁电阻效应,电阻在压力下单调减小,至27.9 GPa电阻没有出现金属化的迹象;而n型CdCr2Se4多晶的庞磁电阻效应被压力抑制,并在9 GPa附近消失。此外,高压磁化强度的测量结果表明n型CdCr2Se4多晶的磁基态也逐渐被压力抑制并在相同压力点消失。对高压XRD数据进行分析,我们发现n型CdCr2Se4多晶在10 GPa以下,键长发生变化,导致铁磁相互作用变小,直至铁磁性消失,致使庞磁电阻效应消失。在更高压力11 GPa和15 GPa发生结构相变,与前人报道一致。四、拓扑近藤半金属CeSbTe高压物性研究本章主要介绍了压力下CeSbTe电输运和结构的演化。在常压下,电阻全温区为半导体行为,到10 GPa处,电阻在低温端突然下掉,而后在25 GPa左右,电阻下掉行为消失,又重新变为半导体行为,在更高的压力下,电阻行为逐渐金属化。电阻在压力下的一系列变化与晶格结构密切相关。通过对高压XRD数据的分析,我们初步认为CeSbTe在10 GPa左右峰的劈裂与晶格常数a、c的压缩率不一致有关,在25 GPa发生结构相变。因此,结构的变化导致了电阻行为的异常。五、全文总结及展望。

关键词：压力拓扑半金属关联电子电荷密度波庞磁电阻效应

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不同烧结环境对La_0.67Sr_0.33MnO₃结构与电磁性能的影响

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应用物理 2021年第5期11卷 253-258页

作者：杨艺许义开董鑫邹福刚陈杰兴义民族师范学院贵州兴义

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33MnO3的系列样品。通过X射线衍射谱、扫描电镜、电阻率–温度曲线、磁电阻–温度曲线,研究了烧结环境对样品电阻和磁电性质的影响。实验结果显示,随烧结环境氧含量的减少,铁磁性减弱,导电... 详细信息

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33MnO3的系列样品。通过X射线衍射谱、扫描电镜、电阻率–温度曲线、磁电阻–温度曲线,研究了烧结环境对样品电阻和磁电性质的影响。实验结果显示,随烧结环境氧含量的减少,铁磁性减弱,导电性降低,由于烧结氛围的变化,改变了样品中的氧含量,样品中载流子的浓度以及Mn离子的局域环境随之发生变化,以及铁磁与反铁磁作用的相互竞争的结果,改变了材料的磁电性能。

关键词：庞磁电阻效应烧结环境稀土锰氧化物

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基于LaCaBaMnO材料磁电阻效应的温度与磁强测量仪的设计

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传感技术学报 2018年第8期31卷 1176-1180页

作者：褚若波卢宇福建师范大学物理与能源学院福州350117 福建师范大学协和学院福州350117

随着物联网技术的快速发展,智能设备的小型化要求传感器可以采集更多的信息。采用溶胶凝胶法与高温烧结工艺制得块状La_(2/3)(Ca_(0.6)Ba_(0.4))_(1/3)MnO_3多晶靶材,使用脉冲激光沉积法将该块状靶材沉积在石英玻璃衬底上制得钙钛矿结... 详细信息

随着物联网技术的快速发展,智能设备的小型化要求传感器可以采集更多的信息。采用溶胶凝胶法与高温烧结工艺制得块状La_(2/3)(Ca_(0.6)Ba_(0.4))_(1/3)MnO_3多晶靶材,使用脉冲激光沉积法将该块状靶材沉积在石英玻璃衬底上制得钙钛矿结构的氧化物薄膜,最后用EVA树脂将该样品封装成磁电阻传感器件。通过分析该传感器件的磁电阻特性,选用高精度集成ADC微处理器与匹配调理电路,设计了一种小型温度与磁强测量仪。

关键词：温度与磁强传感器溶胶凝胶法庞磁电阻效应

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不同晶态对La(1-x)SrxMnO3(x=0.33,0.5)薄膜电性及磁性的影响

不同晶态对La(1-x)SrxMnO3(x=0.33,0.5)薄膜电性及磁性的影响

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作者：刘迪迪河北师范大学

学位级别：硕士

钙钛矿锰氧化物由于呈现出庞磁电阻、交换偏置、电阻开关特性等许多新奇的物理特性，一直以来都是凝聚态物理领域中的重点研究对象。而将该类材料制备成透明器件，可以明显拓宽该类器件的应用范围，故制备出透明玻璃器件，成为现代电子... 详细信息

钙钛矿锰氧化物由于呈现出庞磁电阻、交换偏置、电阻开关特性等许多新奇的物理特性，一直以来都是凝聚态物理领域中的重点研究对象。而将该类材料制备成透明器件，可以明显拓宽该类器件的应用范围，故制备出透明玻璃器件，成为现代电子学发展的焦点话题。本论文着重关注了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜的电阻开关与磁电阻特性，并对具有相分离的 La0.5Sr0.5MnO3薄膜进行了交换偏置效应的研究。本文的研究内容主要包括以下三部分：\n (1)不同晶态La0.67Sr0.33MnO3薄膜的电阻开关特性\n 在FTO基底上，采用溶胶-凝胶法制备出两种不同晶态的LSMO薄膜，分别定义为LSMO-1和LSMO-2。由XRD与EDS能谱测量可知，LSMO-1薄膜为非晶态的薄膜，而LSMO-2薄膜为单相多晶薄膜。由AFM和SEM观测两种样品的微观形貌可知， LSMO-1薄膜表面是很多颗粒团簇在一起，没有观察到单个的晶粒，薄膜厚度为250nm。LSMO-2薄膜表面分布较均匀、致密，有清晰的晶粒边界，薄膜厚度为290nm。对两种薄膜蒸镀上顶电极，形成了Ag/LSMO/FTO器件。对这两个器件的透光性研究显示， LSMO-1器件的透光性为67%，而LSMO-2为完全不透光器件。电阻开关特性研究显示，LSMO-1器件的电阻值达到了106-108Ω，较LSMO-2器件高了近4个数量级，但其高、低阻态的电阻比达到了102，远高于LSMO-2器件的阻变比，并且有很好的保持性；对这两个器件的电阻开关机制的分析发现，LSMO-1器件的阻变效应是导电细丝机制起主要作用，而LSMO-2器件的阻变主要来源于界面的肖特基势垒的作用。\n (2)不同退火温度对La0.67Sr0.33MnO3薄膜磁及磁电阻特性的影响\n 运用sol-gel方法，在不同温度下制备La0.67Sr0.33MnO3薄膜样品，通过测量这几个薄膜的M-H和M-T曲线，可以得到500℃温度下制备的非晶态薄膜为顺磁性。而600℃和650℃温度下制备的为晶态薄膜，表现为铁磁性。随着制备温度升高，结晶度增加，氧空位逐渐减少。根据化合价平衡原理，氧离子进入晶格，使Mn4+/Mn3+比例增加。因此随着温度升高，内部排列由无序变为有序，导致电阻变小。分别对其磁电阻进行了计算，500℃样品的磁电阻为正向磁电阻(约为30%)，由于其为非晶态样品，因此它的机制已经不是双交换作用可以解释的范畴，可以用界面隧穿来解释；而对于600℃和650℃这两个样品的磁电阻都是负向磁电阻(-3.5%和-25%)，并且随着温度升高其磁电阻逐渐增加，这主要由于温度升高双交换作用变强而导致电阻减小、磁电阻变大。\n (3)对La0.5Sr0.5MnO3交换偏置效应的研究\n 采用溶胶-凝胶法在FTO基底上制备单相多晶的La0.5Sr0.5MnO3薄膜。通过SEM观察其表面微观结构，结果显示晶粒的大小在5.3nm-22.1nm范围之间，薄膜厚度为163nm。对该薄膜磁性测量发现，在500Oe磁场下其水平交换偏置可达到255Oe；最后对薄膜进行了训练效应的测量，证明薄膜有较高的稳定性。在TC温度以下，随着温度降低到5K时，交换偏置一直增加，到阻挡温度约68K时样品的交换偏置效应突然快速增加。该现象归因于低温下FM和AFM两相共存，FM/AFM界面发生耦合导致交换偏置的产生，并且温度越低薄膜界面耦合作用越强。

关键词：电阻开关特性钙钛矿材料交换偏置庞磁电阻效应

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自旋电子学研究的现状与趋势

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科技中国 2018年第5期 7-10页

作者：于笑潇资剑王兵陈卓敏科技部高技术研究发展中心复旦大学西安交通大学

自旋电子学已经发展成一个跨基础科学、工程设计和产业生产的庞大领域,不但具有重大科学价值,还具有巨大的商业应用价值。加大对新型自旋器件的研究力度,走自主创新的道路,推进研究成果产业化,将有助于我国在未来信息产业的新一轮竞争... 详细信息

自旋电子学已经发展成一个跨基础科学、工程设计和产业生产的庞大领域,不但具有重大科学价值,还具有巨大的商业应用价值。加大对新型自旋器件的研究力度,走自主创新的道路,推进研究成果产业化,将有助于我国在未来信息产业的新一轮竞争中获得自主知识产权,取得主动和优势。

关键词：自旋电子拓扑绝缘体自旋霍尔效应庞磁电阻效应

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钙钛矿锰氧化物及其在传感器上的应用研究

钙钛矿锰氧化物及其在传感器上的应用研究

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作者：韩森福建师范大学

学位级别：硕士

钙钛矿锰氧化物是一类具有庞磁电阻、磁热效应等多种物理特性的功能材料。近些年通过对该类材料的不断研究,人们对其庞磁电阻效应产生机理有了新的认识,也使得对材料的居里温度调控和磁电阻效应的应用研究有了一定的进展。但是,许多具... 详细信息

钙钛矿锰氧化物是一类具有庞磁电阻、磁热效应等多种物理特性的功能材料。近些年通过对该类材料的不断研究,人们对其庞磁电阻效应产生机理有了新的认识,也使得对材料的居里温度调控和磁电阻效应的应用研究有了一定的进展。但是,许多具有优良物理特性的钙钛矿锰氧化物其居里温度均偏离室温。因此,如何获得在室温下具有优异特性的锰氧化物体系是一项基础工作。本论文在这一方面开展相关研究,获得了具有室温下优良特性的La2/3(Ca0.6Ba0.4)1/3MnO3(LCBMO)材料。在室温附近,测试结果表明LCBMO材料的磁电阻随温度和外界磁场强度变化为线性,说明该材料有可能成为温度和磁场的感应材料。基于此,我们以这一材料体系为基础,设计和制作了温度&磁场薄膜传感器及其数据采集系统。主要工作有:1.采用溶胶凝胶法制备了 LCBMO块体,用脉冲激光沉积法在石英衬底上沉积得到LCBMO/石英薄膜材料。用XRD、台阶仪、振动样品磁强计(VSM)测试块体和薄膜的结构和磁、电性质。实验结果表明,LCBMO薄膜结构的最佳退火温度为800℃,该材料居里温度在室温附近,且在室温附近其磁电阻对温度和磁场强度为线性响应。2.基于LCBMO材料的磁电特性设计并制作了温度&磁场薄膜传感器及其数据采集系统。设计制作了小电压放大电路,用数据采集卡采集电压信号。设计了基于LabVIEW的数据采集软件,包括参数设置、数据采集、数字滤波、参数存储和调取、数据计算和显示等功能。3.利用所设计的温度&磁场薄膜传感器、电压放大电路、数据采集系统,验证了材料性能以及传感器系统方案的可行性。

关键词：掺杂锰氧化物庞磁电阻效应温度&磁场传感器采集系统

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“自制”显微镜识破电子“相” 003

“自制”显微镜识破电子“相”

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中国科学报

作者：张思玮

一直以来，科学家对锰氧化物的庞磁电阻（CMR）效应研究始终保持高昂热情。所谓的庞磁电阻（CMR）效应，就是指随着外加磁场的改变，锰氧化物电阻急剧变化。而恰恰锰氧化物这一特性，能够使其具有成为新一代高密度磁存储材料的潜力。“... 详细信息

一直以来，科学家对锰氧化物的庞磁电阻（CMR）效应研究始终保持高昂热情。所谓的庞磁电阻（CMR）效应，就是指随着外加磁场的改变，锰氧化物电阻急剧变化。而恰恰锰氧化物这一特性，能够使其具有成为新一代高密度磁存储材料的潜力。“而要精确调控庞磁电阻效应，其电?

关键词：显微镜相分离反铁磁相锰氧化物庞磁电阻效应

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钙钛矿钴氧化物中钴离子自旋态的研究进展

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材料导报 2015年第9期29卷 146-151页

作者：赵若禺毋志民王敏娣邓军权丁水燕重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室重庆401331

钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理。由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注。从介绍钙钛矿... 详细信息

钙钛矿钴氧化物具有丰富的物理现象,特别是其Co离子自旋态的变化更为复杂,蕴藏着丰富的物理机理。由于材料本身存在的庞磁电阻效应使其在提高磁存储密度和制备磁敏感探测元件等领域有着很广阔的应用前景,受起了广泛关注。从介绍钙钛矿氧化物的结构入手,着重阐述了钙钛矿钴氧化物中Co离子自旋态转变的研究进展,并对钙钛矿钴氧化物中存在的其他物性进行了简单综述。

关键词：钙钛矿钴氧化物钴离子自旋态庞磁电阻效应

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Ru掺杂锰氧化物磁性及电输运行为的研究

Ru掺杂锰氧化物磁性及电输运行为的研究

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作者：车鹏辉南京大学

学位级别：硕士

锰氧化物具有诸多奇特的物理性质,比如磁电阻效应、电致电阻效应、同位素效应以及多铁性等,引起了人们广泛的关注和研究。锰氧化物体系中发现存在电子相分离现象,而电子相分离的产生涉及锰氧化物中多个电子相共存,包括铁磁金属相和反铁... 详细信息

锰氧化物具有诸多奇特的物理性质,比如磁电阻效应、电致电阻效应、同位素效应以及多铁性等,引起了人们广泛的关注和研究。锰氧化物体系中发现存在电子相分离现象,而电子相分离的产生涉及锰氧化物中多个电子相共存,包括铁磁金属相和反铁磁电荷有序相,这主要是由于锰氧化物中电荷、轨道、自旋以及晶格畸变等多种自由度的相互耦合引起的。锰氧化物中Mn位微量的离子或电子掺杂,都会使体系的电子相改变。研究发现,锰氧化物中用微量Ru进行Mn位掺杂时,有效地促进了体系中铁磁金属相的形成,居里温度也相应的提高,这与掺杂其他离子(比如Cr、Fe、Al等)是不同的,因此锰氧化物中Ru的Mn位掺杂引起了关注。之前的研究发现,锰氧化物中的Ru掺杂主要是Ru4+和Ru5+离子,而居里温度的提高是由于体系中Mn3+-Ru4+(Ru5+)铁磁的超交换相互作用引起的。然而有关Mn-O-Ru之间的相互作用以及其对体系电子相分离的影响仍然存在争议,目前还没有定论。锰氧化物由于Ru掺杂而导致体系出现反常金属-绝缘体转变的原因也是不清楚的。在本论文中,我们研究了不同Ru掺杂浓度LPCMRO的磁性和电输运性能,并进行了细致而又深入的探讨。全文的主要内容安排如下：第一章,简述锰氧化物的研究历史以及主要的物理性质。然后对电致电阻效应做了简要的介绍。第二章,简述样品的制备方法以及表征手段,并简要介绍了PLD实验室对样品进行物性表征的实验仪器及其原理。第三章,我们采用传统的固相反应法制备了不同Ru掺杂浓度的LPCMRO样品,研究了其磁性和电输运性质,发现了很多有趣的现象：比如样品磁性和电阻率随温度变化的关系,还有外电场的变化会使样品的电阻率发生明显的改变,而外磁场又会抑制这种反常电致电阻效应等。我们对这些有趣的物理现象进行了讨论与分析。第四章,全文的总结与展望。

关键词：锰氧化物电子相分离庞磁电阻效应电致电阻效应

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