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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 垂直层叠
  • 1 篇 应变si
  • 1 篇 应变sige
  • 1 篇 异质结互补金属氧...

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 任冬玲
  • 1 篇 舒斌
  • 1 篇 王伟
  • 1 篇 张鹤鸣

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管"
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排序:
基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究
收藏 引用
半导体技术 2007年 第5期32卷 397-401页
作者: 舒斌 张鹤鸣 任冬玲 王伟 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠构,二者共用一个多晶SiGe栅电极。分析了该构的电学特性与器件的几何构参数和材料理参数的关系,而... 详细信息
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