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该发明为一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向... 详细信息

标准号: hg07005734

该发明为一种量子阱基区异质结双极型晶体管,属于高速微电子技术领域,其沿基区纵向生长一个或多个非掺杂量子阱层,使基区内的多数载流子主要处在量子阱中作横向输运,从而大大提高多数载流子的横向迁移率,并同时形成对少数载流子的纵向漂移场,加速少数载流子的纵向渡越,在不提高基区宽度和掺杂总量的基础上显著减小基区电阻rb,从而得到具有高电流增益、高fT、高fmax和低噪声系数NF的异质结双极型晶体管。

关键词：异质结双极型晶体管双极晶体管高电流增益高fT 高fmax 低噪声系数

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垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟

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物理学报 2019年第20期68卷 123-129页

作者：周广正李颖兰天代京京王聪聪王智勇北京工业大学激光工程研究院

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting lasers,VCSELs)和异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT)都是纵向电流器件,可以集成在同一外延片上,通过HBT基极电流调制VCSELs的输出光功率.本文设计了一种VCSELs与HBT集成结构,该结构包括VCSELs和PNP In Ga P/Ga As HBT,为直接串联结构,并利用PICS3D软件模拟了该集成结构的电光特性.为了模拟能够顺利进行,在模型中加入了过渡集电极.首先将HBT导通,电流由发射极流向过渡集电极,然后增大过渡集电极与N型电极之间的电压,使VCSELs导通且把过渡集电极的电流降为零.由于过渡集电极的电流为零,在实际结构中可以将其移除.模拟结果表明,当电流增益系数为400时,基极电流对输出光功率的最大调制率达到280 mW/m A.本文所设计的集成结构及其模拟方法对光电集成器件(opto-electronic integrated circuit,OEIC)具有一定的指导作用.

关键词：垂直腔面发射激光器异质结双极型晶体管光电集成

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伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)

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强激光与粒子束 2011年第2期23卷 545-549页

作者：温景超石瑞英龚敏唐龙谷田野谭开州蒲林四川大学物理科学与技术学院成都610064 微电子技术四川省重点实验室成都610064 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 详细信息

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。

关键词：异质结双极型晶体管自建电势掺杂浓度集电极电流厄尔利电压伽玛辐照

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异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法

异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法

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作者：姜清华邹道华潘林吴炫聪 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于衬底上的集电层；位于第一区和第二区的集... 详细信息

标准号: CN116314304B

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，所述衬底在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于衬底上的集电层；位于第一区和第二区的集电层上的基层；位于第一区和第二区的基层上的发射层；位于第一区的发射层上的发射电极层；位于第二区的基层上的基电极层,基电极层位于所述发射层的一侧；发射层包括第一部和第二部，第一部位于第一区的基层与发射电极层之间，第二部位于位于基电极层与第一部之间，第二部用于电隔离第一部和基电极层，第二部的材料为第一部的本征半导体材料；位于第三区的集电层上的集电极层。所述基层的电流得到提高。

关键词：第一区基电极层发射层集电层衬底发射电极基层异质结双极型晶体管本征半导体材料衬底表面方向平行集电极层电隔离

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异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法

异质结双极型晶体管及异质结双极型晶体管的形成方法

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作者：姜清华赵亚楠丁帼君吴炫聪 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述衬底上的集电层；位于所述第一区和第二区的集... 详细信息

标准号: CN116825739A

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底，在第一方向上依次包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间，所述第一方向平行于衬底表面；位于所述衬底上的集电层；位于所述第一区和第二区的集电层上的基层；位于所述第一区的基层上的发射层；位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构包括第一导电层、第二导电层及第三导电层,所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层的结构及厚度相同；所述第三导电层位于所述第三区，与所述集电层电性连接；所述第二导电层位于所述第二区，与所述基层电性连接；所述第一导电层位于所述第一区，与所述发射层电性连接。所述结构的形成过程使用的光罩数量减少。

关键词：第一区第二导电层第一导电层电性连接导电层集电层衬底导电结构发射层异质结双极型晶体管衬底表面方向平行数量减少基层光罩

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异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管

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作者： H·L·小奥尔德里奇 A·K·斯坦珀 J·黄 J·A·康塔洛夫斯基美国加利福尼亚州

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到... 详细信息

标准号: CN113764518A

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到导电材料层并与导电材料层接触；以及器件，其位于导电材料层上方的器件区域中。

关键词：半导体层导电材料层器件区域异质结双极型晶体管半导体结构延伸制造

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异质结双极型晶体管的形成方法

异质结双极型晶体管的形成方法

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作者：赵亚楠李新宇丁帼君姜清华 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极型晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成集电层、基层材料层、基层保护材料层、发射材料层；在发射材料层上形成第一保护材料层；基于发射材料层和第一保护材料层，在第一区的基层保护材料层上形成发射层和第... 详细信息

标准号: CN117766388A

一种异质结双极型晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成集电层、基层材料层、基层保护材料层、发射材料层；在发射材料层上形成第一保护材料层；基于发射材料层和第一保护材料层，在第一区的基层保护材料层上形成发射层和第一保护层；在第二区和第三区上形成第二保护材料层；刻蚀发射层上的第一保护层和第二保护材料层，在发射层上形成贯穿第一保护层和第二保护材料层的第一凹槽；刻蚀第二区上的第二保护材料层和基层保护材料层，在第二区上形成贯穿第二保护材料层并且底部位于基层保护材料层内的第二凹槽；在第一凹槽内形成发射电极层；在第二凹槽内形成基电极层，发射电极层和基电极层同步形成。工艺流程得到简化。

关键词：保护材料层第一保护层发射材料层发射层发射电极基电极层衬底刻蚀基层异质结双极型晶体管基层材料工艺流程第一区集电层贯穿

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异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管

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作者：周国陈卓宋洁晶崔雍孙虎付兴中高三磊高昶孙天玲张力江 050051 河北省石家庄市合作路113号

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管，该方法包括：在从下到上依次为基区外延层、发射区InP层和发射区帽层的晶圆上表面溅射金属层和淀积介质层；对介质层和金属层刻蚀，对发... 详细信息

标准号: CN117457492A

本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种异质结双极型晶体管制备方法及异质结双极型晶体管，该方法包括：在从下到上依次为基区外延层、发射区InP层和发射区帽层的晶圆上表面溅射金属层和淀积介质层；对介质层和金属层刻蚀，对发射区帽层腐蚀；刻蚀后的金属层构成发射区电极；淀积隔离介质层；去除介质层和介质层外表面的隔离介质层；对目标隔离介质层刻蚀，对发射区InP层腐蚀；腐蚀后的发射区InP层和发射区帽层构成发射区台面；在基区外延层上表面制备基区电极。本申请能够减小发射区台面的横向腐蚀距离，减小基区电极与发射区台面的间距，从而减小R_B‑table，提高异质结双极型晶体管的输入电流能力和频率性能。

关键词：发射区介质层异质结双极型晶体管隔离介质层金属层减小刻蚀帽层基区外延层基区电极上表面腐蚀淀积制备半导体器件技术发射区电极横向腐蚀输入电流台面溅射晶圆去除申请

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异质结双极型晶体管（HBT）中的掺杂剂分布控制

异质结双极型晶体管（HBT）中的掺杂剂分布控制

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作者： T·托梅娜瑞 J·罗克 H·雅苏达 W·范诺尔特 M·达尔斯特伦美国德克萨斯州

本公开整体涉及异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制。在一个示例中，半导体器件结构(100,200)包括半导体衬底(102,202)和HBT。HBT包括集电极区(106,206,306)、基极区(112,212,312)和发射极区(120,220,320)。基极区(112,212,312... 详细信息

标准号: CN115842048A

本公开整体涉及异质结双极型晶体管(HBT)中的掺杂剂分布控制。在一个示例中，半导体器件结构(100,200)包括半导体衬底(102,202)和HBT。HBT包括集电极区(106,206,306)、基极区(112,212,312)和发射极区(120,220,320)。基极区(112,212,312)设置在集电极区(106,206,306)上或上方。发射极区(120,220,320)设置在基极区(112,212,312)上或上方。基极区(112,212,312)设置在半导体衬底(102,202)上或上方并且包括异质外延子层(1002)。异质外延子层(1002)掺杂有掺杂剂(1006)。掺杂剂(1006)的浓度梯度从邻接和上覆异质外延子层(1002)的层(342)中的区增加到异质外延子层(1002)中的峰值浓度(1020)而在区和峰值浓度(1020)之间不减少。

关键词：异质外延基极区子层发射极区集电极区掺杂剂衬底半导体异质结双极型晶体管半导体器件结构掺杂剂分布浓度梯度邻接掺杂

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异质结双极型晶体管和异质结双极型晶体管的形成方法

异质结双极型晶体管和异质结双极型晶体管的形成方法

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作者：姜清华叶鹏辉李新宇赵亚楠 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成集电层、位于集电层上的基层材料层以及位于基层材料层上的发射材料层；基于发射材料层，在第一区的基层材料层上形成发射层；形成第一保护层；在基层材料层上、... 详细信息

标准号: CN117276075A

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成集电层、位于集电层上的基层材料层以及位于基层材料层上的发射材料层；基于发射材料层，在第一区的基层材料层上形成发射层；形成第一保护层；在基层材料层上、第一保护层表面和发射层侧壁形成第二保护层；在发射层上形成贯穿第一保护层和第二保护层的第一凹槽；在第二区上同步形成贯穿第二保护层的第二凹槽；在第一凹槽内形成发射电极层；在第二凹槽内形成基电极层，发射电极层和基电极层同步形成；去除第三区上的基层材料层和第二保护层，在集电层上形成基层；在第三区的集电层上形成集电极层。所述方法形成的异质结双极型晶体管性能得到提升。

关键词：基层材料第二保护层集电层第一保护层发射层异质结双极型晶体管发射材料层发射电极基电极层基底集电极层第一区贯穿侧壁去除基层

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