检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：李辉杰刘宇哲李含轩李善文何志芳 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号

本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括AlxGa1‑xAs1‑yPy，集电极层的... 详细信息

标准号: CN115566056A

本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y，集电极层的材料包括GaAs。本申请中，利用Al_xGa_1‑xAs_1‑_yP_y材料形成缓冲层，Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y中的P的引入使Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y与GaAs的晶格常数更加接近，利用Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y材料形成缓冲层，可以降低缓冲层和衬底之间的晶格失配，提高晶体生长的质量；同时，P的引入也可以增加Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y材料的禁带宽度，使Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y中需要的Al含量降低，进而降低Al引入的缺陷中心密度，提升异质结双极型晶体管的器件性能。

关键词：缓冲层异质结双极型晶体管衬底材料形成集电极层外延结构引入发射极盖层层叠设置发射极层含量降低晶格常数晶格失配晶体生长器件性能缺陷中心基极层禁带申请

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异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法

异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法

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作者：樊永辉许明伟樊晓兵 518035 广东省深圳市福田区华富街道莲花一村社区皇岗路5001号深业上城(南区)T2栋2701

本申请公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法，该方法包括：在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层；在发射层上外延形成p型惨杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的... 详细信息

标准号: CN114725191A

本申请公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构及其制备方法，该方法包括：在砷化镓GaAs衬底上外延形成n型惨杂的砷化铝镓AlGaAs发射层；在发射层上外延形成p型惨杂的砷化镓GaAs基极层；在基极层上外延形成n型惨杂的氮化镓GaN系材料的集电层。在HBT器件的实际应用中，由于采用GaN系材料作为集电层，可以使用较高的工作电压，从而有利于增加该HBT器件的输出功率，克服GaAs HBT器件的功率限制，以及更好地满足5G通信高频与高功率的需求。

关键词：发射层基极层集电层砷化镓异质结双极型晶体管工作电压功率限制砷化铝镓输出功率外延结构氮化镓高功率衬底制备通信申请应用

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异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管

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作者： H·L·小奥尔德里奇 A·K·斯坦珀 J·黄 J·A·康塔洛夫斯基美国加利福尼亚州

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到... 详细信息

标准号: CN113764518A

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及异质结双极型晶体管及制造方法。该结构包括：第一半导体层，其包括器件区域；第二半导体层，其位于第一半导体层下方；导电材料层，其位于第一半导体层和第二半导体层之间；至少一个接触，其延伸到导电材料层并与导电材料层接触；以及器件，其位于导电材料层上方的器件区域中。

关键词：半导体层导电材料层器件区域异质结双极型晶体管半导体结构延伸制造

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异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管

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作者：黄朝兴金宇中曾敏男陈凯伦中国台湾桃园市

本发明提供了一种异质结双极型晶体管，包含集电极层，且集电极层包含能隙渐变层，能隙渐变层能产生内建电场，内建电场能使能隙渐变层中的一些电子速度发生变化。

标准号: CN113161415A

关键词：渐变层集电极层内建电场能隙异质结双极型晶体管使能

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异质结双极型晶体管

异质结双极型晶体管

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作者：大部功梅本康成吉田茂柴田雅博日本京都府

本发明提供一种异质结双极型晶体管，能够维持控制稳定性同时降低基极‑集电极间电容的集电极电压依存性。所述异质结双极型晶体管(HBT)具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层、... 详细信息

标准号: CN107706236B

本发明提供一种异质结双极型晶体管，能够维持控制稳定性同时降低基极‑集电极间电容的集电极电压依存性。所述异质结双极型晶体管(HBT)具备：具有对置的第一主面和第二主面的半导体基板、依次层叠于半导体基板的第一主面侧的集电极层、基极层、以及发射极层，集电极层包括分散有多个金属原子耦合而形成的金属微粒的第一半导体层。

关键词：异质结双极型晶体管半导体基板集电极层主面集电极电压半导体层发射极层金属微粒金属原子依次层叠耦合基极层集电极依存性电容对置

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垂直腔面发射激光器与异质结双极型晶体管集成结构的设计和模拟

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物理学报 2019年第20期68卷 123-129页

作者：周广正李颖兰天代京京王聪聪王智勇北京工业大学激光工程研究院

垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting lasers,VCSELs)和异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT)都是纵向电流器件,可以集成在同一外延片上,通过HBT基极电流调制VCSELs的输出光功率.本文设计了一种VCSELs与HBT集成结构,该结构包括VCSELs和PNP In Ga P/Ga As HBT,为直接串联结构,并利用PICS3D软件模拟了该集成结构的电光特性.为了模拟能够顺利进行,在模型中加入了过渡集电极.首先将HBT导通,电流由发射极流向过渡集电极,然后增大过渡集电极与N型电极之间的电压,使VCSELs导通且把过渡集电极的电流降为零.由于过渡集电极的电流为零,在实际结构中可以将其移除.模拟结果表明,当电流增益系数为400时,基极电流对输出光功率的最大调制率达到280 mW/m A.本文所设计的集成结构及其模拟方法对光电集成器件(opto-electronic integrated circuit,OEIC)具有一定的指导作用.

关键词：垂直腔面发射激光器异质结双极型晶体管光电集成

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具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管

具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管

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作者： V·贾因 A·K·斯坦珀 J·J·埃利斯-莫纳甘 S·M·尚克 R·克里希纳萨米美国加利福尼亚州

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富... 详细信息

标准号: CN114388497A

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富陷阱隔离区分隔。

关键词：隔离区陷阱异质结双极型晶体管衬底半导体结构子集电极分隔嵌入掩埋制造

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高坚固性的异质结双极型晶体管

高坚固性的异质结双极型晶体管

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作者：黄朝兴金宇中陈凯伦中国台湾桃园市

本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。

标准号: CN113130638A

本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。

关键词：集电极层异质结双极型晶体管坚固性宽能隙能隙

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一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法

一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法

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作者：吴立枢戴家赟孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂... 详细信息

标准号: CN112635322A

本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟集电极金属键合高热导率衬底去除载片金属亚集电极层衬底键合集电极层金属键合散热效果再沉积散热上旋沉积固化制备背面

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一种磷化铟异质结双极型晶体管

一种磷化铟异质结双极型晶体管

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作者：吴立枢戴家赟孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合。本实用新... 详细信息

标准号: CN214588829U

本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合。本实用新型利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟本实用新型集电极金属高热导率发射极集电极衬底发射极金属基极金属金属键合散热效果键合金属

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