检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：夫厚尔·杰恩 J·约翰逊 V·翁塔洛斯 J·J·派卡里克美国纽约州

本发明涉及具有切割应力衬里的异质结双极型晶体管，披露用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。该结构包括发射极、集电极以及本征基极，该集电极包括第一片段、第二片段、以及沿第一方向设置于该... 详细信息

标准号: CN118057623A

本发明涉及具有切割应力衬里的异质结双极型晶体管，披露用于异质结双极型晶体管的结构以及形成用于异质结双极型晶体管的结构的方法。该结构包括发射极、集电极以及本征基极，该集电极包括第一片段、第二片段、以及沿第一方向设置于该第一片段与该第二片段间的第三片段，该本征基极沿第二方向设于该发射极与该集电极的该第三片段间。该结构还包括应力层，该应力层包括经设置以与该发射极、该本征基极、以及该集电极重叠的片段。该应力层的该片段由周缘围绕，且该集电极的该第一及第二片段分别邻近该应力层的该周缘设置。

关键词：集电极应力层异质结双极型晶体管本征基极发射极方向设置应力衬里周缘设置切割邻近

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SiGe异质结双极型晶体管的高功率微波效应与机理

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现代应用物理 2019年第3期10卷 29-34页

作者：吴涵柴常春刘彧千李赟杨银堂西安电子科技大学微电子学院西安710071 教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率... 详细信息

为了研究射频前端低噪声放大器的高功率微波效应,利用仿真软件构建了NPN型SiGe异质结双极型晶体管的器件模型,采用多晶硅作为发射极,SiGe作为器件的基极,研究了集电极和基极分别注入高功率微波时,器件内部温度的变化规律,分析了高功率微波的效应机理。结果表明,高功率微波注入集电极时,器件内部峰值温度呈现周期性的"上升-下降-上升-下降"趋势,直至最终烧毁,烧毁位置在集电结与氧化层交界处;当高功率微波注入基极时,由于器件的发射极尺寸很小,产生的电流密度很大,热量无法耗散,器件的多晶硅发射结最终被烧毁。SiGe异质结双极型晶体管的集电极抗高功率微波的能力要强于基极。

关键词：低噪声放大器异质结双极型晶体管高功率微波损伤效应机理分析

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一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管

一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管

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作者：李辉杰刘宇哲李含轩李善文何志芳 213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区凤翔路7号

本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括AlxGa1‑xAs1‑yPy，集电极层的... 详细信息

标准号: CN115566056A

本发明实施例公开了一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管。外延结构包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；其中，衬底包括GaAs衬底，缓冲层的材料包括Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y，集电极层的材料包括GaAs。本申请中，利用Al_xGa_1‑xAs_1‑_yP_y材料形成缓冲层，Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y中的P的引入使Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y与GaAs的晶格常数更加接近，利用Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y材料形成缓冲层，可以降低缓冲层和衬底之间的晶格失配，提高晶体生长的质量；同时，P的引入也可以增加Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y材料的禁带宽度，使Al_xGa_1‑xAs_1‑yP_y中需要的Al含量降低，进而降低Al引入的缺陷中心密度，提升异质结双极型晶体管的器件性能。

关键词：缓冲层异质结双极型晶体管衬底材料形成集电极层外延结构引入发射极盖层层叠设置发射极层含量降低晶格常数晶格失配晶体生长器件性能缺陷中心基极层禁带申请

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一种共射共基异质结双极型晶体管

一种共射共基异质结双极型晶体管

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作者：刘洪刚袁志鹏 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204(苏州闻颂)

本发明公开了一种共射共基异质结双极型晶体管，设于封装基板上，封装基板上设有热沉，共射共基异质结双极型晶体管包括具有第一基极、第一发射极、第一集电极的共基极异质结双极型晶体管和具有第二基极、第二发射极、第二集电极的共发... 详细信息

标准号: CN108598158A

本发明公开了一种共射共基异质结双极型晶体管，设于封装基板上，封装基板上设有热沉，共射共基异质结双极型晶体管包括具有第一基极、第一发射极、第一集电极的共基极异质结双极型晶体管和具有第二基极、第二发射极、第二集电极的共发射极异质结双极型晶体管，以及用于连接第一发射极和第二集电极的热分流桥、用于连接第一基极的第一焊盘和第一铜柱、用于连接第一集电极的第二焊盘和第二铜柱、用于连接第二基极的第三焊盘和第三铜柱、设于第二发射极上方的第四铜柱，共射共基异质结双极型晶体管倒装于封装基板上，第四铜柱焊接于热沉上。本发明一种共射共基异质结双极型晶体管，具有高增益、高线性度、高温度稳定性。

关键词：异质结双极型晶体管铜柱共射共基发射极集电极封装基板焊盘热沉高温度稳定性高线性度共发射极分流桥高增益共基极倒装焊接

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高坚固性的异质结双极型晶体管

高坚固性的异质结双极型晶体管

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作者：黄朝兴金宇中陈凯伦中国台湾桃园市

本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。

标准号: CN113130638A

本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。

关键词：集电极层异质结双极型晶体管坚固性宽能隙能隙

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一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法

一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法

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作者：吴立枢戴家赟孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂... 详细信息

标准号: CN112635322A

本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟集电极金属键合高热导率衬底去除载片金属亚集电极层衬底键合集电极层金属键合散热效果再沉积散热上旋沉积固化制备背面

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可用于InP-I2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管

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半导体技术 1987年第6期 23-26页

作者：苏里曼北京电子管厂

本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管（InP-HBT）.这个管子的发射区是用无定型氧化镉（CdO）做的,基区采用锌（Zn）扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×1017cm-3InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电... 详细信息

本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管（InP-HBT）.这个管子的发射区是用无定型氧化镉（CdO）做的,基区采用锌（Zn）扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×1017cm-3InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电流增益Hfed=25（3V,1mA）,反向工作的电流增益hfen=8（3V,1mA）,文章还提出了利用这种管子做开关管的InP-I2L.

关键词： InP-I~2L 异质结双极型晶体管基区电流增益 HBT

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新型二维电子气Si/N+α-Si:H异质结双极型晶体管

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固体电子学研究与进展 1987年第4期 360-362页

作者：朱恩均,王因生,熊承堃南京电子器件研究所南京电子器件研究所南京电子器件研究所

本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管（2DEG HBT）的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管（HBT）,由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求... 详细信息

本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管（2DEG HBT）的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管（HBT）,由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求,实现使用常规工艺来制作宽禁带发射极异质结晶体管。目前这一工作主要在硅材料上进行,利用重掺杂N型氢化非晶硅（N+a-Si:H）作宽禁带发射极材料,在单晶硅上制作2DEG HBT。实验样管电流增益hFE=120(VCE5V,IC=80mA),基区电阻5kΩ/□,表面浓度1.8×1018cm-3。

关键词：异质结双极型晶体管宽禁带 Si 电流增益发射极电子气 HBT 异质结构基区二维

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一种共射共基异质结双极型晶体管

一种共射共基异质结双极型晶体管

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作者：刘洪刚袁志鹏 215600 江苏省苏州市张家港市国泰北路1号科技创业园E幢204(苏州闻颂)

标准号: CN108598158B

关键词：异质结双极型晶体管铜柱共射共基发射极集电极封装基板焊盘热沉高温度稳定性高线性度共发射极分流桥高增益共基极倒装焊接

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一种磷化铟异质结双极型晶体管

一种磷化铟异质结双极型晶体管

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作者：吴立枢戴家赟孔月婵陈堂胜 210000 江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室

本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合。本实用新... 详细信息

标准号: CN214588829U

本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合。本实用新型利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟本实用新型集电极金属高热导率发射极集电极衬底发射极金属基极金属金属键合散热效果键合金属

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