检索结果-内蒙古大学图书馆

作者： V·贾因 A·K·斯坦珀 J·J·埃利斯-莫纳甘 S·M·尚克 R·克里希纳萨米美国加利福尼亚州

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富... 详细信息

标准号: CN114388497A

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有掩埋富陷阱隔离区的异质结双极型晶体管(HBT)以及制造方法。该结构包括：富陷阱隔离区，其嵌入在体衬底内；以及异质结双极型晶体管，其位于富陷阱隔离区上方，其子集电极区通过体衬底的层与富陷阱隔离区分隔。

关键词：隔离区陷阱异质结双极型晶体管衬底半导体结构子集电极分隔嵌入掩埋制造

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一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法

一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法

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作者：吴立枢赵岩程伟 210016 江苏省南京市中山东路524号

本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）去键合。优... 详细信息

标准号: CN104992907A

本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7）BCB键合；8）去键合。优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。

关键词：异质结双极型晶体管磷化铟硅衬底键合硅衬底表面剥离转移临时键合制备方法光刻胶上涂涂敷一种圆片背面清洗转移完整

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一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法

一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法

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作者：郭佳衢蔡文必 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置... 详细信息

标准号: CN109599345A

本发明提供了一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法：1)在异质结双极型晶体管上表面涂布一层感光型低介电材料；2)在感光型低介电材料上覆盖一张遮光罩，所述遮光罩在对应异质结双极型晶体管底部电容区域和基极平台区域的位置设置开孔；3)对感光型低介电材料进行曝光显影，去除底部电容区域和基极平台区域上的感光型低介电材料；4)对曝光显影后的感光型低介电材料加热，使得感光型低介电材料的形貌趋势变缓；5)之后再通过显影蚀刻工艺，对电容区域和其它异质结双极型晶体管需做金属连线区域做开孔；6)将需连线的器件区域用金属蒸镀覆盖一层金属镀膜。

关键词：低介电材料感光型异质结双极型晶体管电容区域基极平台曝光显影遮光罩开孔形貌金属连线区域金属镀膜金属连线金属蒸镀器件区域蚀刻工艺断裂的上表面覆盖连线显影加热去除

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一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法

一种异质结双极型晶体管金属连线不易断裂的方法

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作者：郭佳衢蔡文必 361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

标准号: CN109599345B

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GaAs/GaAlAs异质结双极型微波晶体管的研制和性能

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固体电子学研究与进展 1983年第3期 1-13页

作者：苏里曼北京电子管厂

本文介绍了砷化镓-镓铝砷Npn异质结双极型晶体管的设计原理.分析了该管在高频特性、开关特性、温度特性方面超过Si平面管的潜在优越性.叙述了制管工艺与直流、高频和温度特性等实验结果.给出了一个细线条结构的Npn GaAs晶体管作为进一... 详细信息

本文介绍了砷化镓-镓铝砷Npn异质结双极型晶体管的设计原理.分析了该管在高频特性、开关特性、温度特性方面超过Si平面管的潜在优越性.叙述了制管工艺与直流、高频和温度特性等实验结果.给出了一个细线条结构的Npn GaAs晶体管作为进一步考察高频和噪声性能的实例.理论计算表明:该管的最大振荡频率fmax可高达88GHz,在12GHz下的噪声系数为1.2dB.讨论了NpnGaAs平面晶体管和倒置晶体管的结构及其优点.最后比较了GaAs双极型管和GaAs MESFET的优缺点.

关键词： GaAs/GaAlAs 高频性能 HBT 异质结双极型晶体管基区双极型发射区

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我国研制成功面向3mm波段的InGaAs/InP双异质结双极型晶体管

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今日电子 2008年第9期 29-29页

作者：王丽英

近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）金智研究员领导的课题组成功研制出面向3mm波段的InGaAs／InP双异质结双极型晶体管。

关键词： InGaAs/InP 异质结双极型晶体管波段电子研究所中国科学院集成电路微波器件研究员

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硫钝化GaAs异质结双极型晶体管取得明显效果

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真空科学与技术学报 1995年第1期 35-35页

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基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析

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强激光与粒子束 2024年第1期36卷 30-36页

作者：张津豪苏江涛谢炜誉邵世缘徐魁文李文钧杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室杭州310018

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波... 详细信息

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。

关键词：负载失配波形测试异质结双极型晶体管电磁安全防护

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异质结双极型晶体管及其制作方法

异质结双极型晶体管及其制作方法

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作者：张世理汉斯·诺斯特罗姆沃尔夫·斯密思吴东平马悦优 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

本发明涉及晶体管，公开了一种异质结双极型晶体管HBT及其制作方法。包含半导体衬底，位于半导体衬底上的发射极，位于发射极上的基极，位于基极上的集电极和位于发射极两侧及之下的半导体衬底内部的金属硅化物层，其中，位于发射极之... 详细信息

标准号: CN103474457B

本发明涉及晶体管，公开了一种异质结双极型晶体管HBT及其制作方法。包含半导体衬底，位于半导体衬底上的发射极，位于发射极上的基极，位于基极上的集电极和位于发射极两侧及之下的半导体衬底内部的金属硅化物层，其中，位于发射极之下的半导体衬底内的金属硅化物层与发射极底面两侧的接触面的面积之和小于发射极的底面积，发射极与所述金属硅化物层通过接触面导通。与现有技术相比，本发明中的HBT具有集电极更靠近HBT表面的倒置结构，这种倒置结构使HBT具有更小的寄生电容与电阻，使得HBT能够达到更高的截止频率，进而使HBT可以在太赫兹频率环境下工作。

关键词：发射极衬底金属硅化物层半导体倒置结构集电极异质结双极型晶体管寄生电容截止频率频率环境晶体管导通底面电阻制作

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异质结双极型晶体管结构及其形成方法

异质结双极型晶体管结构及其形成方法

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作者：叶鹏辉俞洁姜清华黄玺 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的结构及其形成方法，所述异质结双极型晶体管的结构包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的集电层电极和基层，所述集电层电极和所述基层分别覆盖所述集电层的顶部表面的一部分，... 详细信息

标准号: CN115863419A

本发明公开了一种异质结双极型晶体管的结构及其形成方法，所述异质结双极型晶体管的结构包括：衬底；位于所述衬底上的集电层；位于所述集电层上的集电层电极和基层，所述集电层电极和所述基层分别覆盖所述集电层的顶部表面的一部分，且所述集电层电极环绕所述基层；位于所述基层上的基层电极和发射层，所述基层电极和所述发射层分别覆盖所述基层的顶部表面的一部分，且所述基层电极环绕所述发射层；位于所述发射层上的发射层电极，所述发射层电极覆盖所述发射层的顶部表面的至少一部分。使用上述技术方案能够在不增加器件面积的情况下提升异质结双极型晶体管的电流放大性能。

关键词：发射层集电层电极异质结双极型晶体管基层顶部表面电极环绕衬底电极覆盖电流放大覆盖

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