检索结果-内蒙古大学图书馆

采用fT=214 GHz,fmax=193 GHz的InGaAs/InP异质结双极型晶体管工艺,设计了一款基于时钟驱动型反相器的动态二分频器.该分频器工作频段为60～100 GHz,但由于测试系统上限频率的限制,只能测出62～83 GHz的工作范围.在-4.2 V和-5.2 V的单电源直流偏置下该分频器的功耗分别为596.4 mW、1060.8 mW.此分频器的成功制作对于工作在W波段锁相环的构建有较大的意义.

关键词：磷化铟异质结双极型晶体管动态分频器时钟驱动型反相器

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面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺（英文）

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红外与毫米波学报 2017年第2期36卷 167-172页

作者：程伟张有涛王元牛斌陆海燕常龙谢俊领南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频... 详细信息

报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率均处于国内领先水平.

关键词：磷化铟异质结双极型晶体管分频器

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一种新的HBT小信号模型参数优化提取法

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电子学报 2010年第3期38卷 567-571页

作者：胡晓萍胡建萍郑梁钟叶龙杭州电子科技大学电子信息学院浙江杭州310037 华数华夏视联控股有限公司浙江杭州310018

阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性... 详细信息

阐述了一种新的异质结双极型晶体管(HBT)的小信号模型参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法.对HBT小信号模型进行推导并确定外部参数和内部参数的计算公式;介绍了多偏置点优化算法,并在GaInP/GaAsHBT器件上进行了鲁棒性和精确性测试.实验采用了一系列随机初始值,结果表明提取的参数值具有唯一收敛性和精确性,仿真结果与测量数据的相对误差小于1%.

关键词：异质结双极型晶体管参数提取小信号等效模型

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Ge组分对SiGe HBT直流特性的影响

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 479-482页

作者：张永李成赖虹凯陈松岩康俊勇成步文王启明厦门大学物理系半导体光子学研究中心厦门361005 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0... 详细信息

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT)。实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高。Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍。

关键词：锗硅合金异质结双极型晶体管锗组分直流特性

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基于IBM SiGe BiCMOS工艺5PAe的中功率放大器

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固体电子学研究与进展 2009年第1期29卷 46-49页

作者：宋家友王志功彭艳军东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 郑州大学信息工程学院郑州450052

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联... 详细信息

采用IBM公司刚刚推出试用的0.35μm SiGe BiCMOS开发性工艺5PAe设计并实现了一个C波段功率放大器。该放大器采用两级单端结构,除集电极扼流电感外,其余元件全部片上实现,具有集成度高、结构简单的特点。通过在管子基极和匹配电感中串联电阻实现了全频段稳定。键合测试表明,在所有电源电压下电路均能稳定工作。在VC=3.5V,VB=7V,f=4.1GHz时,小信号增益为17.7dB,输入输出反射系数分别为-16.9dB和-13.9dB,而在输出功率为22.8dBm时,二次和三次谐波分别小于-36dBc和-45dBc。

关键词：功率放大器锗硅双极性互补金属氧化物半导体异质结双极型晶体管

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应用于移动终端的线性功率放大器设计

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固体电子学研究与进展 2012年第1期32卷 40-44页

作者：黄继伟王志功廖英豪李诚瞻杨寒冰方志坚射频与光电集成电路研究所东南大学南京210096 广州润芯信息技术有限公司广州510063

设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离。电流镜结构的偏置电... 详细信息

设计了一种应用于移动终端的InGaP/GaAs HBT功率放大器。该放大器采用了一种新颖的在片偏置电路技术,不仅避免了由于电源和温度变化导致的直流偏置点的不稳定,而且补偿了由于输入信号增大所引起的动态偏置点的偏离。电流镜结构的偏置电路与反馈电路使偏置电压维持在一个稳定的状态,在反馈电路中引入一个非反相电路加强了电路增益。通过在偏置管的基极并联一个反偏二极管改善了功率放大器的线性。芯片采用基板的封装形式进行测试,改善了功率放大器的散热条件。测试结果表明该放大器具有27.6 dBm的输出压缩点,对于W-CDMA应用,放大器的效率为34.1%,ACPR为-40.3 dBc。

关键词：功率放大器宽带码分多址异质结双极型晶体管偏置电路散热

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一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器

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固体电子学研究与进展 2009年第3期29卷 364-368页

作者：彭艳军王志功宋家友东南大学射频与光电集成电路研究所郑州大学信息工程学院

基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的... 详细信息

基于IBM0.35μm SiGe BiCMOS工艺BiCMOS5PAe实现了一种偏置电流可调节的高效率2.4GHz锗硅功率放大器。该功率放大器采用两级单端结构和一种新型偏置电路,除射频扼流电感外,其它元件均片内集成。采用的新型偏置电路用于调节功率放大器的静态偏置电流,使功率放大器工作在高功率模式状态或低功率模式状态。在3.5V电源条件下,功率放大器在低功率模式下工作时,与工作在高功率模式下相比,其功率附加效率在输出0dBm时提高了56.7%,在输出20dBm时提高了19.2%。芯片的尺寸为1.32mm×1.37mm。

关键词：功率放大器锗硅偏置电路异质结双极型晶体管

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应用于WLAN InGaP/GaAs HBT线性功率放大器

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固体电子学研究与进展 2015年第1期35卷 46-51页

作者：何旭郑远朱彦青陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京211111

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供... 详细信息

设计了一款基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺的移动通信用高线性功率放大器,应用于移动终端WLAN 802.11b/g/n 2.4-2.5GHz。整个放大器芯片由三级放大电路构成,芯片面积为1.9mm×1.7mm。在VCC=Vbias=＋5V、VReg=VPdown=＋2.85V双电源供电条件下,测试频点为2.45GHz时,线性增益为35dB,1dB压缩点处输出功率为34.5dBm,此时效率为37.5%。输出功率为27dBm时,EVM（误差矢量幅度）值小于3%（输入信号为WLAN 802.11g 64QAM 54 Mb/s）,可以满足WLAN应用对线性度的需求。

关键词：无线局域网线性功率放大器异质结双极型晶体管误差矢量幅度

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