检索结果-内蒙古大学图书馆

科学通报 2011年第13期56卷 1065-1070页

作者：陈建武王丽吴旦昱陈高鹏金智刘新宇中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存... 详细信息

只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存储器集成到8bit直接数字频率合成器中.测试结果表明只读存储器最高工作在6GHz,可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围.

关键词：只读存储器双极型存储器直接数字合成器直接数字频率合成器砷化镓异质结双极型晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

应用于IEEE 802.11 ac的高线性InGaP/GaAs HBT功率放大器

引用

固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 329-333页

作者：郑耀华郑瑞青林俊明陈思弟章国豪广东工业大学广州510006

针对应用于无线局域网IEEE 802.11ac标准的终端,通过采用自适应线性化偏置和宽带匹配技术,设计一种高线性度的InGaP/GaAs HBT功率放大器。芯片测试结果表明,在4.9~5.9GHz的工作频段内,该功率放大器小信号增益超过26.2dB,1dB压缩点输出... 详细信息

针对应用于无线局域网IEEE 802.11ac标准的终端,通过采用自适应线性化偏置和宽带匹配技术,设计一种高线性度的InGaP/GaAs HBT功率放大器。芯片测试结果表明,在4.9~5.9GHz的工作频段内,该功率放大器小信号增益超过26.2dB,1dB压缩点输出功率超过29.1dBm,实现了在64正交振幅调制-正交频分复用输入信号下,误差矢量幅度在3%时超过19dBm的线性输出功率。

关键词： IEEE 802.11ac 功率放大器异质结双极型晶体管高线性误差向量幅度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高掺杂氢化非晶硅薄膜

引用

固体电子学研究与进展 1989年第3期 267-271页

作者：盛文伟南京电子器件研究所

采用低浓度硅烷,低生长速率,在PECVD系统中制得高掺杂氢化非晶硅（N+α-Si:H）薄膜,其电导率高达5～36Ω-1cm-1。应用该技术制成了新型二维电子气Si/N+α-Si∶H异质结双极型晶体管,在硅微波功率异质结双极型晶体管研制上取得重大突破。

关键词：非晶硅氢化微波功率异质结双极型晶体管高掺杂单晶硅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

三指发射极InGaP/GaAs HBT的研制

引用

Journal of Semiconductors 2006年第9期27卷 1604-1607页

作者：杨威刘训春朱旻王润梅申华军中国科学院微电子研究所北京100029

异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击... 详细信息

异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好、成品率高,并且仍然具有两指发射极HBT良好的击穿、直流和高频特性.

关键词：异质结双极型晶体管三指发射极自对准

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

功率GaAs-HBT热分布的解析模型

引用

西安电子科技大学学报 2001年第5期28卷 625-629页

作者：王源张义门张玉明西安电子科技大学微电子所陕西西安710071

通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流... 详细信息

通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流分布和温度分布的影响 .

关键词：热电耦合解析模型异质结双极型晶体管砷化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数

引用

Journal of Semiconductors 2002年第9期23卷 957-961页

作者：石瑞英刘训春钱永学石华芬四川大学物理系成都610064 中国科学院微电子中心北京100029

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了... 详细信息

将遗传算法用于 HBT等效电路模型参数的提取并对其进行改进 ,改进后的遗传算法自动优化遗传、杂交和变异算子 ,节省了寻找最佳遗传、杂交和变异概率的时间并提高了提取参数的速度 .在 1～ 2 6 .5 GHz频率范围内 ,用改进的遗传算法提取了 Ga0 .4 9In0 .51 P/ Ga As HBT交流小信号等效电路模型的全部 16个参数 ,得到了令人满意的模拟与测量 S参数的比较结果 .

关键词：全局优化遗传算法小信号等效电路参数提取 HBT 异质结双极型晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于神经网络的微波射频器件建模

基于神经网络的微波射频器件建模

引用

作者：闫淑霞天津大学

学位级别：博士

为了提高产品性能、缩短设计周期、降低成本,设计人员往往依赖于计算机辅助设计(Computer-Aided Design,CAD)中高效、准确的器件模型。在微波及射频建模领域,传统建模方法需要不断尝试和反复修正模型,其建模周期和模型精度已经不能满足... 详细信息

为了提高产品性能、缩短设计周期、降低成本,设计人员往往依赖于计算机辅助设计(Computer-Aided Design,CAD)中高效、准确的器件模型。在微波及射频建模领域,传统建模方法需要不断尝试和反复修正模型,其建模周期和模型精度已经不能满足新器件的建模要求。近些年来,人工神经网络(Artificial Neural Network,ANN)被公认为是代替传统建模技术的有效方法。本文提出了三种改进的神经网络建模方法,分别适用于异质结双极型晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)建模、封装晶体管建模和功率放大器记忆效应(Memory Effects)建模。首先,本文提出的适用于HBT晶体管建模方法是对已有神经网络空间映射(Neuro-Space Mapping,Neuro-SM)结构进行改进,用电流和电压的混合映射网络代替电压映射网络。本文提出用混合矩阵H参数表示HBT晶体管的小信号信息,推导了经验公式模型H参数与被建模对象H参数之间的关系式。对HBT晶体管实测数据建模结果表明,本文提出的HBT晶体管模型能够准确反映其直流和小信号特性且能方便地导入仿真软件中。其次,本文提出的适用于封装晶体管建模方法是将封装晶体管分为输入封装电路、非线性电路和输出封装电路三部分,并对其建模。根据封装电路具有互易性的特点,推导了封装电路线性公式,并与神经网络结构相结合搭建了封装电路模型。本文推导了输入封装电路、非线性电路和输出封装电路三部分S参数与封装晶体管整体S参数之间的计算公式。给出了封装晶体管整体模型的结构图,提出一种新的映射电路结构。通过封装晶体管建模实例验证了本文提出的封装晶体管建模方法的可行性和精确性。最后,本文提出一种基于递归神经网络(Recurrent Neural Network,RNN)的功率放大器记忆效应建模方法。从放大器的输入输出信号中提取缓慢变化的信号,并把该信号作为新型RNN模型的输入用来表示放大器的长期记忆效应。该方法将功率放大器的输入电流加载到神经网络模型中,这不仅提高了记忆效应RNN模型的精度,同时因使用更少的隐含神经元和时间延时阶数,提高了记忆效应RNN模型的收敛性。对功率放大器记忆效应建模的结果证明,本文RNN模型能准确地反映功率放大器的短期记忆效应和长期记忆效应。

关键词：人工神经网络微波/射频器件建模异质结双极型晶体管封装晶体管记忆效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

InP基HEMTs和HBTs质子辐照效应研究

InP基HEMTs和HBTs质子辐照效应研究

引用

作者：张佳林郑州大学

学位级别：博士

随着航空航天、卫星雷达等空间技术的不断发展，对毫米波电子器件及其相关集成电路的需求与日俱增。在众多的毫米波器件中，InP基高电子迁移率晶体管（InPHEMTs）和InP基异质结双极型晶体管（InPHBTs）无疑是同类型器件中频率特性的佼... 详细信息

随着航空航天、卫星雷达等空间技术的不断发展，对毫米波电子器件及其相关集成电路的需求与日俱增。在众多的毫米波器件中，InP基高电子迁移率晶体管（InPHEMTs）和InP基异质结双极型晶体管（InPHBTs）无疑是同类型器件中频率特性的佼佼者，其在空间应用中具有不可替代的地位。空间环境富含大量辐照粒子，会对电子器件及集成电路的可靠性和寿命造成严重的威胁。而针对InP HEMTs和InP HBTs器件辐照效应的认知不足，是阻碍这类器件空间部署的重要因素。因此，了解其辐照效应并提高其辐照抗性，成为这些器件当下和未来亟需解决的重要问题。　　本文通过实验和仿真相结合的方法，对InPHEMTs和InPHBTs开展了质子辐照研究，重点分析了器件的辐照效应和辐照机制，并据此提出了具有实用意义的辐照加固设计。主要研究成果总结如下:　　（1）针对辐照环境下InPHEMTs的可靠性问题，进行了不同能量和剂量的质子辐照研究。实验结果表明，InPHEMTs具有优异的抗辐照能力，尤其体现在频率特性方面。在2 MeV质子辐照下，直流特性的耐受剂量达到1×1013cm-2,频率特性的耐受剂量高达1×1014 cm 2（参考标准:跨导、截止频率退化2％）。　　在不同能量的质子辐照研究中，发现器件关键参数的退化率与非电离能损正相关，质子辐照损伤类型主要是位移损伤;在不同剂量的质子辐照研究中，发现关键参数的退化率与质子剂量呈线性关系，并拟合提取了关键参数的退化因子。通过结合非电离能损和退化因子，澄清了器件关键参数退化与辐照粒子能量和剂量之间的关系。该研究成果为InP HEMTs等效位移损伤模型的建立提供了数据支撑。　　通过TCAD构建了 InP HEMTs位移损伤的辐照模型。该模型定量重现了一系列直流辐照响应，如阈值电压正移、饱和电流减小以及跨导塌缩等。并通过能带仿真解释了 InP HEMTs的辐照退化机制。揭示了沟道上下异质结界面处的受主陷阱是造成阈值电压正移的主要原因，而栅槽处的受主陷阱是造成跨导塌缩的主要原因。该研究成果可以为InP HEMTs电路级的辐照仿真提供了物理模型基础。　　(2)针对InPHEMTs器件特性的辐照退化问题，提出了两款具有实用意义的抗辐照方案。并通过仿真和实验手段，验证了所设计方案的有效性。　　复合沟道结构方案依据Ⅲ-Ⅴ族HEMTs的“散射-再注入”辐照机制，提高了被散射载流子的再注入效率，从而增加InP HEMTs的辐照抗性。通过SRIM和TCAD的联合辐照仿真对比，证明了复合沟道结构设计在直流特性和频率特性上全面提升了 InP HEMTs的抗辐照能力。抗辐照机制研究中发现，复合沟道结构通过增加对载流子的限域能力削弱了由辐照引起的载流子去除效应。此方案通过改进器件外延工艺增加了 InP HEMTs的抗辐照能力。　　BCB栅槽钝化方案在于实现一款低寄生效应的栅槽钝化抗辐照设计。通过质子辐照实验，证明了 BCB栅槽钝化对InPHEMTs阈值电压和截止频率的辐照稳定性方面带来极大的改善。此外，研究中还发现了此工艺器件中阈值电压随质子剂量非单调偏移的不寻常行为。这是由于质子辐照在栅下势垒层和栅槽处分别引入施主陷阱和受主陷阱所致。BCB栅槽钝化可以提高辐照在栅槽引处入受主陷阱的能垒，有效地降低了栅槽处受主陷阱的引入率。此方案通过改进器件钝化工艺上提高了 InP HEMTs的抗辐照能力。　　(3)针对InP HBTs质子辐照存在的研究不完善问题，开展了更高剂量的2 MeV质子辐照实验。发现在高剂量(5×1013cm-2)时的电流增益退化不符合在低剂量(≤ 1×1013 cm-2)下得到的Messsenger-Spratt方程。这表明高剂量下的电流增益退化机制不是由辐照陷阱引起的复合效应主导。为了进一步解释高剂量下电流增益的退化机制，首次将贝叶斯反卷积算法用于变频电容测试的陷阱时间常数谱求解中，并论证了此技术的适用性和准确性。基于此技术研究了 BE结在高剂量辐照前后的陷阱时间常数谱，发现辐照后BE结出现一个新的陷阱。证明了高剂量辐照下，InP HBTs电流增益的退化机制是由此陷阱的俘获效应主导。　　针对国内外在InP HBTs尺寸效应对辐照抗性影响方面研究的矛盾，重新验证了发射极尺寸与器件辐照抗性的关系。发现之前研究的矛盾点在于，由BE结边缘效应相关的增益退化因子与辐照前相比，随辐照剂量先减小后增大。对于本研究，质子剂量低于5×1012 cm-2时，表现为周长面积比越大的器件辐照抗性越强;当辐照剂量高于1×1013cm-2,表现为周长面积比越小的器件辐照抗性越强。推测可能原因是低剂量的辐照可以造成非本征基区原生缺陷的重组，导致边缘复合效应减弱。然而更高剂量的辐照依然在非本征基区引入新的辐照缺陷，导致边缘复合效应增强。　　综上所述，本文的研究成果在

关键词：高电子迁移率晶体管异质结双极型晶体管磷化铟质子辐照效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于HBT的超高速数模转换器研究

基于HBT的超高速数模转换器研究

引用

作者：周磊中国科学院研究生院

学位级别：博士

超高速数模转换器电路在宽带无线通信、有线电缆数据传输、高端测试测量仪器、光纤通讯等领域有广阔的应用前景，是相关应用领域中的核心器件与热点研究课题。本论文从系统要求出发，对采样率达到GSps以上的DAC开展研究，实现了3款基于... 详细信息

超高速数模转换器电路在宽带无线通信、有线电缆数据传输、高端测试测量仪器、光纤通讯等领域有广阔的应用前景，是相关应用领域中的核心器件与热点研究课题。本论文从系统要求出发，对采样率达到GSps以上的DAC开展研究，实现了3款基于HBT工艺的GSps DAC芯片，并取得了如下成果:\n (1)研究了电流源失配、有限输出阻抗、互连线寄生、时钟偏移与抖动等非理想效应对DAC性能的影响。针对HBT工艺的特点，分析了影响电路性能的关键器件参数，并提出了一系列在原理图和版图设计中改善DAC性能的关键技术。\n (2)研究了电流源开关顺序的优化策略，提出了电流源导通顺序和开关导通顺序分别优化的设计思想。在电流源导通顺序优化中，改进了传统的导通顺序，创新性的提出了一种可同时优化二进制部分和单位加权部分的设计方法，降低了由工艺梯度以及温度分布效应引起的误差;在开关导通顺序的优化中，采用了对称的开关顺序，有效减小了传输延迟偏差对DAC性能的影响。\n (3)研制了国内采样率最高的两款12bit DAC芯片，其中DAC1的采样率达2GSps，低频SFDR大于69dBc; DAC2的采样率达3GSps，低频SFDR大于70dBc。\n (4)研制成功了国内采样率最高的8bit DAC芯片，测试结果表明其采样率可达10GSps。创新性的提出了一种适用于10GSps DAC的高速自测试码流发生器。对比传统的解决方案，该电路具有速度快、硬件开销小、可扩展性更好的特点，有效的解决了10GSps DAC的测试问题。分析了超高速DAC中时钟串扰问题，并提出了一种减小串扰的设计方法，有效降低了时钟串扰信号。

关键词：数模转换器异质结双极型晶体管电流舵无杂散动态范围

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

引用

微电子学 2008年第1期38卷 34-43页

作者：谢孟贤古妮娜电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 台积电(上海)有限公司上海201616

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其... 详细信息

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。

关键词：双极型晶体管异质结双极型晶体管 SiGe-HBT SiGe-BiCMOS 调制掺杂场效应晶

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：