检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：毛维王海永杨翠张金风马佩军郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃 710071 陕西省西安市太白南路2号

本发明公开了一种异质结场效应晶体管，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)... 详细信息

标准号: CN111863961A

本发明公开了一种异质结场效应晶体管，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面(11)、第一栅极(12)、第二栅极(13)和钝化层(14)。第一栅柱和第二栅柱均由P型层(4)和N型排柱(5)组成；N型排柱由N^‑型层(51)和N⁺型层(52)组成；第一栅柱左侧的势垒层内和第二栅柱右侧的势垒层内均刻蚀有阵列孔(8)；钝化层上部设有复合板(15)；钝化层和复合板的外围设有保护层(16)。本发明制作工艺简单、正向阻断与反向阻断好及阈值电压高，可作为开关器件。

关键词：栅柱钝化层势垒层复合板排柱异质结场效应晶体管功率开关器件高击穿电压反向阻断开关器件制作工艺阈值电压保护层电压低过渡层阵列孔台面衬底刻蚀漏极源极正向外围

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：毛维王海永杨翠张金风马佩军郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃 710071 陕西省西安市太白南路2号

标准号: CN111863961B

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：藤井敬久永久哲三久保胜日本大阪府

异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)... 详细信息

标准号: CN105264650A

异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏极电极(11)，从第2接触部(15a)的端(17A、17B)至比第2接触部(15a)靠外侧的漏极电极(11)的端(11A、11B)的距离(X)，比从第1接触部(20a)的端(18A、18B)至比第1接触部(20a)靠外侧的源极电极(12)的端(12A、12B)的各个距离(Y)长。

关键词：接触部长边方向漏极电极源极电极长度比长度短外侧异质结场效应晶体管

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：藤井敬久永久哲三久保胜日本大阪府

标准号: CN105264650B

关键词：长边漏极电极源极电极长度比异质结场效应晶体管

具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管

学校读者我要写书评

暂无评论

具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管

作者：杜江锋潘沛霖陈南庭于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所... 详细信息

标准号: CN104167445B

本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，铝铟镓氮缓冲层，埋栅，埋栅介质层，氮化镓沟道层，铝铟镓氮势垒层，栅介质层，铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极，栅介质层上的栅极组成，所述源极和漏极与铝铟氮镓势垒层形成欧姆接触，所述栅极与栅介质层形成肖特基接触，所述埋栅介质层和埋栅均位于铝铟镓氮缓冲层中，且所述埋栅位于埋栅介质层中。通过埋栅单独偏置，且根据埋栅的不同偏置，实现调控器件的阈值电压；当埋栅处于负偏压时，埋栅耗尽氮化镓沟道层的二维电子气，使器件实现增强型工作；当埋栅处于零偏压或正偏压时，氮化镓沟道层中存在二维电子气，使器件实现耗尽型工作。

关键词：埋栅铝铟镓氮栅介质层氮化镓沟道层介质层势垒层二维电子气耗尽型缓冲层漏极偏置源极异质结场效应晶体管肖特基接触氮化镓基调控器件埋栅结构欧姆接触阈值电压负偏压零偏压铝铟氮增强型正偏压衬底耗尽

一种III‑V CMOS型赝配异质结场效应晶体管

学校读者我要写书评

暂无评论

一种III‑V CMOS型赝配异质结场效应晶体管

作者：黎明 610029 四川省成都市双流县西南航空港经济开发区物联网产业园内

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型赝配异质结场效应晶体管，该型异质结场效应晶体管材料采用MOCVD或MBE设备外延生长，由在高电阻率硅衬底上依次外延... 详细信息

标准号: CN106952952A

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基于硅衬底的、结合了n沟道晶体管和p沟道晶体管的宽禁带III‑V CMOS型赝配异质结场效应晶体管，该型异质结场效应晶体管材料采用MOCVD或MBE设备外延生长，由在高电阻率硅衬底上依次外延生长的第一多层晶格应变缓冲层、InGaSb沟道层、AlGaSb势垒层、GaSb帽层、第二多层晶格应变缓冲层、InGaAs沟道层、AlGaAs势垒层及In_XGa_1‑XAs帽层构成。本发明可有效地提升p沟道晶体管迁移率，以改进III‑V中n沟道晶体管和p沟道晶体管迁移率巨大差别的问题，并提供高载流子速度与高驱动电流的宽禁带III‑V族晶体管通道，有效的改善晶体管等比例缩小过程中带来短沟道效应，降低功耗，克服摩尔定律，打破极限，维持半导体产业等比例缩小进程。

关键词：异质结场效应晶体管等比例缩小晶格应变外延生长沟道层缓冲层宽禁带迁移率势垒层多层帽层载流子半导体器件制造半导体产业短沟道效应高电阻率硅高驱动电流晶体管通道降低功耗摩尔定律硅衬底有效地晶体管衬底改进进程帽层势垒层沟道层二维空穴气晶格应变外延生长缓冲层多层漏极源极异质结场效应晶体管生长硅衬底

一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件

学校读者我要写书评

暂无评论

一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件

作者：杨亿斌招瑜肖也牟中飞李京波 510006 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

本发明提供了一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件，该晶体管包括：导电衬底；设置在所述导电衬底上的绝缘介质层；分别设置在所述绝缘介质层两端的源电极和漏电极，在两者之间为沟道区；设置在所述源电极和与... 详细信息

标准号: CN106206710A

本发明提供了一种二维材料异质结场效应晶体管、其制备方法和晶体管阵列器件，该晶体管包括：导电衬底；设置在所述导电衬底上的绝缘介质层；分别设置在所述绝缘介质层两端的源电极和漏电极，在两者之间为沟道区；设置在所述源电极和与之相连的沟道区上的第一二维材料层；设置在所述漏电极和所述沟道区上部分第一二维材料层上的第二二维材料层；所述第一二维材料层与第二二维材料层的材质不同；所述第一二维材料层、第二二维材料层和源电极及漏电极能形成欧姆接触。本发明提供的这种晶体管具有良好的输出特性等性能，且成本低。本发明提供的这种晶体管的制备方法衬底利用率高、制备效率高，能避免蒸镀金属对二维材料的损伤，还可以制备阵列器件。

关键词：二维材料制备沟道区漏电极源电极晶体管衬底绝缘介质层导电异质结场效应晶体管晶体管阵列欧姆接触输出特性阵列器件镀金损伤

一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体...

作者：林兆军王鸣雁吕元杰周衡崔鹏 250100 山东省济南市历城区山大南路27号

本发明涉及一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法，属于器件建模技术领域。本发明实现了基于蒙特卡洛模拟得到AlGaN/GaN HFETs器件速度场关系，建立起一个依赖于栅偏压的速度场模型，更加贴近于真实... 详细信息

标准号: CN116050334A

本发明涉及一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法，属于器件建模技术领域。本发明实现了基于蒙特卡洛模拟得到AlGaN/GaN HFETs器件速度场关系，建立起一个依赖于栅偏压的速度场模型，更加贴近于真实的AlGaN/GaN HFETs中的实验现象。通过提参，将速度场模型参数带入推导的物理基紧凑型电流‑电压模型之中。该方法巧妙的保留了速度场模型参数与该AlGaN/GaN HFET器件直接关联关系，在我们的紧凑型电流‑电压模型中，所有参数都有特定的物理意义，寄生电阻因素与沟道调制效应也被考虑进来。我们的方案可以实现对AlGaN/GaN HFETs准确建模，预测并优化器件性能。

关键词：速度场电压模型模型参数物理基异质结场效应晶体管电流电压模型沟道调制效应关联关系寄生电阻器件建模实验现象物理意义优化器件栅偏压推导建模预测保留优化

学校读者我要写书评

暂无评论

常闭型异质结场效应晶体管

常闭型异质结场效应晶体管

作者： J.K.特怀南日本大阪府

本发明提供一种常闭型异质结场效应晶体管。常闭型HFET具有：厚度为t1的无掺杂AlxGa1-xN层（11）、与该层（11）电连接且相互分开形成的源极电极（21）和漏极电极（22）、在这些源极电极和漏极电极之间形成于AlxGa1-xN层的厚度为t2的无... 详细信息

标准号: CN103493188B

本发明提供一种常闭型异质结场效应晶体管。常闭型HFET具有：厚度为t₁的无掺杂Al_xGa_1-xN层（11）、与该层（11）电连接且相互分开形成的源极电极（21）和漏极电极（22）、在这些源极电极和漏极电极之间形成于Al_xGa_1-xN层的厚度为t₂的无掺杂Al_yGa_1-yN层（12）、在源极电极和漏极电极之间在Al_yGa_1-yN层的部分区域上形成为台地形的厚度为t₃的无掺杂Al_zGa_1-zN层（13），以及形成于Al_zGa_1-zN层的肖特基势垒型栅极（23）；并且满足y＞x＞z以及t₁＞t₃＞t₂的条件。

关键词：漏极电极源极电极掺杂常闭型异质结场效应晶体管肖特基势垒分开形成电连接地形

一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

学校读者我要写书评

暂无评论

一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管

作者：杜江锋陈南庭潘沛霖刘东白智元于奇 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

本发明公开了一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，在器件表面有淀积一层钝化层，并且在钝化层中引入电偶极层以调... 详细信息

标准号: CN104201200B

本发明公开了一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极，在器件表面有淀积一层钝化层，并且在钝化层中引入电偶极层以调制沟道电场的分布。本发明通过在钝化层中间引入电偶极层以改变沟道电场的分布，提高器件的耐压能力，同时避免增加器件寄生电容。此外，电偶极层的引入能有效的屏蔽势垒层表面束缚电荷，减小栅延迟和电流崩塌效应。

关键词：电偶极层钝化层沟道电场势垒层引入异质结场效应晶体管氮化镓缓冲层电流崩塌效应势垒层表面氮化镓基耐压能力器件表面器件寄生束缚电荷氮化镓沟道层栅延迟电容屏蔽衬底淀积减小漏极源极调制