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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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167 篇 专利
1 篇 期刊文献

馆藏范围

168 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

1 篇 工学
- 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

1 篇 铜保护剂
1 篇 镀银方式
1 篇 引线框架表面
1 篇 化学腐蚀

机构

22 篇 天水华洋电子科技...
11 篇 广州丰江微电子有...
8 篇 杰群电子科技有限...
8 篇 铜陵蓝盾丰山微电...
5 篇 上海凯虹科技电子...
4 篇 四川金湾电子有限...
4 篇 上海呈乾实业有限...
3 篇 昆山一鼎工业科技...
3 篇 安世有限公司
3 篇 崇辉半导体有限公...
3 篇 安徽立德半导体材...
3 篇 天水华天科技股份...
3 篇 东莞奥美特科技有...
3 篇 上海新阳半导体材...
3 篇 新恒汇电子股份有...
2 篇 上海工程技术大学
2 篇 达迩科技有限公司
2 篇 苏州锴威特半导体...
2 篇 广州市番禺申宁五...
2 篇 山东新恒汇电子科...

作者

19 篇 康亮
15 篇 康小明
13 篇 马文龙
8 篇 曹周
8 篇 胡晓涛
8 篇 李小虎
7 篇 林图强
6 篇 朱宝才
6 篇 陶国海
6 篇 窦坤
6 篇 陈亮
5 篇 马春晖
5 篇 朱亮
4 篇 刘松源
4 篇 黄斌
4 篇 黄伟
4 篇 徐治
4 篇 马伟凯
4 篇 隋越
4 篇 操瑞林

语言

168 篇 中文

检索条件"主题词=引线框架表面"

共 168 条记录，以下是61-70 订阅

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详细简洁

排序：

一种引线框架电镀粗铜工艺

一种引线框架电镀粗铜工艺

引用

作者：康小明康亮马文龙 741020 甘肃省天水市经济技术开发区社棠工业园

本发明涉及电镀引线框架技术领域，尤其是一种引线框架电镀粗铜工艺，包括如下步骤：步骤一、引线框架预处理：将需要电镀的引线框架进行清洗，去除引线框架表面的油污和杂质；步骤二、引线框架烘干：对清洗后的引线框架表面进行烘干处... 详细信息

标准号: CN116607185A

本发明涉及电镀引线框架技术领域，尤其是一种引线框架电镀粗铜工艺，包括如下步骤：步骤一、引线框架预处理：将需要电镀的引线框架进行清洗，去除引线框架表面的油污和杂质；步骤二、引线框架烘干：对清洗后的引线框架表面进行烘干处理，去除引线框架表面的附着的清洗水；本发明通过四个T形夹持板和四个插板相互配合，从而实现对引线框架主体的四个侧端面进行固定，再对引线框架主体的针脚周围进行限位支撑，从而实现对引线框架主体和引线框架主体上的针脚进行支撑固定，进而避免打磨引线框架主体时引线框架主体和引线框架主体的针脚被打磨轮牵引弯折，进而避免引线框架主体打磨后不能正常使用。

关键词：引线框架主体引线框架针脚引线框架表面电镀去除打磨清洗预处理电镀引线烘干处理框架技术限位支撑支撑固定侧端面打磨轮清洗水插板持板粗铜附着烘干弯折油污牵引配合

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一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法

一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法

引用

作者：徐建岳顾良青严斌黄海华 214443 江苏省无锡市江阴市申港街道申新路30号

本发明公开了一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法，包括引线框架基体、预镀层、复合镀层。本发明具有良好的耐磨性能，同时镀层具备良好的附着力，保证其耐久性能；首先对引线框架基体进行预镀镍处理，可有效改善镀层的表面形貌... 详细信息

标准号: CN115440695A

本发明公开了一种耐高温超薄半导体引线框架及其制备方法，包括引线框架基体、预镀层、复合镀层。本发明具有良好的耐磨性能，同时镀层具备良好的附着力，保证其耐久性能；首先对引线框架基体进行预镀镍处理，可有效改善镀层的表面形貌、致密性和耐蚀性，使得后续复合镀层的表面更加平整、均匀、致密，孔隙率更低；在预镀镍处理之后，采用超声‑喷射电沉积方式在引线框架表面形成Ni‑W/SiC/Zn复合镀层，镀层孔隙率最低且表面平整光滑；在喷射电沉积过程施加超声场，超声搅拌作用可以抑制碳化硅纳米颗粒的过度团簇，有利于晶粒细化，使得引线框架磨痕深度更浅，磨痕轨迹更宽，展现出更好的耐磨损性能。

关键词：复合镀层引线框架基体喷射电沉积预镀镍镀层磨痕附着力半导体引线框架碳化硅纳米颗粒致密引线框架表面耐磨损性能表面平整表面形貌超声搅拌镀层孔隙晶粒细化耐久性能耐磨性能引线框架超声场孔隙率耐高温耐蚀性预镀层致密性超声团簇光滑制备平整施加保证

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一种防变形引线框架的覆膜装置

一种防变形引线框架的覆膜装置

引用

作者：何少嘉杨帆潘卫成苏德练 511447 广东省广州市番禺区石楼镇潮田工业区珠江路16号厂房

本发明涉及芯片加工技术领域，本发明公开了一种防变形引线框架的覆膜装置，包括：引线框架和结构增强膜；所述结构增强膜为上下两层覆盖在引线框架的上下两侧，并且结构增强膜与引线框架的形状相适配，所述结构增强膜采用高分子材料制... 详细信息

标准号: CN117059527B

本发明涉及芯片加工技术领域，本发明公开了一种防变形引线框架的覆膜装置，包括：引线框架和结构增强膜；所述结构增强膜为上下两层覆盖在引线框架的上下两侧，并且结构增强膜与引线框架的形状相适配，所述结构增强膜采用高分子材料制成，所述结构增强膜通过快速覆膜装置进行覆膜作业，所述快速覆膜装置包括：输送机、贴膜机、处理机构、清理机构、控制器、安装架和搬运模块。该防变形引线框架的覆膜装置，保证引线框架自身导电性能同时，在引线框架表面覆盖高分子材料薄膜，对提供引线框架额外的支撑和保护，进而增强引线框架结构的强度与稳定性，并且提供更加快速高效的对引线框架进行形状适配的覆膜装置。

关键词：引线框架覆膜装置结构增强防变形高分子材料薄膜引线框架表面引线框架结构高分子材料处理机构导电性能覆膜作业清理机构上下两侧上下两层芯片加工形状适配控制器安装架输送机贴膜机覆盖适配搬运支撑保证

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一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法

一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法

引用

作者：不公告发明人 741020 甘肃省天水市天水经济技术开发区社棠工业园

本发明公开了一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法，属于微电子封装材料技术领域。本发明主要通过第一酸洗、预镀铜粗化、第二酸洗、冷轧加工和退火处理这五个步骤来实现铜粗化无引脚封装引线框架的制备。本发明的铜粗化无引脚封装... 详细信息

标准号: CN111883432A

本发明公开了一种铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法，属于微电子封装材料技术领域。本发明主要通过第一酸洗、预镀铜粗化、第二酸洗、冷轧加工和退火处理这五个步骤来实现铜粗化无引脚封装引线框架的制备。本发明的铜粗化无引脚封装引线框架的制备方法，将其用于集成电路芯片的可靠性高，能够实现量化，能够提高引线框架表面粗化的效果，生产成本更低，生产过程稳定性好。本发明通过在预镀铜粗化前后进行两次酸洗，能够保证杂质除去率的最大化，促进引线框架封装的成功率，增强引线框架与封装的结合力。本发明中的抗拉强度为626～630MPa，延伸率20～23％，导电率为178～182％IACS，粗糙度0.092～0.097μm，热膨胀系数为17.2×10^‑6～17.6×10^‑6/k，效果显著。

关键词：粗化引线框架无引脚封装制备预镀铜酸洗微电子封装材料集成电路芯片引线框架表面引线框架封装热膨胀系数生产过程退火处理杂质除去粗糙度导电率结合力延伸率最大化次酸冷轧成功率封装生产成本量化加工保证

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一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法

一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法

引用

作者：赵健伟顾雪林于晓辉顾梦茹 314000 浙江省嘉兴市广穹路899号

本发明公开了一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/LpH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离... 详细信息

标准号: CN114438557B

本发明公开了一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法，按照组成成分及含量：包括20～25g/L硝酸银、100～120g/L甲酰乙内脲、10～15g/L支持电解质、40～50g/LpH调节剂、200～480mg/L电镀添加剂、1.5～5g/L光刻胶保护剂和去离子水，所述电镀添加剂包括0.06～0.07g/L表面活性剂、0.22～0.25g/L主光亮剂、0.08～0.10g/L次级光亮剂和0.03～0.05g/L细化剂。本发明中，通过调整镀液组分与配比，使得镀液处于中性或者弱碱性条件下，避免镀液对光刻胶的酸碱腐蚀，同时，通过添加一定量的光刻胶保护剂，并调整光刻胶保护剂的用量适配于镀液性能不受影响，而又对引线框架表面的光刻胶具备防腐蚀保护作用，从而提高引线框架后期经曝光后形成图案纹路的光滑性。

关键词：镀液光刻胶保护电镀添加剂引线框架蚀刻引线框架表面表面活性剂次级光亮剂弱碱性条件支持电解质去离子水酸碱腐蚀图案纹路主光亮剂电镀液调节剂防腐蚀光滑性光刻胶细化剂硝酸银镀银甲酰配比适配制备曝光

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一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法

一种用于蚀刻引线框架镀银用的电镀液及其制备方法

引用

作者：赵健伟顾雪林于晓辉顾梦茹 314000 浙江省嘉兴市广穹路899号

标准号: CN114438557A

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一种高可靠性阵列锁定式引线框架及该引线框架在封装件中的应用

一种高可靠性阵列锁定式引线框架及该引线框架在封装件中的应用

引用

作者：李习周慕蔚张易勒李琦 741000 甘肃省天水市秦州区双桥路14号

本发明公开了一种高可靠性阵列锁定式引线框架及其在封装件中的应用，属于半导体封装技术领域。引线框架表面设有至少一组与芯片相匹配的锁定结构，该锁定结构包括引线框架四个角处设有的第一锁定孔，相邻两个第一锁定孔之间设有一排成... 详细信息

标准号: CN107994005B

本发明公开了一种高可靠性阵列锁定式引线框架及其在封装件中的应用，属于半导体封装技术领域。引线框架表面设有至少一组与芯片相匹配的锁定结构，该锁定结构包括引线框架四个角处设有的第一锁定孔，相邻两个第一锁定孔之间设有一排成对的圆形锁定孔，每两排圆形锁定孔之间设有一个椭圆形锁定孔；锁定结构的组数与芯片大小成负相关，每两组锁定结构呈回字形。芯片封装时，塑封料会嵌入各个锁定孔内，既可保证引线框架平整而不变形，又可保证引线框架和塑封体牢固结合，成形分离时不松动，以提高封装件产品的可靠性。该引线框架结构可用于高压IC+MOSFET芯片封装件、多芯片堆叠封装件和多芯片倒装焊堆叠封装件中，集成度高，实现了多功能可靠性封装。

关键词：锁定引线框架封装件半导体封装技术多芯片堆叠封装芯片引线框架表面引线框架结构堆叠封装件高可靠性牢固结合芯片封装集成度不变形成对的倒装焊多芯片负相关高压IC 回字形塑封料塑封体成形角处可用两排两组组数封装嵌入匹配松动平整保证应用

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一种引线框架缺陷单元的定位方法及系统

一种引线框架缺陷单元的定位方法及系统

引用

作者：高小平雷诚杨敬海 230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内

本发明公开了一种引线框架缺陷单元的定位方法及系统，包括定位检测箱，所述定位检测箱下部设置有输送组件，所述输送组件上固定设置有用于放置引线框架的置物台，所述定位检测箱内部设置有拍摄机箱，所述拍摄机箱上安装有两组用于对引... 详细信息

标准号: CN116754558A

本发明公开了一种引线框架缺陷单元的定位方法及系统，包括定位检测箱，所述定位检测箱下部设置有输送组件，所述输送组件上固定设置有用于放置引线框架的置物台，所述定位检测箱内部设置有拍摄机箱，所述拍摄机箱上安装有两组用于对引线框架表面进行拍摄的摄像头；所述定位检测箱上部设置有定位检测仪，所述定位检测仪与拍摄机箱相连，对摄像头拍摄的图片进行缺陷单元的分析检测；本发明通过水平转动可以使得摄像头能够从不同的角度对引线框架表面进行检测，从而确保对引线框架的缺陷单元进行精准的检测和定位，通过定位检测仪对比进行缺陷单元的检测，确保检测的精度和效率。

关键词：定位检测缺陷单元定位检测仪引线框架拍摄机引线框架表面摄像头输送组件检测定位方法及系统检测和定位摄像头拍摄分析检测固定设置内部设置水平转动箱上部箱下部置物台两组拍摄图片

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一种引线框架的电镀工艺

一种引线框架的电镀工艺

引用

作者：康亮康小明马文龙孙飞鹏 741020 甘肃省天水市麦积区社棠工业园

本发明属于引线框架表面处理技术领域，具体涉及一种引线框架的电镀工艺。一种引线框架的电镀工艺，采用上料→电解除油脱脂→清洗→酸洗→中和→清洗→预镀铜→清洗→镀铜→清洗→预镀银→清洗→局部镀银→银回收→退银→氰化清洗→防... 详细信息

标准号: CN112176377A

本发明属于引线框架表面处理技术领域，具体涉及一种引线框架的电镀工艺。一种引线框架的电镀工艺，采用上料→电解除油脱脂→清洗→酸洗→中和→清洗→预镀铜→清洗→镀铜→清洗→预镀银→清洗→局部镀银→银回收→退银→氰化清洗→防铜变色→清洗→烘干→下料等一系列的工艺实现了，在后期镀铜及镀银时可得到均匀的镀层，将经过银回收、退银后处理的将引线框架再置于氰化钾溶液中改善了镀银膜的焊接湿润性提高了芯片的焊接质量。

关键词：清洗引线框架电镀工艺银回收镀铜焊接引线框架表面氰化钾溶液后处理电解除油工艺实现局部镀银脱脂镀银膜湿润性预镀铜预镀银烘干氰化镀层镀银上料酸洗下料变色中和芯片

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一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺

一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺

引用

作者：高小平 230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内

本发明公开了一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺，工艺包括如下步骤：清洗：将待处理引线框架除油后清洗吹干；一次贴膜：在引线框架的上下表面各贴附一层干膜并压紧处理；一次曝光和显影：通过曝光和显影去除引线框架表面的部分干膜... 详细信息

标准号: CN117690896A

本发明公开了一种局部粗化的引线框架及其粗化工艺，工艺包括如下步骤：清洗：将待处理引线框架除油后清洗吹干；一次贴膜：在引线框架的上下表面各贴附一层干膜并压紧处理；一次曝光和显影：通过曝光和显影去除引线框架表面的部分干膜；电镀：将表面预处理过得引线框架进行电镀处理，而后取出清洗后吹干；褪膜清洗：去除引线框架表面剩余的干膜，经清洗后烘干；二次贴膜：在引线框架的上下表面再次贴附一层干膜并压紧处理；二次曝光和显影：再次通过曝光和显影去除引线框架表面的部分干膜；蚀刻：将引线框架依次经过二次压膜、二次曝光与显影后，对其进行蚀刻处理；超粗化：采用粗化液通过粗化设备对引线框架双面进行局部粗化处理。

关键词：引线框架干膜显影清洗粗化引线框架表面去除二次曝光上下表面吹干贴附贴膜压紧蚀刻表面预处理粗化处理电镀处理蚀刻处理一次曝光曝光粗化液电镀烘干除油褪膜压膜取出

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