检索结果-内蒙古大学图书馆

中国有色金属学报 1999年第4期9卷 723-727页

作者：曹育文马莒生唐祥云王碧文王世民李红清华大学材料科学与工程系北京100084 洛阳铜加工厂洛阳471039

研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ相似的晶体结构，Ｎｉ及Ｓｉ元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ及Ｓｉ元素含量增大时，由于析出物数... 详细信息

研究了合金元素对ＣｕＮｉＳｉ系列引线框架用铜合金性能的影响。发现合金中时效析出物具有与δＮｉ２Ｓｉ相似的晶体结构，Ｎｉ及Ｓｉ元素含量对材料硬度和电导率有很大影响。当Ｎｉ及Ｓｉ元素含量增大时，由于析出物数量增多，材料硬度增加；当Ｎｉ与Ｓｉ原子数之比小于２时，材料电导率明显下降，这是由于过剩Ｓｉ元素以固溶原子形式存在，强烈损害材料电导率的结果。加入Ｚｎ元素后，保温过程中Ｚｎ元素在合金与ＳｎＰｂ共晶焊料界面处偏聚，阻碍脆性金属间化合物层的形成，在４２５Ｋ保温１０００ｈ后，铜合金与焊料间结合良好。

关键词：引线框架铜合金硬度电导率钎焊合金设计

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高性能Cu-Ni-Co-Si引线框架材料研究进展

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兵器材料科学与工程 2022年第6期45卷 163-170页

作者：董鑫曹立军阮金琦邓立勋黄伟中国兵器科学研究院宁波分院浙江宁波315103

介绍了铜基引线框架材料的发展现状。总结了Ni、Si和微合金化对Cu-Ni-Si系合金性能的影响,表明了Cu-NiCo-Si合金是一种很有应用前景的引线框架材料。从成分设计和形变热处理工艺综述了高性能Cu-Ni-Co-Si引线框架材料的研究进展。提出高... 详细信息

介绍了铜基引线框架材料的发展现状。总结了Ni、Si和微合金化对Cu-Ni-Si系合金性能的影响,表明了Cu-NiCo-Si合金是一种很有应用前景的引线框架材料。从成分设计和形变热处理工艺综述了高性能Cu-Ni-Co-Si引线框架材料的研究进展。提出高通量计算分析及短流程制备是今后Cu-Ni-Co-Si引线框架材料发展的重要方向。

关键词：引线框架 Cu-Ni-Co-Si合金冷变形时效

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高斯平滑下引线框架的多尺度噪声图像快速配准算法

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计算机工程 2018年第5期44卷 209-214页

作者：曹晓欢杨建华张扬西北工业大学自动化学院西安710072

为满足机器视觉系统的实时性要求,提出一种新的快速图像配准算法,即高斯多尺度快速注册算法(GMFR)。GMFR综合图像空间域互相关算法(CC)与频域互功率谱算法(CPS)在配准精度和效率上的优势,并在图像多尺度表达的基础上,通过引入高斯平滑... 详细信息

为满足机器视觉系统的实时性要求,提出一种新的快速图像配准算法,即高斯多尺度快速注册算法(GMFR)。GMFR综合图像空间域互相关算法(CC)与频域互功率谱算法(CPS)在配准精度和效率上的优势,并在图像多尺度表达的基础上,通过引入高斯平滑来避免图像亚采样过程中的细节丢失问题。为了对配准算法进行定量分析,进一步定义性能函数,随图像规模的增大算法的性能优势得到成倍提高。在真实引线框架图像上的实验结果表明,即使针对复杂噪声图像,GMFR仍具备较高的配准准确率和较强的鲁棒性,与传统的CC以及CPS图像配准方法相比,该算法效率明显提高。

关键词：引线框架噪声图像快速配准高斯多尺度性能函数

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压板式高速镀银在引线框架中的应用

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电镀与涂饰 2016年第9期35卷 475-480页

作者：王超陈亚龙陈明明王一夫宁波华龙电子股份有限公司浙江宁波315040 宁波市电镀行业协会专家工作委员会浙江宁波315199

介绍了引线框架用压板式高速镀银的基本原理、生产线结构和工艺流程,给出了典型的除油、酸洗、镀铜、预镀银、防置换、选择性镀银、退银、铜保护等工序的溶液配方及操作条件,指出了上料、下料等环节的注意事项,总结了常见高速镀银故障... 详细信息

介绍了引线框架用压板式高速镀银的基本原理、生产线结构和工艺流程,给出了典型的除油、酸洗、镀铜、预镀银、防置换、选择性镀银、退银、铜保护等工序的溶液配方及操作条件,指出了上料、下料等环节的注意事项,总结了常见高速镀银故障的产生原因与处理方法。

关键词：半导体引线框架高速镀银生产线工艺流程故障处理

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基于引线框架的射频多芯片组件封装技术研究

基于引线框架的射频多芯片组件封装技术研究

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作者：孙海燕东南大学

学位级别：博士

多芯片组件(Multi-Chip-Module，简称MCM)封装可以实现不同硅片上的芯片集成，是实现电子系统多功能化、高性能化、低成本化与小型化的有效技术之一。本文研究基于传统引线框架的多芯片组件封装技术，以明显提升多芯片组件封装的高频性... 详细信息

多芯片组件(Multi-Chip-Module，简称MCM)封装可以实现不同硅片上的芯片集成，是实现电子系统多功能化、高性能化、低成本化与小型化的有效技术之一。本文研究基于传统引线框架的多芯片组件封装技术，以明显提升多芯片组件封装的高频性能。在采用传统的引线框架技术进行多芯片组件封装设计时，会遭遇到两大瓶颈:①、传统引线框架内部结构不规则，引脚细长且密度高，导致高频寄生效应突出，限制了其高频性能;②、键合线结构进一步限制了使用带宽。\n 本文针对上述两大瓶颈开展了研究:①、设计了一种基于共面传输线理论的引线框架结构:结合经典的共面传输线理论与传统的框架设计，优化信号引脚的宽度及其与两侧接地引脚的间距，实现了常规共面传输线结构。②、在常规共面传输线结构的基础上，分析了两种不同的介质环境对信号通道传输阻抗的影响，提出了级联共面传输线结构，仿真结果表明，级联共面传输线结构的最高工作频率为8.7GHz@S11=-15dB，14.9GHz@S21=-1dB;而传统框架结构的最高工作频率为1.4GHz@S11=-15dB，6.8GHz@S21=-1dB，级联共面传输线结构明显提升了引线框架的可封装带宽。③、建立了基于准静态宽频传输线理论的键合线模型，在50GHz的带宽内，与全波电磁场仿真结果相比，基于该模型仿真时，S11的最大误差为1.08dB，S21的最大误差为2.56dB;而基于传统集总参数模型仿真时，S11的最大误差为34.70dB，S21的最大误差为11.28dB，在不明显增加仿真时间的情况下，改善了仿真精度。④、改进设计了一种共面键合线结构，当键合线间距设置为0.05mm时，改进型共面键合线结构的最高工作频率为4.3GHz@S11=-15dB，7.9GHz@S21=-1dB;而等间距设置下的常规共面键合线结构的最高工作频率为2.9GHz@S11=-15dB，6.5GHz@S21=-1dB。\n 基于论文的工作，设计了一种射频多芯片组件封装，实现了具有共面传输线结构的引线框架和多芯片组件封装模型，并完成封装制作和样品测试。结果表明:在8.5GHz的带宽内，测试结果与仿真结果保持了较高的一致性，多芯片组件封装样品中信号通道Ⅰ在5.8GHz频点时，回波损耗S11的测试值为-14.37dB;信号通道Ⅳ在2.4GHz频点时，S11的测试值为-16.35dB，均可满足5.8GHz、2.4GHz两个频段射频信号传输的要求。

关键词：多芯片组件封装引线框架共面传输线共面键合线高频性能

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快速换模在引线框架高速镀银中的应用

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电镀与涂饰 2017年第21期36卷 1142-1148页

作者：王超陈琪辉陈亚龙宁波华龙电子股份有效公司浙江宁波315121

对引线框架高速镀银中快速换模方法进行了研究,通过快速换模六大步骤的实施,明显减少了因更换产品而引起的电镀线停机所造成的时间浪费,使各项业务指标有了明显的改善。

关键词：引线框架电镀银精益生产换模时间标准化

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夹杂物诱发超薄引线框架铜合金带材表面微裂纹缺陷的研究

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锻压技术 2024年第3期49卷 94-100页

作者：成仁韬马自在王江慧王孝广太原理工大学材料科学与工程学院山西太原030024 太原理工大学化学学院山西太原030024 太原工业学院机械工程系山西太原030008

针对超薄引线框架铜合金带材表面出现的微裂纹问题,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、金相显微镜、纳米压痕仪分别对其表面形貌、元素分布、金相组织和力学性能等进行了测试和分析,并根据微裂纹区域的变化探寻了其形成原因... 详细信息

针对超薄引线框架铜合金带材表面出现的微裂纹问题,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、金相显微镜、纳米压痕仪分别对其表面形貌、元素分布、金相组织和力学性能等进行了测试和分析,并根据微裂纹区域的变化探寻了其形成原因。结果表明:裂纹的平均长度在10μm左右,随机分布于铜合金带材的两侧,并垂直于轧制方向。铜合金在熔炼过程中发生了C、O元素的偏聚,生成了C、O、Cu夹杂物,由于轧制过程中基体发生变形,导致在夹杂物处产生了应力集中,形成了微裂纹。最后,根据表面微裂纹的产生原因对浇铸及轧制工艺提出了改进建议,减少了微裂纹的产生。

关键词：引线框架铜合金表面缺陷微裂纹元素偏聚夹杂物

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KFC铜合金引线框架带材的连续挤压制造技术