检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：祝炬烨中国科学院大学(中国科学院宁波材料技术与工程研究所)

学位级别：博士

聚（3,4-乙撑二氧噻吩）:聚苯乙烯磺酸(Poly（3,4-ethylenedioxythiophene）:poly（styrenesulfonate）,PEDOT:PSS)和n型硅（n-Si）结合形成的有机/无机杂化异质结太阳电池因其简单的制备工艺和较高的转换效率被广泛关注。PEDOT:PSS作... 详细信息

聚（3,4-乙撑二氧噻吩）:聚苯乙烯磺酸(Poly（3,4-ethylenedioxythiophene）:poly（styrenesulfonate）,PEDOT:PSS)和n型硅（n-Si）结合形成的有机/无机杂化异质结太阳电池因其简单的制备工艺和较高的转换效率被广泛关注。PEDOT:PSS作为一种透明导电聚合物,具有较高的透过率（>80%）,较高的导电率（700S/cm）,以及较高的功函数（5.0 eV）,与n-Si结合由于没有费米能级钉扎效应,能诱导硅表面形成反型。同时PEDOT:PSS透过率高以及对硅片有较好的减反效果,使得大部分光被硅吸收,而PEDOT:PSS对硅表面有一定的钝化效果保证了p-n结的质量。PEDOT:PSS作为p-n结的一部分,其特性对器件的性能有巨大的影响,通过改善PEDOT:PSS的特性来提升器件的性能具有重要意义。本文主要是围绕PEDOT:PSS材料特性展开研究来提升PEDOT:PSS/Si杂化异质结太阳电池的光电性能。本论文主要研究工作包括以下几个方面:（1）双层PEDOT:PSS结构对PEDOT:PSS/Si杂化异质结太阳电池光电性能影响的研究。根据PEDOT:PSS材料特性,设计双层PEDOT:PSS结构,下层采用高功函数PEDOT:PSS,上层采用高导电性PEDOT:PSS。结果表明,下层高功函数PEDOT:PSS诱导硅表面形成强反型层,增强了内建电势,并抑制了硅表面复合。由于上层高导电性PEDOT:PSS的覆盖,下层高功函数PEDOT:PSS差的导电性在35 nm情况下并不影响整个器件的串联电阻,没有任何其他修饰的情况下开路电压提升了31 mV达到了640 mV,填充因子0.755,转换效率12.69%。开路电压的提高有助于空间电荷区光生载流子的分离。同时还系统地研究了不同乙二醇含量对下层高功函数PEDOT:PSS形貌及导电性的影响以及器件光电性能的影响。结果发现,高功函数PEDOT:PSS薄膜随着乙二醇的加入,表面粗糙度从0.72 nm增加到了2.31 nm,方块电阻从2?10～6Ω?sq-1降到了9.9?10～3Ω?sq-1。太阳电池的开路电压随乙二醇含量变化不大,短路电流密度随乙二醇含量的增加略有下降,填充因子则随着乙二醇含量的增加而提高,当乙二醇含量为7 wt%时器件有最佳转换效率。（2）金属银聚合物复合电极在PEDOT:PSS/Si杂化异质结太阳电池中的应用研究。在双层PEDOT:PSS的基础上,用超薄银电极代替上层高导电性PEDOT:PSS和银栅线,实现载流子的高效收集。金属银直接沉积在聚合物PEDOT:PSS表面,在小于10 nm厚度的情况下成三维岛状生长,导致较差的光学性能和电学性能,而加入一层超薄Au/MoOx修饰层,在6 nm厚度下金属银就能实现连续成膜,并减小了PEDOT:PSS和银之间的接触电阻,显著提升光学性能及电学性能,同时MoOx功函数较高,能进一步增强硅表面反型,抑制硅表面复合,使载流子有效地分离和收集。采用有Au/MoOx修饰层的超薄银顶电极制备得到的太阳电池器件的填充因子提高到了0.802,展现出了其巨大的载流子收集潜力。针对其短路电流密度小的问题,我们在上面引入一层MoOx减反层,并利用有限元法模拟计算了PEDOT:PSS和MoOx减反层的匹配厚度,当厚度分别为40 nm和45nm时,光电流密度损失最小。实验结果表明覆盖一层MoOx减反层,太阳电池的短路电流密度增加到了23.13 mA?cm-2,转换效率为10.82%。

关键词：聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸硅异质结太阳电池强反型载流子传输透明金属电极

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无化学掺杂石墨烯—硅异质结太阳电池

无化学掺杂石墨烯—硅异质结太阳电池

引用

作者：杨黎飞浙江大学

学位级别：博士

石墨烯是重要的二维材料,其具有优异的光电性能（如高透光率,极高的载流子迁移率）而成国际学术界研究的热点。将石墨烯与晶体硅结合制备石墨烯-硅异质结新型太阳电池,可以省去晶体硅太阳电池制程中的高温扩散工艺,放宽对硅材料的纯度要... 详细信息

石墨烯是重要的二维材料,其具有优异的光电性能（如高透光率,极高的载流子迁移率）而成国际学术界研究的热点。将石墨烯与晶体硅结合制备石墨烯-硅异质结新型太阳电池,可以省去晶体硅太阳电池制程中的高温扩散工艺,放宽对硅材料的纯度要求,有望在较低的生产成本下实现较高的光电转化效率,从而成为一种具有重要潜力的新型太阳电池。但目前这种电池的效率还很低,稳定性也比较差,需要深入地研究和探讨。本文围绕提高石墨烯-硅太阳电池效率的主要目标,在石墨烯-硅界面优化和石墨烯性能调控两方面做了系统研究,得到了以下主要创新结果：（1）在石墨烯和硅界面处引入化学性质与石墨烯相似,但电学上是绝缘体的氧化石墨烯薄膜作为介质层,优化了石墨烯-硅界面。研究发现氧化石墨烯薄膜的引入可以提高石墨烯-硅太阳电池的开路电压,并且可以有效地抑制少数载流子在硅-石墨烯界面处的复合,提高电池的短路电流密度和填充因子。这两方面的共同作用使石墨烯-硅太阳电池的效率获得近3倍的提升,最高效率达到6.18%,且具有较好的长期稳定性,超过了目前文献报道的无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池的效率。（2）在石墨烯和硅之间引入带有固定负电荷的氧化铝薄膜,优化石墨烯-硅界面。研究发现由固定负电荷和石墨烯-硅功函数差引起的表面能带弯曲,可以使较高电阻率的硅基底表面发生强反型,由此产生的场钝化效应可以有效地抑制少数载流子在石墨烯-硅界面处的复合。同时,硅表面发生强反型也使石墨烯-硅太阳电池转变为类似于p-n结电池的MIS IL （metal-insulator-semiconductor inversion layer）电池,有效抑制了多数载流子的热激发电流,降低了电池的反向向饱和电流。两者的共同作用使得石墨烯-硅太阳电池的各项参数（短路电流密度,开路电压,填充因子）均有显著提升,电池最高效率达到8.44%,进一步提高了无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池的效率记录。（3）利用电场掺杂调控石墨烯性能。在实验上同时实现了外加电场掺杂和内建电场掺杂,后者是通过将铁电高分子材料（偏二氟乙烯与三氟乙烯的共聚物）引入石墨烯-硅太阳电池结构,利用其极化产生的内建电场实现的。实验结果表明,通过电场掺杂调节石墨烯的费米能级（功函数）,可以使石墨烯-硅太阳电池的效率提高1-2倍。（4）通过和银纳米线复合,调控石墨烯性能。研究发现石墨烯的导电性可被有效提升而其功函数保持不变。将方块电阻达9 Ω/□,品质因子达168,具有良好热稳定性和长期稳定性的石墨烯-氧化石墨烯-银纳米线复合薄膜,用于制备工作面积放大1-2倍的石墨烯-硅太阳电池,可以有效提高电池的填充因子,获得最高效率为8.68%的无化学掺杂石墨烯-硅太阳电池。

关键词：硅石墨烯太阳电池氧化石墨烯氧化铝强反型电场掺杂铁电高分子银纳米线

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一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源

引用

微电子学 2011年第5期41卷 654-657页

作者：王会杰王春华何海珍李湛湖南大学先进通信技术湖南省高校重点实验室长沙410082

采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表... 详细信息

采用Chartered 0.18-μm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈值特性的全MOS结构电压基准源。它利用VT的正温度特性补偿VTH的负温度特性,以实现一个零温度系数的输出电压。为了实现较低的功耗,大部分MOS晶体管均工作在亚阈值区。仿真结果表明:电路可工作在0.7V到3.6V电压范围内;在0℃～120℃范围内,电压基准的温度系数可达2.97×10-6/℃;在1V电源电压下,电路的静态功耗和输出电压值分别为1.48μW和430.6mV;在没有滤波电容的情况下,在1kHz时,输出电压的电源电压抑制比为-61dB。

关键词： CMOS 电压基准源亚阈值弱反型强反型

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深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型

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Journal of Semiconductors 1998年第10期19卷 756-763页

作者：汪红梅奚雪梅张兴王阳元北京大学微电子学研究所

本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强（ＤＩＣＥ）和串联Ｓ／Ｄ电... 详细信息

本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强（ＤＩＣＥ）和串联Ｓ／Ｄ电阻等．该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述，确保了电流及其高阶导数在饱和点连续．将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比，当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时。

关键词： SOI MOSFET 深亚微米薄膜强反型电流模型

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MOSFET的1/f~α噪声与低噪声电子设计

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数据采集与处理 1992年第S1期7卷 20-24页

作者：方志豪朱秋萍张援农武汉大学武汉430072

MOSFET的1/f~α噪声与器件的尺寸、偏置电压、工作环境温度、电应力老化、辐射影响等有关。本文分析了MOSFE的1/f^(?)噪声随上述因素变化的规律特点,根据这些变化特点,文中给出了MOS电路低噪声设计和应用的一些基本原则,同时讨论了单只... 详细信息

MOSFET的1/f~α噪声与器件的尺寸、偏置电压、工作环境温度、电应力老化、辐射影响等有关。本文分析了MOSFE的1/f^(?)噪声随上述因素变化的规律特点,根据这些变化特点,文中给出了MOS电路低噪声设计和应用的一些基本原则,同时讨论了单只MOS器件的噪声测量方法,供实际工作者选用器件及设计工作条件时参考利用。

关键词：低噪声设计电应力嗓声工作环境温度偏置电压氧化层陷阱强反型规律特点辐射影响漏极电流

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“联合技术”测量界面态分布的几个问题的分析

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辽宁大学学报（自然科学版） 1988年第2期15卷 20-27页

作者：沈桂芬辽宁大学物理系

本文以实验事实为依据详细地分析了用“联合技术”测量界面态密度可能产生误差的几种因素,例如归一化值的线性度偏差、扫描速率大小的选择,地电势的偏差等,提出了避免误差,提高测量精度的方法。还讨论了磷处理工芝、合金工艺及光照等对... 详细信息

本文以实验事实为依据详细地分析了用“联合技术”测量界面态密度可能产生误差的几种因素,例如归一化值的线性度偏差、扫描速率大小的选择,地电势的偏差等,提出了避免误差,提高测量精度的方法。还讨论了磷处理工芝、合金工艺及光照等对界面态密度的影响.

关键词：界面态密度合金工艺实验事实强反型表面势漏电阻扫描速率氧化层线性度静态测量

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短沟道MOSFET本征电容模型的研究

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固体电子学研究与进展 1988年第4期 417-420页

作者：张莉南德恒清华大学微电子学研究所清华大学微电子学研究所

一、引言随着MOS集成电路向短沟道、高速化发展,MOS晶体管电容对电路性能的影响更为突出。对电路性能影响较大的栅—漏,栅—源本征电容CGD,CGS与长沟器件的主要不同是:（1）饱和区CGD≠0,随着沟道缩短,CGD占总本征栅电容的比例增大。... 详细信息

<正> 一、引言随着MOS集成电路向短沟道、高速化发展,MOS晶体管电容对电路性能的影响更为突出。对电路性能影响较大的栅—漏,栅—源本征电容CGD,CGS与长沟器件的主要不同是:（1）饱和区CGD≠0,随着沟道缩短,CGD占总本征栅电容的比例增大。（2）CGD由饱和区到线性区呈平缓过渡状。（3）饱和区CGS减小,并由次开启到饱和区的上升趋势变缓。分析表明,栅电容的短沟效应与沟长调制和速度饱和迁移率有关。

关键词：短沟效应饱和区长调源本模型类电路性能强反型线性区迁移率 SPICE

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ROS管—一种新型半导体器件

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南昌大学学报(理科版) 1987年第1期 66-75页

作者：叶安祚江西大学物理系

本文讨论了该器件的设计理论,描述了它的结构,典型曲线及参数。

关键词：半导体器件 ROS 典型曲线输出特性曲线导通状态截止状态跨导场效应管寄生电容强反型

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半导体表面层势、场和电荷分布的一种简明解析表达

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应用科学学报 1987年第4期 363-367页

作者：倪庆霄中国科学院上海技术物理研究所

半导体表面层偏离平带的状况有三种主要类型:积累层、耗尽层和反型层。关于表面层中场和势的分布,除了对耗尽层或弱反型层有熟知的“耗尽近似”简明解析表达外,对表面层其他类型,一般都用空间电荷函数F来描述,即

关键词：反型层耗尽层厚度积累层电荷分布电性强反型表面层流体层

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用于探测和调节的单片集成温度传感器

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仪器仪表与分析监测 1986年第2期 24-27页

作者： B.J.HOSTICKA J.FICHTEL G.ZIMMER 李华

一、前言本文报道了两种CMOS温度传感器的设计以及探测电子学的问题。温度传感器不仅能用于温度测量与传感,并且还可以在许多范围得到应用。例如用于衬底温度的调节和温度梯度的测量。由于传感器电子学部分集中于同一芯片上,同时传感器... 详细信息

一、前言本文报道了两种CMOS温度传感器的设计以及探测电子学的问题。温度传感器不仅能用于温度测量与传感,并且还可以在许多范围得到应用。例如用于衬底温度的调节和温度梯度的测量。由于传感器电子学部分集中于同一芯片上,同时传感器不仅仅提供缓冲了的电路输出,并且还能够进行较复杂的传感器信号处理,从而节省硬件及布线。这样就要求更高一级的元件有所发展,如放

关键词：闭环电压增益放大器电子设备漏电流偏置电压 NMOS 电源电压沟道区开关电容输出电压强反型

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