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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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限定检索结果

文献类型

934 篇 专利

馆藏范围

934 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

208 篇 日产化学株式会社
180 篇 日产化学工业株式...
109 篇 富士胶片株式会社
32 篇 日东电工株式会社
24 篇 琳得科株式会社
22 篇 住友化学株式会社
22 篇 信越化学工业株式...
19 篇 az电子材料有限公...
19 篇 日立化成株式会社
15 篇 三菱综合材料株式...
14 篇 东京应化工业株式...
14 篇 东友精细化工有限...
13 篇 默克专利有限公司
13 篇 agc株式会社
12 篇 sk新技术株式会社
9 篇 旭硝子株式会社
9 篇 jsr株式会社
9 篇 三菱瓦斯化学株式...
8 篇 大金工业株式会社
8 篇 精工爱普生株式会...

作者

105 篇 坂本力丸
53 篇 中岛诚
52 篇 江原和也
51 篇 桥本圭祐
50 篇 远藤贵文
45 篇 伊藤润
45 篇 柴山亘
44 篇 西卷裕和
43 篇 进藤和也
41 篇 畑中真
33 篇 岸冈高广
32 篇 绪方裕斗
31 篇 菅野裕太
31 篇 田村护
28 篇 武田谕
27 篇 德永光
26 篇 若山浩之
25 篇 西田登喜雄
24 篇 汤川升志郎
23 篇 染谷安信

语言

934 篇 中文

检索条件"主题词=形成用组合物"

共 934 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物

引用

作者：柴山亘高濑显司中岛诚武田谕若山浩之坂本力丸日本东京都

本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合... 详细信息

标准号: CN106662820B

本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R¹为式(2)表示的有机基团，(式(2)中，R⁴表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R⁵表示磺酰基或磺酰胺基，R⁶表示含卤的有机基团。]。上述式(2)中的R⁶为含氟的有机基团。上述式(2)中的R⁶为三氟甲基。通过将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成而得到的抗蚀剂下层膜。还包含作为水解催化剂的酸。还含有水。R¹_aR²_bSi(R³)_4‑(a+b) (1) ‑R⁴‑R⁵‑R⁶ (2)。

关键词：式( 2 ) 式( 1 ) 抗蚀剂下层膜水解性硅烷有机基团形成用组合物半导体基板抗蚀剂图案水解催化剂水解缩合物磺酰胺基碱显影液抗蚀剂膜三氟甲基碳原子数有机溶剂磺酰基水解物亚烷基光刻硅烷含氟烧成显影上层曝光

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剥离层形成用组合物

剥离层形成用组合物

引用

作者：江原和也小出泰之进藤和也日本东京都

通过本发明，可提供一种用于形成下述剥离层的组合物，所述剥离层可维持与设置该剥离层的玻璃基板的密合性从而不在与玻璃基板之间的界面处产生剥离，同时也可实现将形成于剥离层上部的层或层组从该剥离层简易地剥离。本发明提供下述剥... 详细信息

标准号: CN106133077B

通过本发明，可提供一种用于形成下述剥离层的组合物，所述剥离层可维持与设置该剥离层的玻璃基板的密合性从而不在与玻璃基板之间的界面处产生剥离，同时也可实现将形成于剥离层上部的层或层组从该剥离层简易地剥离。本发明提供下述剥离层形成用组合物，所述剥离层形成用组合物含有聚酰胺酸和有机溶剂，所述聚酰胺酸包含50摩尔％以上的式(1)所示的单体单元，且重均分子量为10,000以上。此处，式(1)中，X¹表示四价的有机基团，Y¹表示下述式(P)所示的二价基团。

关键词：剥离层式( 1 ) 形成用组合物玻璃基板聚酰胺酸剥离重均分子量单体单元二价基团有机基团有机溶剂界面处密合性四价简易

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防积雪覆膜形成用组合物和防积雪覆膜

防积雪覆膜形成用组合物和防积雪覆膜

引用

作者：山口央基井上僚贺川米基璐森田正道日本大阪府

本发明提供一种能够形成不易产生积雪的覆膜的防积雪覆膜形成用组合物和防积雪覆膜。本发明的防积雪覆膜形成用组合物含有微粒被第一聚合物覆盖而成的复合颗粒和涂料成分。本发明的防积雪覆膜含有微粒被第一聚合物覆盖而成的复合颗粒和... 详细信息

标准号: CN114729228A

本发明提供一种能够形成不易产生积雪的覆膜的防积雪覆膜形成用组合物和防积雪覆膜。本发明的防积雪覆膜形成用组合物含有微粒被第一聚合物覆盖而成的复合颗粒和涂料成分。本发明的防积雪覆膜含有微粒被第一聚合物覆盖而成的复合颗粒和粘合剂成分。本发明的防积雪覆膜利用积雪试验测得的积雪开始时间为20分钟以上。本发明的防积雪覆膜不易产生积雪。

关键词：积雪覆膜形成用组合物复合颗粒聚合物粘合剂覆盖涂料试验

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上表面抗反射膜形成用组合物以及使用其的图案形成方法

上表面抗反射膜形成用组合物以及使用其的图案形成方法

引用

作者：片山朋英佐尾高步德国达姆施塔特

本发明提供具有与以往制品同等以上的成膜性、折射率、经时稳定性以及安全性的上表面抗反射膜形成用组合物以及使用其的图案形成方法。一种上表面抗反射膜形成用组合物，其特征在于包含由下述通式(1)表示的重均分子量为300,000～800,00... 详细信息

标准号: CN103460136B

本发明提供具有与以往制品同等以上的成膜性、折射率、经时稳定性以及安全性的上表面抗反射膜形成用组合物以及使用其的图案形成方法。一种上表面抗反射膜形成用组合物，其特征在于包含由下述通式(1)表示的重均分子量为300,000～800,000的含氟聚合物、碳原子数10～18的烷基磺酸以及溶剂，-Ax-By-？(1)式中，A为由下述通式(A)表示的重复单元，式中，R为碳原子数1～40的含氟亚烷基或者碳原子数2～100的具有醚键的含氟亚烷基，B是可与A结合而形成共聚物的重复单元，x以及y是表示聚合比的数，并且x不为0，A和B可无规地结合，也可形成嵌段。

关键词：碳原子数形成用组合物抗反射膜上表面亚烷基含氟图案形成方法含氟聚合物经时稳定性重均分子量烷基磺酸成膜性共聚物聚合比折射率溶剂醚键嵌段无规一种结合包含

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被膜形成用组合物

被膜形成用组合物

引用

作者：岸克彦日本东京

一种被膜形成用组合物，其包含下述(A)～(C)，相对于下述(A)100质量份，包含下述(C)100～2000质量份：(A)以(A‑1):(A‑2)＝1:1.1～1:4.9的质量比含有下述(A‑1)以及(A‑2)的、被膜形成成分的混合物；(A‑1)25℃下的动态粘度为10mm2s‑1以下... 详细信息

标准号: CN110997837B

一种被膜形成用组合物，其包含下述(A)～(C)，相对于下述(A)100质量份，包含下述(C)100～2000质量份：(A)以(A‑1):(A‑2)＝1:1.1～1:4.9的质量比含有下述(A‑1)以及(A‑2)的、被膜形成成分的混合物；(A‑1)25℃下的动态粘度为10mm²s^‑1以下的范围的、含有水解性基团的有机硅低聚物；(A‑2)在单末端具有选自巯基、氨基以及单甲醇基中的官能团的反应性有机硅油(此时，在单末端具有单甲醇基的反应性有机硅油的官能团当量为4500g/mol以下)；(B)水解催化剂；以及(C)有机溶剂。本发明的被膜形成用组合物，能够形成兼具有滑水性以及耐久性(磨损后的滑水性)的被膜。

关键词：被膜反应性有机硅形成用组合物单末端滑水性甲醇基质量份氨基有机硅低聚物官能团当量水解催化剂水解性基团动态粘度有机溶剂混合物质量比巯基磨损

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固化膜形成用组合物、取向材及相位差材

固化膜形成用组合物、取向材及相位差材

引用

作者：伊藤润日本东京都

本发明的课题是提供用于提供显示良好的液晶取向性，并且与液晶层的密合性优异的取向材的固化膜形成用组合物。解决手段是固化膜形成用组合物、以及由该固化膜形成用组合物获得的固化膜、取向材、和相位差材，上述固化膜形成用组合物含... 详细信息

标准号: CN116789871A

本发明的课题是提供用于提供显示良好的液晶取向性，并且与液晶层的密合性优异的取向材的固化膜形成用组合物。解决手段是固化膜形成用组合物、以及由该固化膜形成用组合物获得的固化膜、取向材、和相位差材，上述固化膜形成用组合物含有：(A)具有环氧基的聚合物与具有包含聚合性双键的基团的肉桂酸衍生物的反应生成物；以及(B)交联剂。

关键词：固化膜形成用组合物取向肉桂酸衍生物反应生成物聚合性双键液晶取向性聚合物环氧基交联剂密合性相位差液晶层

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粘接片、使用了该粘接片的显示装置、用于制造粘接片的粘接层形成用组合物

粘接片、使用了该粘接片的显示装置、用于制造粘接片的粘接层形成...

引用

作者：横山由里石丸佳子港浩一井上垒绪方启介日本东京

提供一种能够实现显示装置的低反射率化、高亮度化以及薄型化的粘接片、使用了粘接片的显示装置、用于制造粘接片的粘接层形成用组合物。粘接片的特征在于，具备含有粘接剂和色素的第一粘接层、和层叠在第一粘接层的一个面侧的紫外线吸... 详细信息

标准号: CN116710813A

提供一种能够实现显示装置的低反射率化、高亮度化以及薄型化的粘接片、使用了粘接片的显示装置、用于制造粘接片的粘接层形成用组合物。粘接片的特征在于，具备含有粘接剂和色素的第一粘接层、和层叠在第一粘接层的一个面侧的紫外线吸收层，色素含有：极大吸收波长在470～530nm的范围内、吸光光谱的半值宽为15～45nm的第1色材，和极大吸收波长在560～620nm的范围内、吸光光谱的半值宽为15～55nm的第2色材，紫外线吸收层的依据JIS L 1925的紫外线遮蔽率为85％以上。

关键词：粘接片粘接层紫外线吸收层吸光光谱吸收波长显示装置半值宽色素色材形成用组合物紫外线遮蔽低反射率薄型化亮度化粘接剂面侧制造

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包含被置换的交联性化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

包含被置换的交联性化合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物

引用

作者：桥本圭祐高濑显司新城彻也坂本力丸远藤贵文西卷裕和日本东京都

本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀... 详细信息

标准号: CN110698331A

本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q¹表示单键或m1价的有机基团，R¹和R⁴分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R²和R⁵分别表示氢原子或甲基，R³和R⁶分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。

关键词：碳原子数烷基抗蚀剂下层膜式( 1 ) 式( 2 ) 耐热性蚀刻交联性化合物形成用组合物半导体装置光刻工序有机基团孔图案埋入性氢原子升华物烷氧基摆动树脂单键芳基基板式中制造

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防污膜、防污膜形成用组合物、防污膜层叠体以及防污膜层叠体的制造方法

防污膜、防污膜形成用组合物、防污膜层叠体以及防污膜层叠体的制...

引用

作者：畠中优介日本东京都

本发明提供一种防污膜及作为其应用的防污膜形成用组合物、防污膜层叠体以及防污膜层叠体的制造方法，所述防污膜含有：二氧化硅粒子(a)；聚合物(b)，具有丙烯酰胺结构，并且具有选自由‑SO3M和‑COOM组成的组中的至少一个取代基；以及聚... 详细信息

标准号: CN108350306A

本发明提供一种防污膜及作为其应用的防污膜形成用组合物、防污膜层叠体以及防污膜层叠体的制造方法，所述防污膜含有：二氧化硅粒子(a)；聚合物(b)，具有丙烯酰胺结构，并且具有选自由‑SO₃M和‑COOM组成的组中的至少一个取代基；以及聚合物(c)，具有丙烯酰胺结构，并且具有碳原子数2以上且20以下的烃基。M表示氢原子或可解离而成为阳离子的原子或原子团。

关键词：防污膜丙烯酰胺结构聚合物层叠体原子团二氧化硅粒子形成用组合物碳原子数氢原子阳离子解离烃基自由应用制造

来源：评论

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剥离层形成用组合物和剥离层

剥离层形成用组合物和剥离层

引用

作者：江原和也进藤和也日本东京

本发明提供剥离层形成用组合物，其包含：例如由下述式表示的、具有来自二胺的两末端且该两末端已用芳香族二羧酸封闭的聚酰胺酸，和有机溶剂。(式中，X表示4价的芳族基团，Y表示2价的芳族基团，R1～R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1... 详细信息

标准号: CN109153852B

本发明提供剥离层形成用组合物，其包含：例如由下述式表示的、具有来自二胺的两末端且该两末端已用芳香族二羧酸封闭的聚酰胺酸，和有机溶剂。(式中，X表示4价的芳族基团，Y表示2价的芳族基团，R¹～R⁴各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～20的芳基，m表示自然数。)

关键词：芳族基团碳原子数烷基芳香族二羧酸形成用组合物聚酰胺酸有机溶剂剥离层氢原子二胺芳基式中封闭

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