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检索条件"主题词=微机电系统传感器"
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微机电系统传感器的封装结构及其封装方法、及电子设备
微机电系统传感器的封装结构及其封装方法、及电子设备
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作者: 邱文瑞 王德信 刘兵 266100 山东省青岛市崂山区松岭路396号109室
本发明公开一种微机电系统传感器的封装结构及其封装方法、及电子设备。其中,所述微机电系统传感器的封装结构包括:基板;外壳,所述外壳罩设于所述基板的表面,并与所述基板围合形成容置腔,所述基板和/或所述外壳开设有连通所述容... 详细信息
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微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片
微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片
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作者: 郑旭晶 蔡文玮 于友斌 214000 江苏省无锡市锡山区安镇街道丹山路88号锡东创融大厦C栋16-040
本发明提出的一种微机电系统传感器芯片制备方法,所述传感器芯片的腔体结构采用腐蚀氧化硅技术生成,替代了传统的直接腐蚀硅衬底技术,不仅对硅衬底的晶向无特殊要求,形成的腔体结构精准度高,均匀性好,腔体深度不受限制,不会影响... 详细信息
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微机电系统传感器和电子设备
微机电系统传感器和电子设备
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作者: 张辽原 邱冠勋 266101 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园二期F楼
本发明公开了一种微机电系统传感器和电子设备,所述微机电系统传感器包括基底、振膜、背极板和连接结构,所述振膜具有固定部和悬空部,所述固定部位于所述基底上,所述悬空部位于所述声腔上,所述背极板设置于所述基底上,且所述背极... 详细信息
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微机电系统传感器封装方法及封装结构
微机电系统传感器封装方法及封装结构
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作者: 邱文瑞 王德信 266100 山东省青岛市崂山区松岭路396号109室
本发明公开了一种微机电系统传感器封装方法及封装结构,所述方法包括:依次在上盖板下表面间隔设置的第一粘附层、第二粘附层和第三粘附层,第二粘附层与第三粘附层的距离大于第二粘附层与第三粘附层的距离;在第二种子层的表面开始进... 详细信息
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微机电系统传感器、其制造方法及电子设备
微机电系统传感器、其制造方法及电子设备
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作者: 邹泉波 周良 丁凯文 张贺存 李刚 周汪洋 赵海轮 冷群文 266101 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园二期F楼
公开了一种微机电系统传感器、其制造方法及电子设备。该制造方法包括:在器件衬底上的牺牲层上形成微机电系统传感器的器件层,其中,所述器件层包括位于牺牲层上的机械层和位于机械层上的感测层,以及所述机械层中与器件衬底中要形成... 详细信息
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一种超声微机电系统传感器传感器装置及声波成像方法
一种超声微机电系统传感器、传感器装置及声波成像方法
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作者: 黄孟钦 朱瑞星 200120 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区浦东大道720、728号16B室
本发明涉及超声传感器技术领域,具体涉及一种超声微机电系统传感器传感器装置及声波成像方法。传感器,包括,激光发生器;光纤本体,连接激光发生器,光纤本体的柱状腔体内设有超声传感器,超声传感器包括,下电极,设于柱状腔体的... 详细信息
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改进的应力去耦微机电系统传感器
改进的应力去耦微机电系统传感器
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作者: H·托伊斯 T·考茨施 S·比塞尔特 H·弗雷利施 M·豪博尔德 B·克诺特 W·朗海因里希 A·罗特 M·施特格曼 M·福格特 德国德累斯顿
本公开涉及改进的应力去耦微机电系统传感器。例如,一种半导体器件可包括应力去耦结构以至少部分地去耦半导体器件的第一区域和半导体器件的第二区域。应力去耦结构可包括基本垂直于半导体器件的主表面的沟槽集合。第一区域可包括微机... 详细信息
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用于微机电系统传感器的多路径信号处理
用于微机电系统传感器的多路径信号处理
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作者: 欧米德·欧里耶依 美哈兰·阿雅特 美国加州
本申请提供一种用于微机电系统传感器的多路径信号处理。例示性的微机电系统传感器器件可包括单一微机电系统传感器组件以及相关的集成电路,其可便于发生主机系统所要求的多个具有不同电气特性的输出信号。通过在自所述单一微机电系统... 详细信息
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一种用于微机电系统传感器的高精度交互两级估计方法
一种用于微机电系统传感器的高精度交互两级估计方法
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作者: 周洁 李宇 高嵩 陈超波 黄娇茹 宋晓茹 颜宝萍 710032 陕西省西安市未央区学府中路2号
本发明公开了一种用于微机电系统传感器的高精度交互两级估计算法,包括步骤1,建立具有未知输入扰动的线性离散时间随机系统模型;步骤2,构建与未知输入解耦的广义传感器偏差模型;步骤3,重构系统模型;步骤4,计算状态预测量及其协... 详细信息
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微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片
微机电系统传感器芯片制备方法及其制备的传感器芯片
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作者: 郑旭晶 蔡文玮 于友斌 214000 江苏省无锡市锡山区安镇街道丹山路88号锡东创融大厦C栋16-040
本发明提出的一种微机电系统传感器芯片制备方法,所述传感器芯片的腔体结构采用腐蚀氧化硅技术生成,替代了传统的直接腐蚀硅衬底技术,不仅对硅衬底的晶向无特殊要求,形成的腔体结构精准度高,均匀性好,腔体深度不受限制,不会影响... 详细信息
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