检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：徐现刚高玉强宁丽娜彭燕陈秀芳胡小波蒋民华山东大学晶体材料国家重点实验室济南 250100

自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于30 arcsec。半绝缘衬底上生长出AlGaN/GaN H... 详细信息

自主研发出碳化硅单晶生长炉,采用升华法生长出微管密度达到1个/cm2的2英寸6H-SiC单晶。加工得到开盒即用(epi-ready)的半绝缘和n型6H-SiC衬底,晶片质量均匀性好,5点测量平均半峰宽(FSWHM)小于30 arcsec。半绝缘衬底上生长出AlGaN/GaN HEMT四胞内匹配器件在8GHz下输出功率大于64W。

关键词：碳化硅单晶生长炉升华法微管密度开盒即用

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一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法

一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法

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作者：陈秀芳徐现刚彭燕胡小波 250100 山东省济南市历城区山大南路27号

本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10-4Pa～10-2Pa，生长压力为5‐50mbar，温度2100-2400℃，速率10-500μm/h；晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯... 详细信息

标准号: CN103590101B

本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10^-4Pa～10^-2Pa，生长压力为5‐50mbar，温度2100-2400℃，速率10-500μm/h；晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯氮气2‐10h；间隔20h后，再通入同样的氮气；周期性地重复此过程，得到间歇性掺氮的SiC单晶；所得SiC单晶无空洞、硅滴、多型等缺陷，大大降低了微管密度。本发明实现了将单晶微管密度降至最低，甚至达到零微管水平的目标。

关键词：单晶微管密度氮气高纯氮气晶体生长生长方法生长压力抽真空大尺寸单晶炉间歇性生长室升华法无空洞生长掺氮微管一种再通中通最低重复涉及

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8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征

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人工晶体学报 2022年第12期51卷 2131-2136页

作者：娄艳芳巩拓谌张文郭钰彭同华杨建刘春俊北京天科合达半导体股份有限公司北京102600

使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、... 详细信息

使用物理气相传输法(PVT)通过扩径技术制备出直径为209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质量、微管、电阻率、应力、面型、位错等进行了详细表征。拉曼光谱表明8英寸SiC衬底100%比例面积为单一4H晶型;衬底(004)面的5点X射线摇摆曲线半峰全宽分布在10.44″~11.52″;平均微管密度为0.04 cm^(-2);平均电阻率为0.020 3Ω·cm。使用偏光应力仪对8英寸SiC衬底内部应力进行检测表明整片应力分布均匀,且未发现应力集中的区域;翘曲度(Warp)为17.318μm,弯曲度(Bow)为-3.773μm。全自动位错密度检测仪对高温熔融KOH刻蚀后的8英寸衬底进行全片扫描,平均总位错密度为3 293 cm^(-2),其中螺型位错(TSD)密度为81 cm^(-2),刃型位错(TED)密度为3 074 cm^(-2),基平面位错(BPD)密度为138 cm^(-2)。结果表明8英寸导电型4H-SiC衬底质量优良,同比行业标准达到行业先进水平。

关键词： 8英寸SiC单晶衬底物理气相传输法 X射线摇摆曲线微管密度翘曲度和弯曲度位错密度

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半绝缘碳化硅单晶衬底的研究进展

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人工晶体学报 2021年第4期50卷 619-628页

作者：彭燕陈秀芳谢雪健徐现刚胡小波杨祥龙于国建王垚浩山东大学晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院济南250100 广州南砂晶圆半导体技术有限公司广州511458

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更... 详细信息

碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环。本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述。

关键词： SiC单晶衬底微管密度 6英寸半绝缘

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8英寸导电型4H-SiC单晶的生长

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人工晶体学报 2022年第9期51卷 1745-1748页

作者：杨祥龙陈秀芳谢雪健彭燕于国建胡小波王垚浩徐现刚山东大学晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院济南250100 广州南砂晶圆半导体技术有限公司广州511458

采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的... 详细信息

采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。

关键词： SiC单晶衬底 8英寸物理气相传输法微管密度电阻率

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CD_(105)与CD_(34)标记的MVD在乳腺癌中的表达及意义

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山东医药 2007年第34期47卷 87-88页

作者：王晓红丁耘峰平金良湖州市中心医院浙江湖州313000

用免疫组化Envision二步法对82例浸润性乳腺癌、16例导管内癌、20例单纯导管上皮增生及15例正常乳腺组织进行CD105和CD34标记的微血管密度(MVD)检测,并分析CD105与临床病理参数的关系。结果显示,以CD105和CD34标记的MVD在正常乳腺组织... 详细信息

用免疫组化Envision二步法对82例浸润性乳腺癌、16例导管内癌、20例单纯导管上皮增生及15例正常乳腺组织进行CD105和CD34标记的微血管密度(MVD)检测,并分析CD105与临床病理参数的关系。结果显示,以CD105和CD34标记的MVD在正常乳腺组织、单纯性导管上皮增生、导管内癌及浸润性乳腺癌组织中的表达逐渐增高,乳腺癌明显高于前者(P<0.01)。CD105和CD34标记的MVD在浸润性乳腺癌中有统计学差异(P<0.01)。CD105表达与浸润性乳腺癌TNM分期及淋巴结转移呈正相关(P<0.05,<0.01)。提示CD105标记肿瘤组织新生微血管的特异性比CD34高,可作为检测乳腺癌患者预后的重要指标之一。

关键词：乳腺肿瘤微管密度免疫化学

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羟基喜树碱抑制鸡胚绒毛尿囊膜血管生成

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中国肿瘤 2003年第4期12卷 243-244页

作者：刘剑平侯梅易成川北医学院附属医院四川南充637000 四川大学华西医院肿瘤中心四川成都610041

[目的]了解羟基喜树碱(HCPT)对血管生成的影响。[方法]于发育第8天的鸡胚绒毛尿囊膜(CAM)上植入明胶海绵载体,其中加不同剂量的HCPT,计数长入载体的血管和载体内的微管密度(MVD)。[结果]在CAM上,长入载体边缘的血管数和MVD在120ng以上... 详细信息

[目的]了解羟基喜树碱(HCPT)对血管生成的影响。[方法]于发育第8天的鸡胚绒毛尿囊膜(CAM)上植入明胶海绵载体,其中加不同剂量的HCPT,计数长入载体的血管和载体内的微管密度(MVD)。[结果]在CAM上,长入载体边缘的血管数和MVD在120ng以上组与对照组间的差异有统计学意义(P<0.01)。[结论]12μg/kg的低剂量HCPT能抑制CAM的血管生成,证实了HCPT有较强的抗血管生成活性。

关键词：羟基喜树碱鸡胚绒毛尿囊膜血管生成 HCPT CAM 微管密度血管数

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通H量对升华法生长高纯4H-SiC单晶的影响

通H量对升华法生长高纯4H-SiC单晶的影响

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第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：王英民魏汝省王利忠毛开礼李斌戴鑫中国电子科技集团公司第二研究所

本文主要研究了通H含量对4H-SiC单晶生长速率、微管密度以及晶体中N含量的影响。研究结果表明,通H量与晶体生长速率呈线性关系,通H量不仅改变晶体生长过程中的C/Si,同时也会改变晶体生长过程中的温度梯度。当通H量超过临界值后,会导致... 详细信息

本文主要研究了通H含量对4H-SiC单晶生长速率、微管密度以及晶体中N含量的影响。研究结果表明,通H量与晶体生长速率呈线性关系,通H量不仅改变晶体生长过程中的C/Si,同时也会改变晶体生长过程中的温度梯度。当通H量超过临界值后,会导致大量的Si滴、碳包裹体以及多型等缺陷产生,从而导致晶体中的微管密度迅速增大。二次离子质谱仪(SIMS)测试结果显示,增加通H量有助于晶体中N含量的降低,然而随着通H量的不断增加,晶体中的N含量将会下降到一个恒定值,把N含量控制到这个恒定值可以满足高纯半绝缘SiC单晶的生长要求。最终确定通H量为15%时,得到高纯半绝缘4H-SiC单晶。该晶体切片后晶片电阻率超过107Ω·cm,微管密度小于5cm-2,半峰宽(FWHM)为30-40 arcsec,这些晶片适合用于制造微波电子器件。

关键词：通H量高纯半绝缘单晶电阻率微管密度

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