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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

17 篇 专利

馆藏范围

17 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

7 篇 广州裕芯电子科技...
3 篇 无锡华润矽科微电...
2 篇 苏州英诺迅科技股...
1 篇 西安华芯半导体有...
1 篇 杭州宽福科技有限...
1 篇 成都华微电子科技...
1 篇 南京民盛电子仪器...
1 篇 南京邮电大学

作者

7 篇 陈长兴
4 篇 韩旭善
3 篇 葛颖
2 篇 高怀
2 篇 张明丰
2 篇 严淼
2 篇 邓玉清
2 篇 王凯航
2 篇 孙丽军
2 篇 俞昕予
2 篇 常颖
2 篇 胡燕
2 篇 陈富涛
2 篇 施海健
1 篇 俞冰
1 篇 徐佰新
1 篇 赵海
1 篇 包帆
1 篇 蔡甜甜
1 篇 夏晓娟

语言

17 篇 中文

检索条件"主题词=振荡器电路结构"

共 17 条记录，以下是11-20 订阅

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一种振荡器

一种振荡器

引用

作者：葛颖陈长兴 510700 广东省广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋1003单元

本实用新型公开了一种振荡器，包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一电容C1、第二电容C2、第一比较器A1、第一反相器INV1，第一反相器INV1的... 详细信息

标准号: CN210807189U

本实用新型公开了一种振荡器，包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一电容C1、第二电容C2、第一比较器A1、第一反相器INV1，第一反相器INV1的输出端作为所述振荡器输出端OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，工作稳定性高，电路功耗低。

关键词：电流源反相器输出端振荡器电容振荡器电路结构本实用新型工作稳定性电路功耗简单成本比较器

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一种新型振荡器

一种新型振荡器

引用

作者：韩旭善陈长兴 510700 广东省广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋1003单元

本实用新型公开了一种新型振荡器，包括：五个电阻、六个NMOS管、两个电容C1、第一比较器A1、第一反相器INV1、第二反相器INV2及振荡器输出端OSC组成。本专利振荡器电路结构简单成本低，工作稳定性高，电路功耗低，反应速度快。

标准号: CN210807187U

关键词：反相器振荡器振荡器电路结构本实用新型反应速度快工作稳定性电路功耗简单成本比较器输出端电容电阻

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一种结构简单的振荡器

一种结构简单的振荡器

引用

作者：韩旭善陈长兴 510700 广东省广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋1003单元

本实用新型公开了一种结构简单的振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，振荡... 详细信息

标准号: CN210807188U

本实用新型公开了一种结构简单的振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，振荡器功耗低精度高，可运用在多种用途的芯片中。

关键词：振荡器电容电阻振荡器电路结构施密特触发器本实用新型简单成本反相器功耗芯片输出

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一种低成本片上振荡器

一种低成本片上振荡器

引用

作者：谢永宜俞冰 710055 陕西省西安市高新6路38号腾飞创新中心A座4层

本发明提出一种新的片上振荡器电路结构，能够很大程度上节约芯片面积，降低芯片的制造和设计成本。该片上振荡器包括比较器、偏置电流产生器、参考电压产生电路和充电通路；所述偏置电流产生器提供的偏置电流还分别接入参考电压产生电... 详细信息

标准号: CN103916099A

本发明提出一种新的片上振荡器电路结构，能够很大程度上节约芯片面积，降低芯片的制造和设计成本。该片上振荡器包括比较器、偏置电流产生器、参考电压产生电路和充电通路；所述偏置电流产生器提供的偏置电流还分别接入参考电压产生电路和充电通路，在参考电压产生电路中形成偏置电流源K*IB，在充电通路中形成偏置电流源IB；所述参考电压产生电路中偏置电流源K*IB与电阻R0串联接地，分压节点位于偏置电流源K*IB与电阻R0之间。本发明不仅具备传统方案的优点，同时又能够很大程度上节约芯片面积，降低了芯片的制造成本；对工程人员而言，还降低了周期计算和电路设计的难度，从而缩短了芯片的设计开发时间。

关键词：偏置参考电压电流源充电通路电路电流产生器芯片面积芯片电阻振荡器电路结构传统方案电路设计工程人员设计成本设计开发周期计算接地比较器振荡器分压电流串联

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振荡器电路

振荡器电路

引用

作者：孟庆生 310012 浙江省杭州市西湖区天目山路248号华鸿大厦2号楼6层250号

本发明公开了一种振荡器电路。振荡器电路包括第一电阻、第二电阻、第一NPN管、第一电容、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第五电阻、第三NPN管和第六电阻。该振荡器电路结构简单，占用芯片面积小。

标准号: CN109257016A

关键词：电阻振荡器电路振荡器电路结构电容芯片占用

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一种高性能的振荡器

一种高性能的振荡器

引用

作者：韩旭善陈长兴 510700 广东省广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋1003单元

本发明公开了一种高性能振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低... 详细信息

标准号: CN110995160A

本发明公开了一种高性能振荡器，包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第一电容C1、第二电容C2、施密特触发器SMT、反相器INV1及振荡器的输出OSC。本专利振荡器电路结构简单成本低，只采用简单的电路元件和一个施密特触发器组成，性能好，灵活控制。可根据设计需要选择调整电阻R1与R2的阻值、或者调整电容C1与C2的容值、或者施密特触发器的导通电压与关断电压阈值来控制振荡器的频率及占空比。

关键词：施密特触发器电容电阻振荡器电路结构高性能振荡器控制振荡器导通电压电路元件调整电容调整电阻关断电压简单成本灵活控制反相器占空比振荡器输出

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一种高精度低功耗的振荡器

一种高精度低功耗的振荡器

引用

作者：葛颖陈长兴 510700 广东省广州市黄埔区科学城科学大道18号A栋1003单元

本专利公开了一种高精度低功耗的振荡器，包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一电容C1、第二电容C2、第一比较器A1、第一反相器INV1，第一反... 详细信息

标准号: CN111193475A

本专利公开了一种高精度低功耗的振荡器，包括：第一电流源I1、第二电流源I2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一电容C1、第二电容C2、第一比较器A1、第一反相器INV1，第一反相器INV1的输出端作为所述振荡器输出端OSC，所述第一电流源I1、第二电流源I2为不受电源电压及温度影响的参考电流源。本专利振荡器电路结构简单成本低，工作稳定性高，可通过设置参数来实现所需频率及所需占空比的振荡器，且在提高振荡器的精度的同时也降低了电路功耗。

关键词：电流源振荡器反相器输出端电容振荡器电路结构参考电流源工作稳定性电路功耗电源电压简单成本设置参数温度影响比较器低功耗占空比

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